Транзисторный ключ

СООЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУ БЛИН 9968 ЯО 156 1)5 Н 03 К 17/60 ОПИСАНИ И,С.Г53)56)438Ти тельство СС 17/60, 197 Полупровод М Мир, 9 ико 4) 7) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГТИЯПРИ ПНТ СССР Ч АВТОРСКОМУ СВИДЕ 4474077/24-2105.08.8807.06.90, Бюп. М 21Московскии институт радиотехнлектроники и авт иД.В.Игумнов, В.А.Масловский,ромов и Е. арковский621.382 (О 8)Авторское свиде СР114, кл. Н 03 К 3,тце У., 1 денк К, нхемотехника. 83,рис, 8.3 б. РАН ЗИСТОРНЫИ КЛЮЧзобретение относится к импульсхнике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах.Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и термостабильноститранзисторного ключа - достигаетсяпутем создания запирающего напряжения на его входе. При отсутствиивходного напряжения на шине 14 транзисторы 1 и 2 закрыты. Через резистор 7 и диод 9 заряжается конденсатор 11. При положительном напряжении входного сигнала на шине 14 транзисторы 1 и 2 открыты. От конденсатора 11 через открытый транзистор 2и диод 8 заряжается конденсатор 10.С него отрицательное напряжение чере делитель на резисторах 4 и 6 поступает на базы транзисторов 1 и 2. 1 ил, ЖИзсбретецце отцосится к импульсной технике и может быть испол.ьзовацс в цифровых интегральных схемах.Цель изобретения - повьппение гомехоустоттчттности и термостабильцостиграцзисторного ключа за счет создания запирающего напряжения ца егсвходеНа чертеже представлена схематранзисторного ключа.Транзисторчый ключ содержит вь;хадной и дсполтттзтельтьпз транзисторы 1и 2, пять резисторов 3-7, первый ин горан дисцо г и,вы.т и Вч аронконденсаторы 1 ст и 11, причем кол,тектор выходного транзистора подклю тек выходной шине 12 ц через рсзис"ор3 к шине 13 питтттття, база ыходнсг отранзистора 1 соединена с первым выводом второго резистора 4 и черезтретий резистор 5 с входной шитот14, второй вывод второго резистора 4подключен к эмиттеру выходного тэацзистора 1 и общей шине 15, база .тополнительного транзистора 2 соединена с первым выводам нторсго резистора 4 и через четвертый резистор 6 спервым выводом первог;, диода 8 и одним выводом первого конденсатора 10,другой вывод которого подключен кзмиттеру дополнительного транзис тора 2, общей шине 15 и через втог ойдиод 9 к второму выло,ту:тервого диода 8 и одному выводу нтстрого котденсатора 11, другой вывод каторогттсоединен с коллекторов дополнительного транзистора 2 и через пятьитрезистор 7 с шиной 13 питанияТранзисторный ключ работает следующим образом.Выходной транзистор 1 с ре:зи"тс -ром 3 образуот основной, а,цопознительный транзистор 2 с резистором 7-,ополнительный транзистсрцые клочи.При отсутствии входного напряженияпине 14 транзисторы " и 2 должныь закрыты, В результате выходноенапряжение на шине 12 близко к напряжению источника питатля Е к. Вэтом случае через резистор 7 и диод9 будет происходить заряд коцдснсатора 11 до напряжения, бпизксгс к ЕПри положительном назрятк цт :входного сигнала на шине 1-, транзисторы 1 и 2 открыты. В результате ныходнов напряжение на шине 12 близкок нулю, При этом напряжение конденсатора 11 через открыттпй транзистор50 срмупа из обретенияТранзисторный ключ, содержащий выходной транзистор, первый второй и третий резисторы, коллектор выходцсго транзистора подк:цочен к выходной шине и через первый резистор к тпттце питания, база выходного транзистора соединена с первым выводом второго резистора и через третий резистор с входной шиной, второй выходвторого резистора подключен к эмиттеру вь,".ходного транзистора и обш . г не,отличающийся тем, что, с целью ланьщения помехоустойчивости и термостабильнасти, введецы дополнительный транзистор, первый и второй диоды, первый и второй кон:те.сатооьт четертьг: и;ятый резиг 2 и диод Й буде г заряжать конденсатор 10 так, что ца его сбк:талке,птспкпючеццой к аноду диода 8, образуетс я отрицательное напряжение (относитептпто общей пины 15), Это отрицательное напряжение через делгель,состоящий из резисторов 4 и б, постутастт ца базы траэ"торов 1 и 2,выполняя рспь заттираюптего напряжениясьтеттенття Е, С помощью резисторов4 и б реализуется ттеобходимая величина Е ,Таким образом, порог открываниятранзисторного ключа будет увеличенна значение Ес, чем и осуществляетсяпонышецие его помехозащищеццости.За счет испопьзоватпзя запирающегоЕ, транзисторы 1 и 2 будут надежнозаперты (при отсутствии рабочихвходных сигналов) даже при относительна высоких температурах, поскольку Е будет компенсировать влияниеСиположительных лотеттциапов ца базахтранзисторов 1 и 2, во тикающих вследствие возрастания обратных токов переходов и других неуправляемых тепловых токов в схеме,Устройство использует пип:ь одинисточник питания и относительнопросто реализуется в виде интегральной схемы (при значительном количестве транзисторных ключей, ттспопьзутощих Емогут быть применены навесные конденсаторы)Помехоустойчивость и термостабильцссть предлагаемогтранзисторногоключа, ньппе, 1.м у известных, за счетсоздания запирающего напряжения ца40его входе.Составитель Д.ИвановТехред М.Ходанич Корректор М.КУчеРЯваЯ Редактор В,Бугренкова Заказ 1457 Тираж 672 ПодписноеИНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101 торы, причем база дополнительноготранзистора соединена с первым выводом второго резистора и через четвертый резистор с первым выводом первогодиода и одним выводом первого конденсатора, другой вывод которого подключен к эмиттеру дополнительного транзистора, обкй шине и через второй диод к второму выводу первогодиода и одному выводу второго конден"сатора, другой вывод которого соединен с коллектором дополнительноготранзистора и через ятьй резисторшиной питания.