Устройство для измерения напряженности высокочастотного электромагнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1589221
Авторы: Кологривов, Курдюмов
Текст
(19) 1111 51)5 С 01 В 29/08 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН мате,т.1 ИЯ НАПРЯЛЕКТРОМАГтехнике омагнит 1 А1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕпО изОБРетениям и ОтнРытГ 1 РИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНЖЕННОСТИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ЭНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение относится кСВЧ, в частности к УВЧ-терапии и нмированию и защите от электр ного излучения, Цель изобретенияобеспечение измерений в проводягдхсредах. Устройство для измерения напряженности высокочастотного электромагнитного поля содержит полупроводниковый диод 1 с выводами 2, образующими электрически короткую вибраторную антенну 3, два электрода 5, отрезок двухпроводной линии б и регистрирующий прибор 7. Цель достигаетсятем, что электроды 5 размещены в одной плоскости с полупроводниковымдиодом 1 по разные стороны от негона расстоянии не менее двухкратнойглубины проникновения электромагнитного поля в проводящую среду 4. 2 ил.Изобретение относится к техйикеСВЧ - измерений и может быть использовано в областях УВЧ-терапии и нормирования и защиты от электромагнитных излучений.Бель изобретения - обеспечение измерений в проводящих средах.На фиг.1 представлена схема устройства для измерения высокочастотногоэлектромагнитного поля в проводящихсредах; на фиг,2 - вариант расположе,ния диода и электродов.Устройство содержит полупроводниковый диод 1 с выводами 2, образующими короткую вибраторную антенну 3,проводящую среду 4, два электрода 5,отрезок двухпроводной линии 6, регистрирующий прибор 7, антенну 8, СВЧгенератор 9,Устройство для измерения напряженности высокочастотного электромагнитного поля работает следующимобразом.При воздействии на проводящуюсреду 4 высокочастотного электромаг-нитного поля (ЭПМ) на выводах 2 на.водится сигнал, который после детектирования диодом 1 поступает черезпроводящую среду 4, электроды 5 иотрезок двухпроводной линии 6 к регистрирующему прибору 7. Размещениеэлектродов 5 от диода 1, на расстояниях превышающих двукратную глубинуlпроникновения ЭМП в проводящую среду, обеспечивает минимальные искажения ЭМП в месте расположения диодаза счет отраженных от электродовволн, Укаэанный критерий расположения обеспечивает ослабление отраженных волн более, чем в Ь раз по ЭМП,8при этом непринципиально в силу малых размеров диода с его выводамиотсчитываются ли расстояния от электродов до центра диода или до еговыводов.Развязка измерительного низкочастотного прибора от высокочастотногосигнала может достигаться любымиизвестными средствами (ФНЧ навходе прибора, экранирование элек"тродов с помощью поглощающих материалов), Электроды располагаются поразные стороны от диода, в одной сним плоскости. Необходимо избегатьрасположения электродов на линии,перпендикулярной оси диода, таккак разность потенциалов на этойлинии в среде отсутствует. Устройство может быть использованц, как для изучения распределенияЭМП в моделях биологических объектов, 5 содержащих проводящие жидкие среды,так и для непосредственного измерения ЭМП .в биообъектахВ первом случае габариты используемого полупроводникового диода огра ничиваются лишь требуемым пространственным разрешением измеряемогоЭМП, а сам диод может располагатьсяи перемещаться в модели с помощьюлюбых средств, не вызывающих искаже ния ЭМП ( например, нить или тонкостенная диэлектрическая трубка, заполненная средой со свойствами, аналогичными измеряемой и т,п.)При втором варианте использования 20 предлагаемого устройства габариты диода должны быть выбраны минимальнымидля обеспечения возможности введенияего в ткань биообъекта ( например,с пбмощью шприцевой иглы) и незначи тельного йарушения целостности ткани, В качестве такого диода могутбыть использованы полупроводниковыечипы.Что касается измерительных электродов, то в первом варианте использования их конфигурация не имеет значения, а гальванический контанкт сосредой осуществляется небольшим (23 мм) погружением в среду на расстояниях от диода, указанных в формулеизобретения. Если же измеряется ЭМПв биообъекте, то можно использоватьстандартные электроды, применяемыев электрокардиографии, размещаемыев областях биообъектов, не подвергаемый воздействию внешнего ЭМП.Формула изобретенияУстройство для измерения напряженности высокочастотного электромагнит ного поля, содержащее короткую вибраторную антенну, к которой подключенывыводы полупроводников;.: диода, последовательно соединенные отрезок двухпроводной линии и регистрирующий при бор, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что,с целью обеспечения измерения в проводящих средах, введены два электрода, расположенных в одной плоскости сдиодом, по разные стороны от него иарасстоянии не менее двукратной глубины проникновения исследуемого электромагнитного поля в проводящую среду,и соединенных с отрезком двухпровод-,ной линии.1589221 Фи Составитель А,МихайловаРедактор Л.Пчолинская Техред М,Дндьи Корректор Т.Малец Чс и при г, Ужгород, улГагарина, 10 ате каз 2539 Тираж 557НИИПИ Государственного комитета по изобретени 113 О 35, Москва, Ж, Раушская Производственно-издательский комби дписно и откр аб., д кана еага
СмотретьЗаявка
4479842, 29.08.1988
ИНСТИТУТ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ
КУРДЮМОВ ОЛЕГ АРКАДЬЕВИЧ, КОЛОГРИВОВ АНАТОЛИЙ ГЕОРГИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 29/08
Метки: высокочастотного, напряженности, поля, электромагнитного
Опубликовано: 30.08.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1589221-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-napryazhennosti-vysokochastotnogo-ehlektromagnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения напряженности высокочастотного электромагнитного поля</a>
Предыдущий патент: Способ контроля параметров диэлектриков, имеющих цилиндрическую форму
Следующий патент: Устройство для измерения амлитудно-фазового распределения поля антенны
Случайный патент: Способ закалки изделий