Полупроводниковый ключ

,8 17 6 АНИЕ ЕТЕНИЯ В ГОРСКОМ ЕЛЬСТВ Хд 20 Л.А. Ц вский У 3821596,979.2260368,72 (прототип проводимос которого з коллектор клемме, дв одов, две выходную кл вичных обмо чены к общетст ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИ(54)(57) ПОдержащий тр ЛУПРОВОДНИКОВЬИ КЛЮЧ, соанзистор, например, и - р - о и, переход база - эмиттер шунтирован резистором, а одключен к первой выходной трансформатора, пять диходные клеммы и вторую емму, причем начала перток трансформаторов подклюй шине, а концы - к соотвходным клеммам, начало вторичной обмотки первого трансформатора через прямовключенный первыйдиод соединено с базой транзистора,а конец - с эмиттером транзистора,начало вторичной обмотки второго трансформатора соединено с анодом второго диода, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения надежности и снижения уровня помех, введенконденсатор, первый вывод которогосоединен с базой транзистора и концомвторичной обмотки второго трансформатора, при этом анод третьего диодаподключен к эмиттеру транзистора,второй вывод конденсатора соединенс второй выходной клеммой, катодамивторого и третьего диодов и анодомчетвертого диода, катод которого подключен к коллектору транзистора икатоду пятого диода, анод которогосоединен с анодом второго диода.Изобретение, относится к автоматике и вычислительной технике и можетбыть использовано, в частности, вустройствах отображения информации,выполненных на базе газоразрядныхпанелей переменного тока,Известен полупроводниковый ключ,содержащий транзистор и резистор 11.Недостатком данного ключа является повышенный расход энергии от источников питания,Наиболее близким к предлагаемомуявляется полупроводниковый ключ,содержащий транзистор, напримерИ - р - проводимости, переход база - 15эмиттер которого зашунтирован резистором, а коллектор подключен к первойвыходной клемме, два трансформатора,пять диодов, две входные клеммы ивторую выходную клемму, причем нача- щла первичных обмоток трансформаторовп одключены к общей шине, а концы -к соответствующим входным клеммам,начало вторичной обмотки первоготрансформатора через прямовключенный 25первый диод соединено с базой транзистора, а конец - с эмиттером транзистора, начало вторичной обмоткивторого трансформатора соединено санодом второго диода 1.2 1.ЗОНедостатками известного ключа являются низкая надежность иэ"за отсутствия запирающего источника и высокий уровень помех, обусловленный наличием паразитных колебаний на фронтах .опорного напряжения при переключении транзистора.Цель изобретения - повышение надежности и снижение уровня помех.Поставленная цель достигается темчто в полупроводниковый ключ, содержащий транзистор, например, й - р - г 1проводимости, переход база - эмиттеркоторого зашунтирован резистором,а коллектор подключен к первой выходной клемме, два трансформатора, пятьдиодов, две входные клеммы и вторуювыходную клемму, причем начала первичных обмоток трансформаторов подключены к общей шине, а концы - к соответствующим входным клеммам, начало вторичной обмотки первого трансформатора через прямовключенный первый диод соединено с базой транзистора, а конец - с эмиттером транзисто 55ра, начало вторичной обмотки второготрансформатора соединено с анодом второго диода, введен конденсатор, первый вывод которого соединен с базой транзистора и концом вторичной обмотки второго трансформатора, при этом анод третьего диода подключен к эмиттеру транзистора, второй вывод конденсатора соединен с второй выходной клеммой, катодами второго и третьего диодов и анодом четвертого диода, катод которого подключен к коллектору транзистора и катоду пятого диода, анод которого соединен с анодом второго диода.На чертеже приведена схема предлагаемого полупроводникового ключа.Полупроводниковый ключ содержит транзистор 1 и - р -о проводимости с резистором 2, включенным между его базой и эмиттером, при этом коллектор транзистора 1 подключен к первой выходной клемме 3 ключа, Вторичная обмотка 4 первого трансформатора 5 через диод 6 подключена к цепи баэа - эмиттер транзистора 1, Конец вторичной обмотки 7 второго трансформатора .8 подключен к базе транзистора 1, а начало обмотки через диод 9, включенный в прямом направлении, - к коллектору транзистора 1, Начала первичных обмоток 1 О и 11 первого 5 и второго 8 трансформаторов подключены к общей шине 12, а концы этих обмоток - к внешней схеме управления (входные клеммы 13 и 14). К базе транзистора 1 подключен один конец конденсатора 15, второй конец которого подключен к второй выходной клемме 16, к которой подключены катоды диодов 17 и 18 и анод диода 1, причем анод диода 17 подключен к началу вторичной обмотки 7 второго трансформатора 8, анод диаода 18-к эмиттеру транзистора 1,а катод диода 19 - к его коллектору.Работа полупроводникового ключа происходит следующим образом.Для включения ключа на входную клемму 13 от внешней схемы управления поступает управляющий сигнал, под действием которого во вторичной обмотке 4 первого трансформатора 5 наводишся импульс положительной полярности, который через диод 6 прикладывается к переходу база - эмиттер транзистора 1, шуктируемого резистором 2, При этом транзистор 1 входит в режим глубокого насыщения и создает проводящую цепь от выходной клеммы 3 к выходной клемме 16.Для выключения полупроводникового ключа на входную клемму 14 от внешней схемы управления поступает упСоставитель И. ФорафонтовРедактор М. Петрова Техред И.Метелева Корректор А, ференц Заказ 3622/42 Тираж 862 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Эравляющий сигнал. Под действием этого сигнала во вторичной обмотке 7второго трансформатора 8 наводитсяимпульс положительной полярности,который через диод 9, включенный впрямом направлении, прикладываетсяк переходу коллектор - база транзистора 1. Под действием приложенногонапряжения происходит вывод неосновных носителей из области базы, накопленных эа время действия включающего импульса, что приводит к быстрому выключению транзистора 1 и переводу ключа в непроводящее состояние. Одновременно с этим под действием выключающего импульса черездиод 17 происходит заряд конденсатора 15 до величины напряжения, генерируемого во вторичной обмотке 7 второго трансформатора 8,В момент времени, когда происходит последующее включение ключа, начинается разряд конденсатора 15 через диод 19 и открывающийся переходколлектор - база транзистора 1. Приэтом ток разряда конденсатора 15 направлен навстречу базовому току,095403 4включающему транзистор 1, что влечетза собой изменение скорости включения ключа. Диод 18 исключает разрядконденсатора 15 через переход баэа -змиттер транзистора 1.Изменяя величину конденсатора 15,удается существенно влиять на ско"рость переключения и тем самым снизить или совсем устранить параэитныеколебания на фронтах опорного напряжения, возникающие в моменты пере"ключения ключа,Использование изобретеения позволяет повысить надежность полупроводникового ключа по сравнению с прототипом за счет исключения сквозныхтоков и уменьшения мощности, потребляемой по цепи управления. Уменьшение амплитуды выбросов при переклк-чении транзистора позволяет снизитьуровень помех, наводимых во внешнююцепь, и тем самым повысить надежностьработыаппаратуры в которой данныйключ может быть использован (например, в составе генератора опорногонапряжения для питания газораэряд"ных панелей переменного тока).