Носитель информации

(51)4 С 11 С 7/О ВЕННЫЙ КОМИТЕТениям и ОТИРытиямССР ОСУДА ПО ИЗС ПРИ ГН АНИЕ РЕТЕН электротехническиМГУ им,М,В.Ломоой фо,иапаэона, 2 ил о.4 ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Московский й институт связи иносова(56) Журнал научной и прикладн тографии и кинематографии, 198 т.26, У 4, с,304-315.Авторское свидетельство СССР У 591932 ф кл. С 11 В 7001 1976(54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, а именно к носителям информации, и может быть использовано для записи и хранения информации или изображений, переносимых инфракрасным (ИК) излучением. Целью изобретения является повышение чувствительности носителя к ИК-излучению. Это достигается исгольэованием в качестве носителя пленки 1 аморфного полупроводника РЬ 0Бп 0, Те, нанесенной на проэрачнуФподложку 2Под действием ИК-иэлуче ния пленка изменяет свое кристаллическое состояние: происходит структурное упорядочение первоначально аморфиэованного слоя пленки в места воздействия излучения,он изменяет свою прозрачность в ИК-диапаэоне и таким образом фиксирует информацию. Считывается информация с помощью ИК излучения.Изобретение позволяет по высить чувствительность носителя ин формации и осуществить скрытую в ви димом диапазоне запись излучения ИКИзобретение относится к автоматике и вычислительной технике, д именно к носителям информации, и можетбыть ггспользовацо для записи и хранения ицфор гдции или иэображений, переносимых инфракрасным (ИК) излучением,Цель изобретения - повышение чувствптельцостц носителя к ИК-излучению,Нд фиг. показан носитель ицформдгцьн на гги .2 - спектры пропускация иолупроводгггкового слоя в исходном состоянии и после ого нагреваИК-излучением до 60 и 120 С.Носитель информации представляетсобой полупроводгцгковый слой дг;.рфного полупроводник гг (Р 1 г:и г ),г 3 сочувствительного к ИК-излучениго, цдцесенный цд прозрдчцуго подложку 2,Носитель действует следующггм образом.При воздействии нд аморфный слой (РЬ 8 Бпо ),5 ТегИК в излучен с эцергиеи квантов Г цэ Е о ширины запрещенной зоны происходит его поглощение и разогрев слоя, Прц ндгреве до 60 С дморфцггй мдтеридл(" д оБп 0 2) о Тес начинает кристдлли 4lзоваться в местах воздействия излучения, Вследствие этого в этих местах происходит упорядочение слоя и резко снижается доля рдссецвдемого света и растет доля прошедшего света35 Прц этом здписднцое иэображение остается открытым в видимом дцдцдзоце. Нд Фиг.2 показаны спектры прогускдння слоя в исходном состоянии (кривдя 3) после его нагрева ИК-и злучеэ40 цием до 60 С (крггцдя 4) и до 120 С (кривая 5). Разогрев полуцровоцццкдодо температур свыше 420 С мохет привести к частичному испарению компоцеггт твердого раствора и его разрушешцо.1 дтеридл (РЬ Бп ) Те являс о, о,лется твердым раствором замещения, который может существовать при0Х с 1. При этом изменение состава (т.е. Х) ведет к изменению ширины запрещенной зоны Ео от 0,03 до О,Э эВ, Это позволяет, изменяя состав, менять диапазон чувствительности носителя.Считывание информации осуществляется путем облучения носителя ИК-источником света.П р и м е р. Полупроводниковыйслой представляет собой аморфнуюпленку (РЬо БпТео , нанесеннуюодним из известньгх способов ца прозрачную подложку,Подложка выполнена из материала,грозрдчного в ИК-диапазоне: ВаР ,КСс, ЧаС 1, Возможно .использованиедругих ггдтеридлов, пропускающих ИКизлучение,По сравцециго с известными носите"лями (металлические пленки ца прозрачных подложках, термопластическиеслои ) данный носитель позволяет реализовать большую чувствительность иосуществлять скрытую в видимом диапазоне запись излучения ИК-диапазона,Формула изобретенияНоситель информации, содержащий полупроводниковый слой, расположенный цд прозрачной подложке, о т л и ч а го щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности носителя инФормации к инФракрасному излучению, цолупроводниковьй слой выполнен из аморфного полупроводника (РЬ 0,Впо,д)05 Т 0,5(ЙЮФ 7 Йюм// Составитель А,АнуфриевТехред Л, Сердокова Корректор И. Горная Редактор М. Келемеш Заказ 4115/47 Тираж 558 Подписное ВНИКНИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНГ СССР 13035, Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4/5