Симметрирующее устройство

151)4 Н 0 йЛм 1)Зь)йп1:,1 ЫИЯД ОПИСАНИК ПАТЕНТУ БРЕТЕНИ ав Немый.Ф ф СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ ф" .ХЫ РЕСПУБЛИК-У ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 1(56) Авторское свидетельство СССР(57) Изобретение относится к техникСВЧ и м.б, использовано в миниатюр.,80, 1510726 2 ных устр-вах, включая монолитные. Цель изобретения - повышение интеграции. Устр-во содержит полуволновый, проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками (ДП) 2 и 3. На внешней стороне ДП 2 размещены два четвертьволновых проводника 4,5, причем конец 6 первого из них и начало 7 второго разделены зазором 8. На внешней стороне ДП 3 расположен проводник 9. Толщина Ь, ДП 3 больше толщины 111 ДП 2. Одновременно выполнение проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего проводник 1, обеспечивает повышение степени инЩ теграции, т.к. позволяет разместить ДП 2 на проводящей плоскости. 2 ил,3 1510726Изобретение относится к техникесверхвысоких частот и может бытьиспользовано в миниатюрных устройствах, включая монолитные.5Цель изобретения - повышение интеграции,На. фиг. 1 показана конструкциясимметрирующего устройства; на фиг.2 -расположение его основных проводников по одному из его вариантов.Симметрирующее устройство содержитполуволновый проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный междудвумя диэлектрическими подложками 2 15и 3, на внешней стороне первой из которых размещены два четвертьволновых .проводника 4 и 5, расположенные вдольоси АА полуволнового проводника 1,причем конец 6 первого из них и начало 7 второго разделены зазором 8,расположенным против средней частиполуволнового проводника 1. Ьа внешней стороне второй диэлектрическойподложки 3 расположен четвертый проводник 9, при этом начало 10 полуволнового проводника 1, начало 11 первого четвертьволнового проводника 4и начало 12 четвертого проводника являются несимметричным входом, а конец 306 первого четвертьволнового проводника 4 и начало 7 второго четвертьволнового проводника 5 являются симметричным выходом,Начало 11 первого четвертьволнового проводника 4 и конец 13 второгочетвертьволнового проводника 5 закорочены по СВЧ-току. Четвертый проводник 9 выполнен в виде заземляющегооснования, перекрывающего полуволновый проводник 1. Толщина Ьвторойдиэлектрической подложки 3 большетолщины Ь первой диэлектрическойподложки 2.Симметрирующее устройство работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поступающий на несимметричный вход, образованный началами10 - 12 полуволнового 1, первого 4четвертьволнового и четвертого 9 проводников, поступает на симметричныйвыход, образованный концом 6 первогочетвертьволнового проводника 4 и началом 7 второго четвертьволновогопроводника 5; Выбором параметров второйдиэлектрической подложки (диэлектрической постоянной Е и толщины Ь)обеспечивается равенство фазовых скоростей четной и нечетной волн отреэков связанных линий, образованных полуволновым проводником 1 и четвертьволновыми проводниками 4 и 5. Тем самым обеспечиваются требуемые выходные параметры в широкой полосе частот. Для выполнения этих условий необходимо толщину Ь второй диэлектрической подложки 3 выбрать больше толщины первой диэлектрической подложки 2.Одновременно выполнение четвертого проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего полуволновой проводник 1, обеспечивает повышение степени интеграции, так как позволяет разместить диэлектрическую подложку 2 на проводящей плоскости.Симметрирующее устройство может быть изготовлено как по гибридной, так и по монолитной технологии, например на полуиэолирующей подложке из СаАз, являющейся второй диэлектрической подложкой 3. В качестве первой диэлектрической подложки 2 в этом случае целесообразно испольэовать диэлектрическую пленку, например,8.Формула изобретения Симметрирующее устройство., содержащее полуволновый проводник, разомк.нутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками, на внешней стороне первой из которых размещены два четвертьволновых проводника, расположенных вдоль оси полуволнового проводника, причем конец первого из них и начало второго разделены зазором, расположенным против средней части полуволнового проводника, а на внешней стороне второй диэлектрической подложки расположен четвертый проводник, при этом начала полуволновогопроводника, первого четвертьволнового проводника и четвертого проводника являются несимметричным входом, а конец первого четвертьволнового проводника и начало второго четвертьволнового проводника являются симметричным выходом и началом первого четвертьволнового проводника и конец второго четвертьволнового проводника закорочены по СВЧ-току, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения интеграции, четвертый проводник выполнен в виде заземляющего основания, перекрывающегоСоставитель Н.Ткачева Техред.Л.Олийнык Корректор В.Кабаций Блана еда каз 5831/ одписное 8 Тираж 616арственного комитета по и113035, Москва, Ж,бретениям и открытиям при ГКНТ СССаушская наб., д. 4/5 Г 1 Ф 11роизводственно-издательский комбинат Патент , г.ужгород, ул. Гагар 5 1510726 6полуволновый проводник, а толщина деляющей их, больше толщины первой второй диэлектрической подложки, раз- диэлектрической подложки,