Номер патента: 1649322

Авторы: Валевский, Вечер, Ворона, Масленко, Ротнер, Скоропанов

ZIP архив

Текст

мого размера получали путем прессования порошка ТРГ насыпной плотностью 5 - 20 г/см в аппаратах высокого давления типа цилиндр - поршень с диаметром пуансона, соответствующего диаметру реакционного объема, или вырезали (выштамповывали) из ленты ТРГ, полученной прокаткой, В необходимом месте иглой прокалывалось отверстие и в него запрессовывался реперФый материал.Минимальная плотность корпуса датчика в 1,2 г/см обусловлена особенностями формирования корпуса и анизотропией изделий из ТРГ. При формировании дисков из ТРГ прессованием или прокаткой порошков ТРГ, только начиная с указанной плотности в силу достижения необходимого текстурирования изделий и необходимой ориентацией частиц порошка под действием однонаправленного усилия изделия из ТРГ, имеет такую анизотропию в осевом и в радиальном направлениях, когда электропроводность в осевом направлении на порядок меньше электропроводности в плоскости диска, т.е, только в этом случае корпус датчика высокого давления приобретает электросопротивление, достаточное для того, чтобы электроток при проведении калибровки шел преимущественно не через корпус датчика а через реперный материал. По мере повышения давления формирования диска из ТРГ анизотропия электропроводности возрастает и она максимальна для изделий из ТРГ плотностью 2,1 - 2,2 г/см.При нагружении аппарата высокого давления в реперном веществе при определенных температуре и давлении происходит фазовое превращение, что фиксируется системой регистрации сигналов как скачок электросопротивления. Скачок электросопротивления, фиксируемый системой регистрации сигналов, указывает на достижение в аппарате высокого давления при определенной температуре определенного значения давления,Пример 1. Графит завальевского месторождения обрабатывают в концентрированной серной кислоте в присутствии окислителя, промывают водой, сушат и термообрабатывают. В результате получают порошок термически расщепленного графита начальной плотностью 5 - 20 г/л. Порошок в необходимом количестве засыпают в прессформу типа цилиндр - поршень и прессуют диск плотностью 1,8 г/см и толщиной 0,2 мм. В диске прокалывают отверстие диаметром 0,8 - 1 мм. На наковальню горкой насыпают порошок (3 - 5 мг) селе- нида свинца (низкоомный материал) и отверстием диск из ТРГ накладывают на вершину горки; сверху на отверстие насыпают еще такое же количество порошка селе- нида свинца и с помощью оправки порошок запрессовывают в диск. Приготовленный таким образом датчик высокого давленияпомещают в твердофазный аппарат высокого давления с шихтой для синтеза искусственных алмазов. Предварительно проводят калибровку реакционного сосуда по давлению. После завершения под действием давления в реперном материале фазового превращения, начинающегося при 4,23 +.0,07 ГПа, включают ток нагрева, реперный материал прогорает и идет синтез искусственных алмазов,Пример 2. Датчик высокого давления готовят аналогично примеру 1, но корпус датчика получают путем вырубки (вырезки) его из бумаги термически расщепленного графита толщиной 0,5 мм. Результаты положительны.Пример 3. Датчик высокого давления готовят и исследуют так, как в примерах 1 и 2, но в качестве чувствительного элемента используют теллурид свинца с давлением начала фазового превращения при 5,07-+0,09 ГПа. Результаты испытаний положительны.Пример 4. Датчик высокого давления готовят так, как в примерах 1 и 2, но в качестве чувствительного элемента используют 5 птз, .опто,вТбод 5, Те - 5 е, для которых известны электробарические характеристики при повышенных температурах, и давление определяют при температурах до 720 С четырехзондовым методом. Результаты испытаний положительные.Пример 5, Датчик изготавливают также, как в примерах 1 - 4, но плотность корпуса из ТРГ составляет 1,1 г/см. В результате испытаний не удается зафиксировать электросигнал, соответствующий фазовому превращению реперного материала под действием давления из-за шунтирования репер- ного материала корпусом датчика, Результаты испытаний отрицательны,Таким образом, применение ТРГ для изготовления корпуса датчика высокого давления позволяет при синтезе искусственных алмазов размещать его в любом месте реакционного объема и с его помощью определять давление в любой точке данного объема (что повышает. точность и надежность определения давления), обеспечивает 45 возможность в силу термостабильностикорпуса датчика определять давление при повышенных температурах, что также способствует более гочному выходу на режим синтеза, исключает внесение в реакционную шихту инородных материалов, обеспечивает 50 возможности нагрева реакционной шихтысразу же после калибровки АВД по давлению, при этом материал корпуса датчика является источником углерода для получения искусственных алмазов. 55Формула изобретения 5 10 15 20 25 30 35 40 Датчик высоких давлений, содержащийточечный чувствительный элемент из репертай В тета по и Ж - 35ком бина ного материала, размещенный в теле диско- образного корпуса, и два токоподвода, расположенные по обе стороны корпуса, отличающийся тем, что, с целью расшиРедактор М. КелемешЗаказ 1514НИИПИ Государственного ком113035, МоскваПроизводственно-издательский рения диапазона рабочих температур и повышения точности, в нем корпус датчика выполнен из термически расщепленного графита плотностью не менее 1,2 г/см. тавитель И. НевскийА. Кравчук Корр359 Подизобретениям и открытиРаушская наб., д.Патент, г. Ужгород,ясное1 м при ГКНТ СССР4,5ул. Гагарина, 1)1

Смотреть

Заявка

4443930, 21.06.1988

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ БЕЛОРУССКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. В. И. ЛЕНИНА, ИНСТИТУТ СВЕРХТВЕРДЫХ МАТЕРИАЛОВ АН УССР

СКОРОПАНОВ АЛЕКСАНДР СТЕПАНОВИЧ, ВОРОНА ЮРИЙ ВИКТОРОВИЧ, ВАЛЕВСКИЙ БОЛЕСЛАВ ЛЮДВИГОВИЧ, МАСЛЕНКО ЮРИЙ САВИЧ, ВЕЧЕР АЛИМ АЛЕКСАНДРОВИЧ, РОТНЕР ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01L 11/00

Метки: высоких, давлений, датчик

Опубликовано: 15.05.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1649322-datchik-vysokikh-davlenijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик высоких давлений</a>

Похожие патенты