Электронно-лучевая лампа-политрон

(9 5)5 ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР МИТЕТОТКРЫТИЯ ИЗОБРЕТ ПИСАН АВТОРСКОМУ ИДЕТЕЛЬСТВ предстаелинеиных томиздат,Б. Политрон (исп азования инфо . 15, 65. зование ции). М.,(21) 4845808/21(56) Карпов Е. А. и др. Синтезпреобразователей, М,: Энерг1986, с. 125.Путилин А,в схемах преобрЭнергия, 1980, с Изобретение относится к технике преобразования электрических сигналови может быть использовано в устройствах демодуляции и распознавания сигналов.Известны электронные устройства с переменной передаточной характеристикой, реализованные на полупроводниковых либо электровакуумных приборах (1. Однако характеристики этих устройств не обеспечивают чувствительности к микроструктуре электрических сигналов,Чувствительность устройства к микро- структуре сигналов может быть обеспечена при измерении параметров вторичных электронов, образующихся при рассеянии электронного пучка на поверхности электрода, соединенного с источником сигнала (заявка Ме 4403918/09 (051163) от 4,04.88, положительное рещение от 31.07.89).Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является устройство "Политрон" 2), В политроне электронный пучок; локализованный в телесном угле, охватывающем основанием коллекторные пластины, отклоняется электрическим полем развертывающих пластин(57) Использование: в технике преобразованияэлектрических сигналов, в устройствах демодуляции и распознавания сигналов, Сущность изобретения. в политроне для повышения чувствительности к микроструктуре сигнала дополнительно введен селектирующий электрод. между развертывающими пластинами и функциональными пластинами в форме рамки, имеющий самостоятельный вывод. вдоль коллекторных пластин. Форма передаточной характеристики определяется геометрией коллекторных пластин и потенциальным рельефом, создаваемым вдоль траектории отклонения пучка функциональными пластинами. Чувствительность политрона к микроструктуре сигнала возникает в момент рассеяния электронного пучка на поверхности одной из развертывающихх пластин (заявка М 4403918/09 (051163) от 4.04.88), Для обеспечения чувствительности к микроструктуре необходимо задавать на развертывающих пластинах политрона отрицательный потенциал, равный по величине 1.10% величины энергии электронов пучка в электронвольтах, Дополнительно повысить чувствительность на 2 - 3% можно, подавая большой (до 200-300 В) положительный потенциал на крайние функци ональные пластины, что вызывае дополнительный отток электронов, эмитти рованных развертывающей пластиной, в направлении коллекторов, Однако существенная часть (40%) эмиттированных электронов все же попадает на часть второго анода, размещенную между электронной30 ЗБ 40 пушкой и развертывающими пластинами, име,ащую положительный потенциал отноительно развертывающей пластины, что не дает значительно повысить чувствительность политрона к микроструктуре сигнала; Кроме того, подавать столь высокий потенциал на крайние функциональные пластины нежелательно, т, к, чувствительность политрона по отношению к потенциалам центральных Функциональных пластин значительно падает,Цель устройства - повышение чувствительности устройства к микроструктуре сигнала,Поставленная цель достигается тем, что - в устройство - элрктранно лучевую лампу, содержащую катод косвенного накала, модулятор, ускоряющий электрод, первый анод и второй анод, Формирующие электронный пучок, корректирующие пластины, развертывающие пластины, функциональные пластины, коллекторные пластины, размещенные внутри вакуумного баллона, поверхность которого изнутри покрыта аквадагом, соединенным со вторым анодом, дополнительно введен селектирующий электрод в пространстве между развертывающими пластинами и функциональными пластинами, выполненный в форме рамки, клемма которой выведена на поверхность баллоча,В ведение селектирующего электрода оозволяет сохранить чувствительОсть политрона го отношению к потенциалам всех функциональных пластин и обеспечить вдвое более высокую чувствительность по отношению к микроструктуре сигнала за сче- оттока всех вторичных электронов от развертывающих пластин в направлении функциональных пластин, Отток вторичных электронов обеспечивается при подаче на селектирующий электрод положительного потенциала относительно второго анода и развертывающих пластин,На чертеже схематически изображена электронно-лучевая лампа - политрон.