Газоразрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внутренней памятью

ОЮЗ СОВЕТСКИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 1684828 А 1 7/4 АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЛЬСТВ эанная цель достигается тем, что виндикаторе, содержащем обкладочныестеклянные пластины и системы анодныхи катодных электродов, реэистивныйузел выполнен как комплект вертикально расположенных диэлектрическихпластин, с одной стороны которых нанесены тонкопленочные резисторы в видеполос, электрически соединенных санодными электродами на торцах пластин, Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности индикаторных ячеек, Выполненные в виде протяженныхполос (до 10 мм), они отличаютсявысокой электропрочностью, Расположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет эффективно вести контроль их параметрови отбраковку в процессе сборки индикатора, что уменьшает разброс величинсопротивлений в индикаторе, увеличивая диапазон "памяти", 2 ил,технический и А,П,Кулак 3784864,(57) Иэо разрядно бражения йия явля азоситсястройслью етение техник вам ото- зобрете- тропрочи и, Це чение информац тся увел вышение плотнос исторав ности ре их распо табильнасти электв и уменьшение ен параметравеличины отивления, Укаразброса эобре к облас ние откос ой техник атодных и анодных электродов, реистивный узел выполнен в виде коми мажет быть аботке и произбражения инфоразр при раз йств от использован водстве уст мации,Целью иэ плекта вдиэлектрстороныночные р й л эисторы в виде п является увел и резисторов,их располажени етени соединенных электричеэлектродами но ние элект повышение плотнос и уме им тивл Ука оди иная цель достигае дикаторе, содержаш теклянные пластины межуток,пленочный обкла- системы ч дачные ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИ(54) ГАЗОРАЗРЯДНЬЙИНДИКАТОР ПОСТОЯНННЕЙ ПАМЯТЬЮ ение разброса величины сопия резисторов,тикально расположенных еских пластин, с одной торых нанесены тонкопл разом, ток в ячейке пропи: катод - разрядный праполненный инертным газом, -еэистор - анод, 168482845 50 55 В известных конструкциях газоразрядных зцакосицтезчруюпях индикаторов(Г.3 СИ) постояццого тока с внутреннейпамятью резисторы расположены тремяосновными способами,Тонкопленочные резисторы расположены горизонтально (в плоскости экрана индикатора и нанесены на обкладочную стеклянную пластину, на нейже находится электродная система,контактирующая с резисторами (анодная или катодная),Функции резистора выполняет сплошной тонкий слой полупроводниковогоматериала, нанесенный поверх анодныхэлектродов. Ограничение тока происходит за счет объемного сопротивлениятонкой пленки,Объемные резисторы запрессованы вотверстия диэлектрической матрицыи являются толстопленочными,Предлагается конструкция вертикального расположения протяженныхтонкопленочных резисторов, нанесенных вместе с электродной системой натонкие диэлектрические пластины,благодаря чему появляется новое свойство - повышение электропрочностии плотности расположения ячеек,, На фиг,1 покаэаны одиниз вариантовконструкции индикатора, на фиг. 2вольт-амперная характеристика ячейки,На верхней стеклянной пластине 1расположены прозрачные катодныеэлектроды 2, На расстоянии 1 О мкм откатодных электродов вертикально расположены диэлектрические пластины 3с резисторами 4 и анодными электродами 5, Расстояние выдерживается с помощью прокладки 6, замыкает объемстеклянная пластина 7, Нижние торцыдиэлектрических пластин закругленыдля обеспечения надежного контактаанодных электродов с резисторами ипредотвращения замыкания между соседними анодными электродами,Изготовленный и испытанный индикатор имеет 50 диэлектрических пластин с резисторами (соответственно50 анодов) и 120 катодных электродов. Толщина каждой пластины с резисторами 0,5 мм, высота 8 мм, Резисторы расположены на пластине с шагом0,5 мм, нанесены методом вакуумногонапыления, материал резисторов РС величина сопротивлений 500 кОм, Индикатор наполняют инертным газомдо 740 мм рт,ст, (Ие + О,ЗХ Хе),5 1 О 15 20 25 30 35 40 При работе ГЗСИ постоянного токас внутренней памятью между аноднымии катодными электродами поддерживается постоянная разность потенциалов.Ее величина выбирается меньше напряжения возникновения разряда, нобольше напряжения прекращения разряда, При одновременной подаче импульсов записи информации на выбранный анод и катод в ячейке зажигаетсяразряд, ток которого ограничиваетсярезистором, Наличие резистора в каждой ячейке индикатора обеспечиваетсвойства памятиРасположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет проводить контроль и отбраковку резистпвных элементов по величинесопротивления перед сборкой индика.ора, В предлагаемой конструкцииотпадает необходимость использованиядорогостоящей матрицы с отверстиями,так как переход разряда на соседнююячейку невозможен из-за высокого давления наполняющих индикатор газов ималой площади вершины тонкопленочного резистора, выходящей в разрядныйпромежуток (0,310 бм), разряд локализован,Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности их расположения,что увеличивает разрешающую способность индикатора. В предлагаемой:конструкции возможно увеличение длинырезисторов настолько, насколько этонеобходимо для обеспечения запасазлектропрочности без ухудшения других параметров. Формула изобретенияГазораэрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внутренней памятью, содержащий обкладочные стеклянные пластины, систему анодных и катодных электродов, резисторы, электрически соединенные с анодными электродами, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения электропрочности индикатора и плотности расположения ячеек, уменьшения разброса величин сопротивления резисторов, резисторы выполнены в виде протяженных тонкопленочных полос на боковых поверхностях вертикально расположенных диэлектрических пластин, а анодные электроды нанесены на торцы пластин,10 0 о г 70 5 ФИГ,2,орректор Обручар аказ 3510 ТиражНИИПИ Государственного комитета по иэобр113035, Москва, Ж, Рауш роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Составитель С.Дв дактор О,Спесивых Техред А.КравчуктПодписноетениям и отская наб.,ытиям при ГКНТ ССС 4/5