Хирургический расширитель

Номер патента: 1131498

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Арбер, Доманский, Копчак, Хижняк

МПК: A61B 17/00, A61B 17/11, A61M 25/01

Метки: желчного, лечения, общего, протока, рубцовых, стриктур

...кетгутового атравматического шва. Проксимальный и дистальный конць 1 созданного канала при помощи того же атравматического шва анастомозируют соответственно с проксимальным и дистальным отрезками желчного протока. Линию анастомозов и швов, формирующую канал, укрепляют дополнительным наворачиванием стенок кишки отдельными узолвыми швами. Дренаж выводят наружу через прокол неизменной стенки дистального отдела холедоха, например в ретродуоденальной его части. Дренаж из желчных протоков удаляют через 2 недели после операции.П р и м е р. Больная К., 29 лет, поступила в клинику с жалобами на боли в верхней половине живота, желтушность кожных покровов, кожный зуд. В 1980 г. по поводу желчекаменной болезни перенесла операцию - холецистэктомию....

Номер патента: 1105902

Опубликовано: 30.07.1984

Автор: Авербух

МПК: G06G 7/163

Метки: резистор, управляемый

...трансформатора. 2земления одной из его выходных клемм в то время, как большинство применений таких резисторов требует наличия выходных клемм, изолированных от шины нулевого потенциала, Другим недостатком является отсутствие воэможности коррекции линейности в зависимости от рассогласования используемых полевых транзисторов по напряжению отсечки.Целью изобретения является расширение области применения эа счет введения гальванической развязки между входной и выходными клеммами при одновременном улучшении линейности преобразования.Поставленная цель достигается тем, что в управляемый резистор, содержащий операционный усилитель, источник питания, регулирующий и компенсирующий полевые транзисторы, балластный и шунтирующий резисторы, первый и...

Номер патента: 1497738

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Громов, Игумнов, Масловский, Шишков

МПК: H03K 17/687, H03K 19/094

Метки: ключевой, мдп-транзисторах, элемент

...так и генсрд;ор импульсных илигармонических сигндлон, а также цифровой или аналоговый элементКонденсаторы 4 и 5 выполняют функцию запоминающего элемента, накапливающего заряд положительной полярностиПри отсутствии положительных сигналов на входных клеммах 6 и 7 Г 1 ЧП- транзисторы 2 и 3 по затворам здкрь 84ть, однако коЕесдтс 1 р, 45 ч розрсз ис тор 1 и прямосмс щеньс р и ир.ходы подтожк л с ток и 1 о 11 Г жк дисток перв го транзисорд 2 заряжаются до ндряжсния положитсп ной полярности сигдльной шины.11,При подаче нд вторую входную кемму 7 единичного сигндлд кон 1 еесдтор5 через второй транзистор 3 рдзряждется до потенциала общей шины 1 О,При возвращении второй входной клеммы7 н исходное состояние второй конденсатор 5 снова...

Номер патента: 1557607

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Аксенов, Баистов, Чалый

МПК: H01R 13/10

Метки: соединитель, электрический

...контактов 12 меньше ширины55колодок 11, чем исключается случаиное контактирование дополнительныхпружинных контактов 12 с контактнымипружинными губками 8. Дополнительные пружинные контакты12 соединены с индикатором - светодиодом 13 и защитным диодом 1 ч черезпоследовательно соединенный резистор15 (Фиг.1-4, на которых одни и те жеконструктивные элементы обозначеныодинаковыми позициями),При этом указанные электронныеэлементы расположены в верхней частирозетки в ограниченном объеме, надежно зафиксированы и не нуждаются взаливке компаундом,Соединитель работает следующим об"разом.При введении штырей 6 между контактными пружинными губками 8 розет-ки 1 (фиг,3) создается контактноесоединение между вилкой и розеткой(промежуточное положение),При...

Номер патента: 1749735

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Афанасьев, Кривоногов

МПК: G01L 9/10

Метки: давления, датчик

...расположены по разные стороны от ее рабочей плоскости и снаружи приварены штуцера 14 и 15 для подвода давлений. Нз наружной утолщенной части 20 мембраны выполнен тонкий Фланец, расположенный в одной плоскости с рабочей по.верхйостью мембраны, На этом фланце выполнены лапки 16 с отверстиями, через которые осуществляется крепление датчика 25 на обьекте. Корпуса с экранами, магнито. проводами, катушками и диафрагмами свариваются с мембраной по ее утолщенной части и закрываются кожухами 17 и 18, выполненнымииз пермаллоя, с образованием 30 воздушного зазора между элементами 2, 3 и 17, 18. Воздушные зазоры заполняются пенополиуретаном 19 и 20, имеющим коэф. Фициент теплопроводности значительно ниже, чем воздух. - 35Мембрана,...