Многоустойчивый полупроводниковый прибор

Изобретение относится к полупроводниковой технйке, а именно к приборам,вольт-амперные характеристики которыхимеют несколько участков с отрицательной дифференциальной проводимостью.Цель изобретения - расширение области применения прибора эа счет увеличения разнообразия возможных вольтамперных характеристик и полученияпроизвольного (четного или нечетного)количества участков с отрицательнойдиФференциальной проводимостью.На фиг, 1 изображена принципиальная электрическая схема многоустойчивого полупроводникового прибора; наФиг. 2 - семейство вольт-амперных характеристик прибора,Многоустойчивый полупроводниковыйприбор (фиг. ) содержит первый 1, 2 Овторой 2 и третий 3 внешние выводыприбора, биполярный транзистор 4 первого типа проводимости и первый нор-."мально открытый полевой транзистор 5с каналом первого типа проводимости, 25затвор транзистора 5 соединен с коллектором биполярного транзистора 4 ипервым внешним вшводом 1 прибора, исток полевого транзистора 5 соединен стретьим внешним выводом 3 прибора 3 Осток полевого транзистора 5 соединенс базой биполярного транзистора 4,эмиттер последнего соединен с вторым внешним выводом 2 прибора, трипараллельно включенные Формообразую 35щие цепочки, каждая из которых состоит из последовательно включенныхнормально закрытого и нормально открытого полевых транзисторов 6 и 7,8 и 9, 10 и 11, затворы полевых 4 Отранзисторов каждой формообразующейцепочки соединены с коллектором биполярного транзистора 4, исток нормально открытого полевого транзистора каждой формообразующей цепочки 45соединен со стоком нормально закрытого полевого транзистора этой же цепочки, истоки нормально закрытых полевых транзисторов каждой цепочки соединены с третьим внешним выводом 3прибора, а стоки нормально открытыхполевых транзисторов каждой цепочкисоединены с базой биполярного транзистора 4 и стоком полевого транзисто-.ра 5,55Полупроводниковый прибор работаетследующим образом,К внешнему выводу 1 прибора прокла"дывает напряжение положительной полярности У относительно внешнегоВнвывода 2 прибора, к внешнему выводу 3прибора - напряжение положительнойполярности У относительно внешнеговывода 2 прибора, Величина напряжениявырабатывается из расчета получения необходимого тока через биполярный транзистор 1При увеличении напряжения П отнуля до значения У соответствующего напряжения отсечки транзистора 5,происходит размыкание цепи базы транзистора 4 г ток коллектора послед-него начинает спадать. На вольт-ампер.ной характеристике образуется участокс отрицательной дифференциальной проводимостью, транзисторы 6, 8 и 1 О вэтот момент заперты. В следующий момент времени напряжение Пдостигает значения; У соответствующего пороговому напряжению нормально закрыто"го полевого транзистора 6, происходитотпирание тринзистора 6, цепь базытранзистора 4 замыкается и ток коллектора последнего начинает возрастать.При увеличении напряжения Пдо значения Б , соответствующего напряжениюотсечки транзистора 7, последний запирается, цепь базы биполярного транзистора 4 размыкается и ток через приборначинает спадать. Продолжая увеличиваться, напряжение Б.э достигает значения 0, соответствующего пороговомунанряжению транзистора 8,.который открывается.,цепь базы биполярного транзистора 4 замыкается и ток через прибор начинает возрастать, .При достижении напряжением Бзначения У- соответствующего напряжению отсечки транзистора 9, последний закрывается,цепь базы биполярного транзистора 4 .размыкается и ток коллектора последнего начинает спадать. формируетсяочередной участок вольт-амперной характеристики с отрицательной дифференциальной проводимостью, Формированиеследующего участка с отрицательнойдифференциальной проводимостью припомощи пары транзисторов 1 О и 11 происходит аналогичным образом,На фиг, 2 показано семейство вольтамперных характеристик прибора, Сплошной линией показана вольт-амперная характеристика для У =У ц штрихо Р 1 фвой линией - вольт-амперная характеристика для 13 Р =У р , причем У , ( 1 пр155411формула изобретения Многоустойчивый полупроводниковый прибор содержащий биполярный транЭ5 зистор первого типа проводимости и первый нормально открытый полевой транзистор с каналом первого типа проводимости, затвор первого полевого транзистора соединен с коллектором 10 биполярного транзистора и первым внешним выводом прибора, эмиттер биполярного транзистора соединен с вторым - внешним выводом прибора, исток первого полевого транзистора - с третьим внешним 15 выводом прибора, сток первого полевого транзистор а - с баз ой биполярного транзистора, о тли чающий ся тем, что, с целью расширения области применения прибора за счет увеличе ния разнообразия возможных вольтамперных характеристик и увеличения количества участков с отрицательной дифференциальной провЬдимостью, .в него введены и параллельно включенных фор мообраэующих цепочек, каждая из которых состоит из нормально открытого полевого транзистора с каналом первого типа проводимости и нормально закрытого полевого транзистора с кана лом второго типа проводимости причем затворы полевых транзисторов каждой Фармообразуюшей цепочки соединены 2 6с коллектором биполярного транзистора и первым внешним выводом прибора,исток . нормально открытого полевоготранзистора каждой формообразующейцепочки соединен со стоком нормально закрытого полевого транзистораэтой же цепочки,о истоки нормальнозакрытых полевых транзисторов, каждой формообразующей цепочки соединены с третьим внешним выводом прибора,а стоки." с базой биполярного транзистора, при этом величины напряжений отсечки У , нормально открытыхполевых транзисторов и пороговых напряжений У ,р нормально закрытых полевых транзисторов каждой формообразующей цепочки соответствует следующимсоотношениям;Упер; У поР н 1ВУпор; т У поР 1Ьотс Уотс нтюа тКУотс 1У ото 1У поР 1 УпоР;,1уУотс ,т ( Упор;где КК Кз- любые вещественныечисла, большие единицы ономер цепочки;Уотс- напряжение отеечки первого полевого транзистора,