154940

Номер патента: 302818

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Патентно, Стоцкий

МПК: H03K 7/02

Метки: амплитуды, импульсов, магнитный, модулятор, регулировкой

...исных передатчиках,Известные магнитные модуляторы с регулировкой амплитуды импульсов при помощи двух 5дросселей с насыщающимися сердечниками,снабженными обмотками подмагничивания,требуют использования мощных потенциалрегуляторов, что усложняет схему модулятора,Цель изобретения уменьшение величины 10тока подмагничивания и упрощение схемы модулятора,Для этого переключающие дроссели первого звена предлагаемого модулятора соединены последовательно и поляризованы в противоположных направлениях.На чертеже приведена принципиальнаяэлектрическая схема первого звена предлагаемого устройства.Для плавного регулирования амплитуды 20импульсов, вырабатываемых магнитным модулятором, в его первом звене используютсядва идентичных переключающих дросселя...

Номер патента: 105617

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Волков

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитуды, вольтметр, импульса, катодный, одиночного, электрического

...на входах, емкорых увеличиваются от каскакаду в направлении от вхометра к выходу. 1 зобретенм о д,1-1 а чертеже показана схема предложенного вольметра. Ее четыре каскада выполнены по схеме катодных повторителей. Первый - входной каскад стабилизирует зарядный режим запоминаюшего конденсатора С, и снабжен катодным сопротивлением - электронной лампой Л,. Второй и третий каскады служат для зарядки запомина 1 ощих конденсаторов Си С В чет. пелью уэлектросколькипых повтели свяды с кости котода к касда вольт дным туды чьса. меетаря, через элек- ыхо- тельвертый - выходной каскад включен э;1 ектронзмернтсльныЙ прибор Л, по казы вающий амплитуду одн 1 ючного импульса. Связь между каскадами осуществлена через диоды ЛЛ. и Л .Так как емкости...

Номер патента: 251964

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Василенко

МПК: H03K 25/04

Метки: импульсов, магнитный, накопительный, счетчик

...устройства. К моменту поступления первого импульса сердечник находится в состоянии отрицательной остаточной намагниченности. Начальный уровень коллекторного тока, обеспечивающий достаточно высокие значеш 1 я коэффициента усиления транзистора Т 1, создается251964 Составитель Л. В. СкобелеваРедактор Л. А. Утехина Техред 3, П, Тараненко Корректор А. П, Василье аказ 22/12 Тираж 480 ПодписноеНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунов входным импульсом при превышении некоторого уровня. При этом возникает лавинообразный процесс открывания транзистора Т 1, вследствие чего напряжения питания - Е прикладывается к обмотке записи й.", на время, определяемое...

Номер патента: 485389

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Захаров, Лешков

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитуды, вольтметр, импульсов, одиночной, серии

...длительности измеряемых импульсов. По ,ложительное напряжение на конденсаторе 10 будет приложено к катоду диода 6 и последующие импульсы в пачке не смогут дозарядить конденсатор 10 через диодноконденсаторный канал и для последующих импульсов в пачке этот канал как бы исключается из работы. Напряжение с конденсатора 10 через выходное устройство 5 поступает на один из входов чувствительного 5 амплитудного дискриминатора 1, Иа последнем происходит сравнение амплитуды импульсов в пачке с постоянным напряжением на конденсаторе 10. На выходе амплитудного дискриминатора появляется перепад напряже ния, который усиливается усилителем 2 и поступает на запуск генератора 3, с выхода которого импульсы, нормированные по амплитуде и длительности, через...

Номер патента: 892323

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Алексеев, Андреев, Камышный

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитуды, импульса, одиночного, регистрации, уровня

...и импульсов тока (с ), протекающих через эти приборы при пробое (для каждой экспериментальной точки зависимости испытывалось 10 приборов), пунктирной линией показан доверительный интервал велицины Р с надежностью 0,9; на фиг. 2 - статистически усредненная зависимость Р = т(а) для транзисторов ИП 15 А, построенная в координатах (Р1/)Аналогицные зависимости (с другими диапазонами вели ци ни Рос ) получены при испытаниях диодов Д 220, 1 Д 507 Р, 2 Д 104, Д 503 и др.,а также транзисторов П 210, ИП 16, 1 Т 806,А,Б,В, 1 Т 403 и др.Способ осуществляют следующим образом.Через полупроводниковый элемент пропускают импульс тока, вызывающий его необратимый тепловой или лавинно- тепловой пробой, измеряют остаточное сопротивление...