Политрон содержит катод 1 косвенного накала, ускоряющий электрод 2, модулятор 3, первый анод 4, второй анод 5, корректирующие пластины 6, развертывающие пластины 7, коллекторные пластины 8 и 9, десять пар функциональных пластин 10 и 11 (на фиг. 1, с целью упрощения схемы, указаны только пять пар функциональных пластин), селектирующий электрод 12, баллон 13,Политран работает следующим образам. Катод 1 косвенного накала) змиттирует электроны, ускоряемые -электростатическим полем ускоряющего электрода 2. Количество ускоряемых электронов ограничивается полем модулятора 3. В поле первого анода 4 ускоренные электроны формируются в пучок с нормальным. распределением электронов по сечению, Электроды второго анода 5 ограничивают взаимовлияние полей первого анода 4, корректирующих пластин 6, развертывающих пластин 7 Электростатическое поле корректирующих пластин 6 обеспечивает отклонение электронного пучка в направлении оси У., поле развертывающих пластин 7 - .в направлении оси Х, Электронный пучок попадает на первую 8 и вторую 9 коллекторные пластины, инжекция электронов в которые задает(формирует) ток во внешних цепях пластин Количество электронов пучка, попадающих на коллекторные пластины 8 и 9, определяется формой пучка и его отклонением пасси У, Отклонение по оси У определяется также потенциалами пары функциональных пластин 10 и 11, между которыми находится пучок. Отклонение пучка в поле действия какай-либо пары функциональных пластин задается разностью потенциалов развертывающих пластин 7; Электроны рассеиваемые вне коллекторных пластин 8 и 9 и функциональных пластин 10 и 11 инжектируются в аквадаг. При увеличении разности потенциалов развертывающих пластин 7 возникает режим скользящего рассеяния электронного пучка на поверхности одной из развертывающих пластин 7, В результате рассеяния в пространстве между развертывающими пластинами 7 выбиваются вторичные электроны, которые полем селектирующего электрода 12 направляются в сторону функциональных пластин 10 и 11 и коллекторных пластин 8 и 9. Задавая положительный потенциал селектирующему электроду 12, можно все вторичные электроды либо их часть направить на коллекторные пластины 8 и 9, функциональные пластины 10 и 11, В результате подбора потенциалов. на селектирующем электроде 12 и функциональных пластинах 10 и 11 можно. из потока электронов выделить электроны с определенным энергетическим спектрам,По сравнению с прототипом предлагаемая электронно-лучевая лампа - политрон обеспечивает более чем вдвое возросшую чувствительность к микроструктуре сигнала, за счет селекции вторичных электронов по энергии в вакуумном пространстве, что влечет эа собой улучшение избирательности устройств распознавания сигналов, выполненных на базе политрона, а также снижает вероятность ошибок при распознавании сигналов за счет одновременной де1772839 ставитель Е. Гладкхред М.Моргентал Т. Вашкович еда кто каз 3848 Тираж П ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям 113035, Москва. Ж, Раушская наисноеоткрытиям при ГКНТ СС4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент",г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 модуляции спектральных и микроструктурных характеристик сигнала,Формула изобретения Электронно-лучевая лампа - политрон, содержащая последовательно расположенные по ходу электронного пучка катод, модулятор,. ускоряющий электрод, первый анод и второй анод, формирующие электронный пучок, корректирующие пластины, развертывающие пластины, функциональные пластины, коллекторные пластины, размещенные внутри вакуумного баллона, поверхность которого внутри покрыта аклада.гом, соединенным с вторым анодом, о т л ич а ю щ а я с я тем., что, с целью повышения 5 чувствительности устройства к микроструктуре сигнала, дополнительно введен селектирующий электрод в пространстве между развертывающими пластинами и функциональными пластинами, выполненной в фор ме рамки, клемма которой выведена наповерхность баллона.