Индуктор для магнитно-абразивного полирования
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1570882
Авторы: Весновский, Голинец, Кириченко, Черников, Шляго
Текст
(57) Изобретение относится к абра обработке материалов, Целью изобр является повышение производительнос чества обработки и упрощение констр При движении индуктора в виде пл постоянного магнита 1 относительно батываемой поверхности магнитореоло кая абразивная суспензия, нанесенн рабочую поверхность магнита и отвер щая в отверстиях 2, осуществляет материала изделия. 3 ил. РА и педацена и ческое зводстная и их ин,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТформула изобретения 40 45 50 зИзобретение относится к абразивной обработке материалов, в частности к индукторам для магнитно-абразивного полирования.Цель изобретения - повышение производительности, качества обработки и упрощение конструкции за счет повышения давления и скорости обработки вследствие повышенной прочности магнитореологической суспензии, наносимой на рабочую поверхность инструмента.На фиг. 1 показана активная часть индуктора в виде плоского магнита с отверстиями, вид сверху; на фиг. 2 - картина магнитного поля плоского магнита без отверстий; на фиг. 3 - то же, с отверстиями.Индуктор для магнитно-абразивного полирования состоит из корпуса (не показан) и активной части в виде плоского магнита 1 с отверстиями 2. Верхняя грань магнита 1 является рабочей поверхностью индуктора, на которой размещается слой магнитореологической абразивной суспензии (не показан).Устройство ра ботает следующим образом.Магнитореологическая абразивная суспензия наносится на рабочую поверхность магнита 1 равномерным слоем, попадая при этом и в отверстия 2. В магнитном поле индуктора (магнита 1) суспензия отвердевает, при этом в ней фиксируется положение абразивных частиц. Далее в зависимости от схемы обработки инструменту или детали сообщается вращательное или другое движение. Движение (или разные виды движений) может быть сообщено как детали, так и инструменту. В любом случае при возни к нове ни и относительного пере мещени я обрабатываемой поверхности и инструмента происходит съем материала изделия абразивными частицами. Величина съема и качество обработки определяются при прочих равных условиях давлением на инструмент и скоростью относительного перемещения изделия и инструмента, что, в свою очередь, зависит от интенсивности и однородности магнитного поля, обеспечивающего однородность свойств и устойчивость магнитореологической суспензии. Линии 3 магнитного поля плоского магнита 1, намагниченного в направлении, указанном осевой стрелкой, показаны на фиг. 2. Магнит не имеет отверстий, поэтому все магнитные линии проходят в теле магнита в направлении его намагниченности и огибают края магнита, замыкаясь вне объема, занятого магнитным материалом, т. е. по немагнитной среде. Вследствие 5 10 15 20 25 30 35 большого магнитного сопротивления этой среды интенсивность магнитного поля оказывается весьма слабой.На фиг, 3 показаны короткие пути замыкания магнитного потока в магните 1, имеющем отверстия 2, Здесь также, как и в случае целого магнита (фиг. 2), в теле магнита 1 линии 4 магнитного поля проходят в одном направлении (фиг, 3) вектором намагниченности. Однако вследствие наличия в магните 1 отверстий 2 линии 4 магнитного поля получают физическую возможность замыкаться по гораздо оолее коротким путям, чем в случае целого магнита. Укорочение пути магнитных линий сопровождается почти пропорциональным увеличением магнитного потока.Таким образом, при прочих равных условиях в магните с отверстиями достигаются три преимущества: рост интенсивности поля (магнитного потока); укорочение межполюсного расстояния; сокращение расхода дефицитного магнитного материала, так как отверстия в магнитах могут быть выполнены при их изготовлении. Это обеспечивает упрощение конструкции при толщине слоя суспензии 2 - 5 мм (практически весь диапазон применяемых толщин), существенное уменьшение напряженности магнитного поля на поверхности слоя суспензии, приводящее к вдавливанию абразивных частиц вглубь слоя и утрате его поверхностью абразивных свойств, наступает, если расстояние между осями в магните меньше, чем 1,5, и больше чем 3 толщины слоя магнитореологической суспензии. Внутри указанного диапазона, включая и его предельные значения, абразивная суспензия устойчива и обеспечивает высокопроизводительную обработку при заданном качестве поверхности. Индуктор для магнитно-абразивного полирования немагнитных материалов, содержащий магнитную систему с плоской рабочей поверхностью и выполненными на ней концентраторами магнитного потока, отличаюиийся тем, что, с целью повышения производительности, качества и упрощения конструкции, индуктор выполнен в виде плоского постоянного магнита, направление намагниченности которого перпендикулярно его рабочей поверхности, а концентраторы выполнены в виде сквозных отверстий, оси которых параллельны направлению намагниченности.Составитель Ю. ПинчукРедактор М. Келемеш Техред А. Кравчук Корректор М. СамборскаяЗаказ 1478 Тираж 611 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж - 35, Раушская иаб., д. 4,5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О
СмотретьЗаявка
4377483, 12.02.1988
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. И. ГЕРЦЕНА, ОПЫТНО-КОНСТРУКТОРСКОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО "КРИСТАЛЛ" С ОПЫТНЫМ ПРОИЗВОДСТВОМ
ЧЕРНИКОВ ЮРИЙ ЛЬВОВИЧ, ШЛЯГО ЮРИЙ ИВАНОВИЧ, ВЕСНОВСКИЙ НИКОЛАЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ГОЛИНЕЦ ЕЛЕНА МИХАЙЛОВНА, КИРИЧЕНКО ЮРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B24B 31/10
Метки: индуктор, магнитно-абразивного, полирования
Опубликовано: 15.06.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1570882-induktor-dlya-magnitno-abrazivnogo-polirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Индуктор для магнитно-абразивного полирования</a>
Предыдущий патент: Устройство для обработки наружных цилиндрических поверхностей
Следующий патент: Способ абразивной обработки деталей и устройство для его осуществления
Случайный патент: Способ получения 7-хлор-1-(2-диэтиламиноэтил)-5-(2 фторфенил)1, 3-дигидро-2н-1, 4-бензодиазепин2-он моногидрохлорида