Многолучевой свч-прибор 0-типа

(51) 5 Н 01 Я 25 СОЮЗ СОВЕТС СОПИАЛНСТИ КИХ РЕСПУБЛИК ТЕНТНОЕ СПАТЕНТ СССР) ОСУДАРСТВЕПНОЕ ПАЕДОМСТВО СССР (ГО ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ ТОРСКОМУ ЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к электронной технике,в частности к многолучевым СВЧ-приборам 0-типаЦелью изобретения является повышение мощностиприбора за счет уменьшения токооседания в резонаторной системе и на коллекторном полюсном наконечнике в динамическом режиме работы Поставленная цель достигается за счет того, что при взаимном положении коллектора 6 резонаторной системы 4 и магнитной системы 7 в соответствии с формулой изобретения достигается хорошее токопрохождение в резонаторной системе. Одновременно полюсной наконечник 5 оказывается защищенным от теплового воздействия осаждакнщегося электронного потока Такое снижение тепловой нагрузки на резонаторную систему и на коллекторный полюсный наконечник позволяет повысить мощность прибора при неизменных габаритах и магнитном поле. 2 ил.Изобретение относится к электроннойтехнике, а более конкретно - . к многолучевым приборам СВЧ 0-типа (клистрон, Л БВи т.д,),Цель изобретения - повышение мощности прибора за счет уменьшения токооседания в резонаторной системе и наколлекторном полюсном наконечнике в динамическом режиме работы, а также снижения удельной нагрузки на коллектор,На фиг,1 показан общий вид предложенного прибора; на фиг,2 - распределениемагнитного поля и траектории электроновПрибор содержит один или несколькокатодных узлов 1 с фокусирующими электродами 2, катодный полюсный наконечник3, резонаторную систему 4, коллекторныйполюсный наконечник 5, кэллектор б и соленоид 7.На фиг, 2 показаны распределение индукции магнитного поля В вдоль пролетногоканала и результаты расчета отклоненияцвнтрального электрона потока от оси пролетного канала с и огибающей электронногопотока К.Электронные лучи 8 могут быть сформированы в одну или несколько групп. Количество отверстий в катодном полюсномнаконечнике 3 равно количеству электронн 1 ых лучей 8, а отверстие в коллекторномполюсном наконечнике 5 - общее для группы электронных лучей или для всех групплучей. Если для фокусировки электронныхпотоков используется однородное магнитнОе поле. между катодным и коллекторнымпОлюсными наконечниками 3,5 располагаются катушки соленоида 7 или постоянные магниты,, При фокусировке реверсным магнитнымполем между катодным и коллекторным полюсными наконечниками располагается последовател ьность промежуточн ых пол юсн ыхнаконечников. Расстояние между катодными коллекторным полюсными наконечниками3,5 больше длины резонаторной системырна величину, равную диаметру отверстияО в коллекторном полюсном наконечникеМ = 1.р+ О, Для уменьшения длины и вег:асоленоида в коллекторном полюсном наонвчнике выполняются отверстия для кгэждой группы лучей, Коллектор б может б ытьобщим для всех групп лучей или отдель нымДГ 1 Я КажДОй ГРУППЫ.Поскольку расстояние Гь между к.атодным и коллекторным фланцами больпле длины резонагорного блока р на вел ичину,яавнуго див 1 етру Г) отверстия в коллек торномполюсно:л наконечнике, влияние этог э отверстия не сказывается на расг 1 ределе 1 ие продольной сос ав яющей индук 1 ии ма гнитного поля в области резонаторной системы.Уменьшение индукции поля начинаетсятолько в области за резонаторной системой,где уже начинается коллектор.Из фиг,2 видно, что в данном прибореэлектронный поток проходит через пролетный канал без оседания на его стенки. Заметное отклонение центрального электродаот оси канала начинается только в областиколлектора,Расстояние между полюсными наконечниками М = Ер + О гарантирует хорошеетокопрохождение в резонаторной системе,Однако для сокращения общей длины прибора этот размер может быть уменьшен припрактическом сохранении уровня токопрохождения,Распределение магнитного полл у открытого конца соленоида можно аппрокси 20 мировать следующим выражением:где В - текущее значение продольной составляющей индукции магнитного поля,В 1 - величина индукции магнитного поля в однородности части;О - диаметр отверстия в коллекторномполюсном наконечнике;г - текущее значение координаты, При - = 0,805 магнитное поле становитОсй однородн ы м ( - расстоя н ие, отс читы ваемое от коллекторного полюса), Отсюда следует, что величина , при которой магнитное поле уменьшается до заданного значения В 2, определяется из выражения:40= 0,805 -- агсзаЛ л В 1 Из рассмотрения хода силовых линий вспадающем магнитном поле можно установить, что допустимую величину спада магнитного поля у конца резонаторной системы можно определить из выражения:250В 1 г 1 + гк глгде г 1 - радиус окружности, на которой рлсполджены центры кр,)него ряда пролетных каналов; гк - радиус пролетного канала; г, радиус электронного луча,Из формул (1), (2) следует, что допус гичосзначение г д 0 п расстояния от конца ре.1 пн торной системы до коллекгорного полполог наконечника определяется выпях,енисее,, = О ( - 0,765 . агсааг 1 + г - гл 1 10 Составитель А, ВласТехред М.Моргентал Корректор М, Демчи ктор Б. Федотов Заказ 3 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента3035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат. "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Предлагаемое изобретение позволяет создать прибор со средней мощностью около 50 кВт в сантиметровом диапазоне длин формула изобретенияМНОГОЛУЧЕВОЙ СВЧ-ПРИБОР 0-ТИ;ПА, содержащий резонаторную систему, коллектор, источник фокусирующего магнитного поля с катодным и коллекторным полюсными наконечниками из магнитомягкого материала с отверстиями для прохождения лучей, отличающийся тем, что, с целью повышения его мощности за счет уменьшения токооседания в резонаторной системе и снижения удельной нагрузки на коллектор, коллекторный полюсной наконечник выполнен с одним отверстием для прохождения всех лучей, коллектор входит волн и открывает перспективу дальнейшегоповышения средней мощности в этом и более коротковолновом диапазонах.(56) Патент США Мг 3902098,5 кл, Н 01 3 25/10, опублик. 1975,Авторское свидетельство СССР.М 803733,кл. Н 01 3 23/08, 1978,в это отверстие, а его начальная часть расположена между торцом резонаторной системы и коллекторным полюсным15 наконечником, при этом должно быть выполнено соотношение1 кк= р+ О,где Ь - расстояние между катодным иколлекторным полюсными наконечниками, м;р - длина резонаторной системы, м;О - диаметр отверстия в коллекторномполюсном наконечнике,м,