Устройство для управления силовыми транзисторами двухтактного инвертора

(5) 5 2 М 753 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Ленинградский институт авиационного приборостроения(56) Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры, Справочник,/ Под ред, Г.С. Нейвельта. - М: Радио и связь 1985.Авторское свидетельство СССР М 1283919, кл. Н 02 М 7/538, 1985.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМИ ТРАНЗИСТОРАМИ ДВУХТАКТНОГО ИНВЕРТОРА(57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах электропитания для управления силовыми транзисторами инверторов. Цель изобретения - повышение надежности путем формирования запирающего напряжения на управляющем переходе силового транзистора на этапе паузы при формировании напряжения с шин. Устройство управления содержит формирующие диоды 15, 16, которые через коэффициент трансформации включены встречно-параллельно управляющему переходу силового транзистора 1 или 2, а первичные обмотки трансформаторов 3, 4 управления соединены последовательно.2 ил,Изобретение относится к электратехни 1 ке и может быть использовано для управле; ния силовыми транзисторами истОчникОВ вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуРы.Цель изобретения - повышение надек. -ности путем формирования запирающего напряжения на управляющем переходе силового транзистора на этапе паузы при фор, мировании напряжения с шин,На фиг. 1 представлена схема предлагаемого усройса; на фиг,2 - эпюры, поясняющие работу устройства.Устройство для управления силовыми ; транзисторами 1 и 2 содержит два трансформатора 3 и 4 управления, первичные Об:мотки 5 и 6 которых сое,цинены : последовательно и через регулируемый ре, зистор 7 подключены к источнлку 8 управ-ляющего сигнала, вторичнь 1 е обмотки 9 и 10трансформаторов 3 и 4 управления через . базовые резисторы 11 и 12 подключены к , соответствующему переходу транзистора 1и 2. Другие вторичные обмотки 13 и 14трансформаторов 3 и 4 управления подключены к формирующим диодам 15 и 16 так, что эти диоды оказываются вклоченными встречно-параллельно управляющему переходу транзисторов 1 и 2 и приведенными через коэффициент трансформации,Изменяя число витков обмоток 13 и 14можно изменять шунтирующее деиствие формирующих диодов 15 и 16 и добиватьсятого, чтобы приведенное прямое падениена каждом из них было меньше прямого падения на управляющем переходе транзистора,Устройство работает следующим образом.На последовательно соединенные первичные обмотки 5 и 6 трансформаторов 3 и4 управления через регулируемый резистор 7 поступают двуполярные управляющие импульсы от источника 8. Импульсы, снимаемые с вторичных обмоток 9 и 10 через базовые резисторы 11 и 12 подаются на управляющие переходы транзисторов 1 и 2, обеспечивая поочередное включение и насыщение этих транзисторов, Импульсы, снимаемые с вторичных обмоток 13.и 14, поступают на формирующие диоды 15 и 16,которые шунтируют управлиощий переход соответствующего транзистора 1 и 2 во время действия запирающего напряжения и одновременно формируют запирающее напряжение на управляющем переходе ранэистора, находящегося в состоянии отсечки,При включении транзистора 1 отпирающим сигналом с вторичной обмотки 9 тоансдорма гора 3 управления. формирующий ди-, Од 15 не оказывает шунтирующего влияния на работу транзистора 1, так как полярность напряжения на обмотке 13 такова, что формирующий диод заперт, Полярность напряжения на вторичной обмотке 14 в этот момент времени для формирующего диода 16 является отпирэющел и он шунтирует первлчную обмотку 6 трансформатора 4 управления, Таким образом, все управляющее напряжение оказывается приложенным к первичной обмоткек 5 трансформатора 3 упоавления и регулируемому резистору 7, изменяя величину которого можно регулировать скорость насыщения трансформатора 3, ПО мере нась дения трансформатора 3 управления и увеличения его тока намагничивания напряжение на его обмотках 9 и 13 уменьшается, что приводит к снижению и уменьшению до нуля базового тока транзистора 1.При включении силовогс транзистора 2 отпирающим сигналом с вторичной обмотки 10 трансформатора 4 управления на обмотке 13 появляется отпирающее для формирующего диода 15 напряжение, а на Обмотке 14 появляется напрякение, являющееся запирающим для транзистора 1, Так как поямое падение напрякения на диоде меньше, чем г рямое падение напряжения на управляющем переходе транзистора, то за счет того, что вольт-секундные площади трансформатора управления эа каждые пол-периода должны быть равнь 1, на управляющем переходе транзистора 1 на интервале Т/2 - Т формиоуется гарантированное отрицательное напряжение по амплитуде меньшее, чем управляющее, исключаощее возможность повторного вклгочения этого тра эистора на интервале 12-Т, что повышает надежность работы инвертора (фиг,2),Формула изобретенияУстройство для управления силовыми транзисторами двухтактного инвгртора, содержащее источник управляющего сигнала, один из выводов которого подключен через регулируемый резистор к Одному иэ выво,цов первичной обмотки первого трансформатора упоавления, содержащего две вторичные обмоки, одна иэ которых через первый базовый резистор подключена к управляющему переходу первого силового транзистора, второй трансформатор управления с первичной обмоткой и двумя вторичными Обмотками, два формирующи: диода и второй базовый резистор, О т л и ч а к) щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности путем формирования запирающего напряжения1601718 Составитель В.Хандогинедактор М,Бланар Техред М.Моргентал Корректор Т.Палий Заказ 3276 ВНИИ ПИ Государствен 113ираж 500 Подписное го комитета по изобретениям и открыт 5, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ГКНТ СС Производст издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 на управляющем переходе силового транзистора на этапе паузы при формировании напряжения с шин, другой вывод источника упоавляющего сигнала через первичную обмотку второго трансформатора управления подключен к другому выводу первичной обмотки первоо трансформатора управления, первый формирующий диод подключен через другого вторичную обмотку первого трансформатора управления встречно-параллеьно управляющему переходу первого силового транзистора, одна из вторичных обмоток второго трансформатора управления через второй базовый резистор подключена к 5 управляющему переходу второго силовоготранзистора, а второй формирующий диод подключен через другую вторичную обмотку второго трансформатора управления встречно-параллельно управляющему переходувто оого силового транзистора.