Устройство перемножения аналоговых сигналов

(5 ц 4 Н 03 В 19/00 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН тегральвского -АН радиозовано одуля" зобре- ремно- частотГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(57) Изобретение относится ктехнике и связи и м.б. исполдля построения интегральныхторов и демодуляторов. Цельтения - повышение точности пжения сигналов и обеспечение ной избирательности по одному извходов второго сомножителя, Для достижения цели в устр-во, содержащеетранзисторы 1"8 и источник 11 тока,введены токовое зеркало 9, частотнозависимый элемент 10 и дифференциальный усилитель 12, Базовые токи транзисторов 1-6 благодаря высокому коэффициенту усиления усилителя 12 невлияют на напряжение между вторым итретьим входом второго сомножителя,что способствует увеличению точности перемножения аналоговых сигналов.Формирование частотной х-ки коэдфициента передачи второго сомножителяосуществляется с помощью частотнозависимого элемента 10. 1 ил.Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано для построения интегральных модуляторов и демодуляторов.Цель изобретения - повышение точности перемножения сигналов и обеспечение частотной избирательностипо одному из входов второго сомножителя. 1 ОНа чертеже представлена структурная электрическая схема устройстваперемножения аналоговых сигналов.Устройство перемножения аналоговых сигналов содержит первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4, пятый5, шестой 6, седьмой 7 и восьмой 8транзисторы, токовое зеркало 9, частотно-зависимый элемент 10, источник11 тока и дифференциальный усилитель12.Устройство перемножения аналоговыхсйгналов работает следующим образом.Разность токов на первом и второмвходах второго сомножителя протекает 25через частотно-зависимый элемент 10,Образующееся при этом напряжениесравнивается с напряжением на третьем входе второго сомножителя, с первого и второго выходов дифференциального усилителя 12 усиленный сигнал поступает на базы транзисторов5 и 6. При этом разность токов транзисторов 5 и 6 устанавливается такой,чтобы компенсировать разность токовна первом и втором входах второгосомножителя и уравнять напряжения напервом и втором входах дифференциального усилителя 12. Транзисторы 7 и 8отводят синфаэный суммарный выходной40ток дифференциального усилителя 12.Таким образом11 аа = Па,ъ - (.(1 ъх 1, )+,+ (1 К 6 1 К 5Е о ргде У, Б з - напряжение на втором45и третьем входахвторого сомножителя;11- выходные токи напервом и втором входах второго сомножителя;501 , 1 б - токи коллектора транзисторов 5 и 6;Е О - сопротивление частотно-зависимого элемента 10, 55Напряжение между базами транзисторов5 и 6К 5Ь Б =Ь 656 1, ф Это же напряжение приложено к базам первого и второго транзисторов 1, 2 и разность выходных токовДП 5 6 1 к 1 к 6Д 1, =Д 1,0 п - = 1- эбыкЧГ 144 где Д 1 - разность токов на первом ивтором входах первого сомножителя;1 н - ток источника 11 тока.Если третий вход второго сомножителя соединен с общей шиной, а сигнал Д 1 поступает на первый и второй вход второго сомножителя, то разность выходных токовД 1 Д 1Д 1ЬыМПри этом базовые токи транзисторов 1 - 6 благодаря высокому коэффициенту усиления дифференциального усилителя 12 не влияют на напряжение ,между вторым и третьим входом второго сомножителя, что способствует увеличению точности перемножения аналоговых сигналов.При подаче сигнала на третий вход второго сомножителя в виде напряжения (токи на первом и втором входах второго сомножителя равны нулю) разность выходных токовД 1 Пз Вы 12,При этом Формируется характеристика коэффициента передачи второго сомножителя с помощью частотно-зависимого элемента 10,Формула и э о б р е т е н и яУстройство перемножения аналоговых сигналов, содержащее первый, второй, третий, четвертый, пятый, шестой, седьмой транзисторы и источник тока, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, коллектор которого соединен с коллектором третьего транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, коллектор которого соединен с коллектором первого транзистора, база первого транзистОра, соединена с базой третьего транзистора, база второго транзистора соединена с базой четвертого транзистора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что с целью повышения точности перемножения сигналов и обеспечения частотной изКорректор ТПалий Редактор Л.Пчолинская Заказ 7757/53 Тираж 884 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям прн ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 бирательности по одному из входоввторого сомножителя, введены токовоезеркало, дифференциальный усилительи частотно-зависимый элемент, выход которого соединен с общей шиной,второй вывод частотно-зависимого элемента соединен с выходом токовогозеркала, с коллектором пятого транзистора % с первым входом дифференциального усилителя, первый выход которого соединен с базами первого ипятого транзисторов и с коллекторомседьмого транзистора, второй выходдифференциального усилителя соединен с базами второго и шестого тран- зисторов и с коллектором восьмого транзистора, первый вывод источника тока соединен с эмиттерами пятого и шестоготранзисторов и с базами седьмого и восьмого транзисторов, эмиттеры которых соединены с вторым выводом источника тока и с шиной питания, эмиттеры первого и третьего транзисторовявляются соответственно первым ивторым входами сигнала первого сомножителя, коллектор шестого транзистора соединен с входом токового зеркала и является первым входом сигнала второго сомножителя, первый ивторой входы дифференциального усилителя являются соответственно вторыми третьим входами сигнала второгосомножителя, коллекторы первого итретьего транзисторов являются соответственно первым и вторым выходамиустройства перемноаения аналоговыхсигналов.