Преобразователь уровня для усилителя считывания

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 11 С 7 00 ГОСУДАРСТВЕННЬ 1 Й НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Полупроводниковые БИС запоминащих устройств. Справочник/ ПА,Ю,Гордонова и Ю.Н.Дьякова,дио и связь, 1986, с. 103, сК 155 РУ 7.Авторское свидетельство СССРУ 1244716, кл, С 11 С 7/00, 1986,(54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЯ ДПЯУСИЛИТЕЛЯ СЧИТЫВАНИЯ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем. Целью изобретения является повышение быст" родействия преобразователя уровня, Преобразователь уровня для усилителя считывания содержит элементы задания режима на резисторах 1, 2, 3, нагрузочные элементы на транзисторах 4, 5, усилительные элементы на транзисторах 6, 7, токозадающие элементы на транзисторах 8, 9, информационные входы 10, 11, информационные выходы 12, 13, шину 14 питания, шину 15 нулевого потенциала. Оптимальное перераспределение паразитных емкостей токо- задающих транзисторов позволяет уменьшить паразитные емкости на выходах преобразователя с одновременным а форсированием перезаряда этих узлов, ,что существенно увеличивает его быст-.родействие. 1 ил,8280 4 3 150Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем.11 елью изобретения является повышение быстродействия преобразователяуровняНа чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого преобразователя уровня.Преобразователь уровня для усилителя считывания содержит элементызадания режима на резисторах 1-31У,нагрузочные элементы на транзисторах4, 5, усилительные элементы на транзисторах 6, 7, токозадающие элементына транзисторах 8, 9, информационныейходы преобразователя уровня 10, 11и информационные выходы 12, 13, лина14 питания, шина 15 нулевого потенциала,Преобразователь уровня для усилителя считывания работает следующимобразом,Когда на входе 10 уровень входного сигнала равен "1", а на входе11 - "О", ток в обоих плечах преобразователя определяется током натранзисторах 4, 6, 8 в резисторе 1,в этом "случае транзистор 9 включен,что приводит к тому, что напряжениена базе транзистора 6 задает аналогичный ток н цепи транзистора 7, Таккак нагрузка в коллекторах транзисторов 6.и 7 одинакова, на транзисторе 5,.резисторе 2 выделяется напряжение, аналогичное напряжениюна транзисторе 4 и резисторе 1, Поэтому напряжение на выходе 13 меньше, чем напряжение на выходе 12,на величину разности выходных ЭСЛуровней "О" и "1". В этом случаевыходное напряжение на выходе 12равно сумме напряжений на переходах база - эмиттер транзисторов би 8.При смене входных напряженийвключение транзистора 9 существенноускоряется, т.е., во-первых, уменьшается емкость выхода 13 относительно шин 15 и 14, а во-нторых, процесс перезаряда выхода 13 ускоряется дополнительным током, током заряда паразитной емкости коллектор -база. Выключение же транзистора 8аналогичным образом ускоряетсяТранзисторы 8 и 9 - токоэадающиетранзисторы, служащие для переклю"чения плеч и выбора плеча, работаю 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 щего в режиме источника опорного напряжения зеркала, а также для повышения точности поддержания симметрииплеч путем переключения основнойчасти базового тока, ведомого плечав шину питаний через нагрузочныетранзисторы 4 и 5, минуя нагрузочныйрезистор плеча, работающего н режимеисточника опорного напряжения,Резистор 3 служит для заданияминимального рабочего тока транзисторов 8 и 9, необходимых для поддержания стабильного значения уровней"1" на выходах преобразователя вовсем диапазоне рабочих температур.Таким образом, оптимальное перераспределение паразитных емкостейтокозадающих транзисторон позволилоуменьшить паразитные емкости на выходах преобразователя с одновременным форсированием перезаряда этихузлов, что существенно увеличиваетего быстродействие,Формула изобретенияПреобразователь уровня для усилителя считывания, содержащий триэлемента заданиярежима на резисторах, два нагрузочных элемента натранзисторах, дна усилительных элемента на транзисторах и два токозадающих элемента на транзисторах,базы транзисторов нагрузочных элементовявляются информационными входами преобразователя уровня, коллекторы подключены к шине питания, а эмиттерысоединены соответственно с первымивыводами резисторов перного и.второго элементов задания режима, другие выводы которых являются информационными выходами преобразователяуровня,. эмиттеры транзисторов усилительных элементови один выводрезистора третьего элемента заданиярежима подключены к шине нулевогопотенциала, второй вывод резисторатретьего элемента задания режима,базы транзисторов усилительных элементов и эмиттеры транзисторов усилительных элементов объединены, коллекторы транзисторов усилительныхэлементов соединены с соответстнующими базами транзисторов токозадающих элементов и вторыми выводамирезисторов первого и второго элементов задания режима, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия преобразователя.5 1508280 6уровня, в нем коллектор транзистора - тор транзистора второго токозадаопервого токозадающего элемента сое- щего элемента соединен с эмнттером динен с эмиттером транзистора перво- транзистора второго нагрузочного элего нагрузочного элемента, а коллек ента.Составитель В.ГордоноваРедактор М.Циткнна Техред А.Кравчук Корректор Л,ВескидЗаказ 5546/54 Тираа 558 Подписное.ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР113035, Москва, Ж Рауаская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат фПатент", г.уагород, ул. Гагарина, 101