Способ фотометрической записи информации и устройство для его осуществления

ЕТЕН САНИ озволяет апись осу М,К;Новосе- асов О, Орт, Епдп,ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР КОЬ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ(57) Изобретение относится к способам фототермопластическои записи и и увеличить цикличность записи. 3 ществляют при одновременном вии на фототеомопластический сл слой 9 фотоэмиттера, который ра от слоя 10 на расстоянии О, соо щем соотношению б/е О е ским излучением 13 (б, я - т диэлектрическая проницаемость 4- длина свободного пробега фов инертном газе). Инертный га в зазоре 12 между пластинам .ф-лы, 2 ил. воздеистой 10 и на сположен тветствую, оптичеолщина ислоя 10; тоэлектро находит- и 7 и 8. 2Изобретение относится к записи ин-формации, в частности к оптической записина фототермопластических материалах,Целью изобретения является увеличение цикличности записи,На фиг. 1 дана схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - записывающая ячейка,поперечное сечение.Устройство состоит из средства экспонирования, включающего источник 1 экспонирующего оптического излучения,оптический затвор 2, оптический проекционный блок 3, оптический транспарант 4,источник 5 электрического напряжения,электронагреватель, включающий импульсный источник бтока, записывающую ячейку,которая состоит из двух параллельных прозрачных пластин 7 и 8. На внутреннюю поверхность пластины 8 нанесен слой 9фотоэмиттера, а на внутреннюю поверхность пластины 7 - фототермический слой10, под которым находится прозрачный проводящий слой 11, Слой 10 расположен отслоя 11 на расстоянии, соответствующемсоотношениюб/еО егде б, е - толщина и диэлектрическая проницаемость слоя 10;4 - длина свободного пробега фото электрона в инертном газе, находящемся взазоре 12 между пластинами 7 и 8,Устройство работает следующим образом.Фотоэмиттер подключают к отрицательному полюсу источника 5 напряжения.Открывают затвор 2 и экспонируют оптическое излучение 13 одновременно на слой 10и на слой 9 фотоэмиттера, сформированноев результате прохождения экспонирующегоизлучения источника 1 через оптическийпроекционный блок 3 и оптический транспарант 4. С фотоэмиттера выбиваются электроны 14. Часть 15 экспонирующегоизлучения попадает на слой 10, в которомпроходит ток 16 фотопроводимости. Послевыполнения экспонирования в устройствезакрывают затвор 2 и с выхода источника 6тока подают на слой 11 импульс тока. Засчет джоулева тепла, выделяющегося в слое11, нагревается и переходит в вязкотекучеесостояние слой 10, Деформирующие силы,порожденные электрическим полем зарядана поверхности слоя 10, деформируют поверхность. Скрытое электростатическоеизображение информации преобразуется вгеометрический рельеф поверхности слоя10, По окончании импульса тока, пропускаемого через слой 11, слой 10 охлаждают для фиксирования геометрического рельефа, несущего записанную информацию.Формула изобретения 1, Способ фототермопластической запи си информации, состоящий в электростатической зарядке фототермопластического слоя пои приложении разности потенциалов между проводящим слоем и слоем фо- тоэмипера, экспонировании фототермопластического 10 слоя, тепловом проявлении, считывании истирании, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения цикличности записи, фототермопластический слой и слой фотоэмиттера экспонируют одновременно, а величину О 15 разности потенциалов и длительность тэ экспонирования выбирают из соотношений:г ТЯп Я 6 Еотэ о пах1 Т 3 Яфж б "08 ф201 6 Ъ БФз 30 7 Ва 32Р+е 0еСИп ОО О," - ( - )где Тфтп, Тф, - прозрачности фототермопластического слоя и фотоэмиттера;Яфтп, Яфэ - их светочувствительности;30 - плотность мощности экспонирующего излучения;30 ао, е - масса и заряд электрона;О - величина зазора между поверхностью слоев фотоэмиттера и фототермопластического;б,я - толщина и диэлектрическая проницаемость фототермопластического слоя;о - рабочий потенциал фототермопластического слоя;я, - абсолютная диэлектрическая проницаемость;40 ВЪ - максимальная энергия фотоэлектронов;и, гп - показатели степени; п = О, а=1при экспонировании со стороны фототермопластического слоя;п=1, в = 0 при экспо нировании со стороны фотоэмиттера,2, Устройство для фототермопластическойзаписи информации, содержащее средства экспонирования и считывания, источник электрического напряжения, электронагреватель и 50 записывающую ячейку, сопряженную с нагревателем и состоящую из двух параллельных прозрачных пластин, зазор между которыми герметизирован и заполнен инертным газом,.и их внутренние поверхности покрыты про зрачными проводящими слоями с нанесеннымна один из них фототермопластическим слоем и соединенным с источником напряжения, о тличающееся тем,что,сцельюувеличения цикличности записи, проводящий слой выполнен из слоя эмиттера, который располо1663600 б(Я 0 3;где А - длина свободного пробега фотоэлектрона в инертном газе. Составитель А.Павло Лежнина Техред М,МоргенталРеда кто рректор С.Шев акаэ 2266 ВНИИПИ Госуда Тираж 291венного комитета по изоб 113035, Москва, Ж, Рау Подписноетениям и открытиям при ГКНТ СССР кая наб 4/5 инат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 оиэводстве дательскии жен от фототермопластического слоя другой пластины на расстоянии, соответствующем соотношению 1011