Способ определения бикомплексных параметров материалов на свч

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 83394 19) Я 01 К 27/26 АНИЕ ИЗ ТЕНИЯ ов 1 Ч ВНТК , с. 18. ПРЕДЕЛЕНИЯ БИАРАМ ЕТРОВ МАТЕ КОМ- РИАе из - по- мере- паноческий экран 4, скую пластину 5 мплексных пара- реализуют слектромагорамногонаправ- исследуего собой ромежутнапример к, и мепроцессе ижимают образцу. ватель дуем ый ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Институт высоких температур АН СССР(56) Авторское свидетельство СССР254593, кл. 6 01 К 26/27, 1968,Абкин Е. Б. и др. Сравнительный анализметодов измерений диэлектрической и магнитной проницаемости на СВЧ. - В сб. Методы и средства измерений электромагнитных характеристик радиоматериалов на ВЧи СВЧ.Тезисы доклад - СНИИМ,:Новосибирск, 1979(54) СПОСОБ ОПЛЕКСНЫХ ПЛОВ НА СВЧ(57) Изобретение относится к технмерений на СВЧ. Цель изобретениявышение точности. В первой серииний электромагнитное излучение от Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах (СВЧ), в частности к технике измерений комплексной диэлектрической проницаемости я=в+и".и комплексной магнитной проницаемости Й=р +1 р" на СВЧ.Цель изобретения - повышение точности.На фиг. 1 приведена структурная схема,поясняющая первую серию измерений; на фиг. 2 - структурная схема, поясняющая вторую серию измерений, реализующих способ определения бикомплексных параметров материалов на СВЧ.Структурные схемы включают последоно расположенные антенну 1, исслематериал 2, промежуток 3, заполненрамного измерителя КСВН через антенну направляют на структуру, состоящую из исследуемого материала (ИМ), промежутка, заполненного диэлектриком в виде диэлектрических прокладок и металлического экрана (МЭ). Изменением кол-ва диэлектрических прокладок меняют расстояние между ИМ и МЭ. Измеряют коэф. отражения от такой структуры при восьми различных значениях промежутка. Во второй серии измерений между ИМ и МЭ помещают диэлектрическую пластину с известными параметрами в и е,". Толщину пластины и ее параметры выбирают такими, чтобы разность между максим. и миним. значением коэф. отражения от структуры была максимальной. Затем измеряют коэф. отражения от такой структуры, как и в первой серии. Из измеренных зависимостей е и м. ИМ определяют методами нелинейного программирования, например, как величины, минимизирующие функцию невязок, характеризующую среднеквадратичную экспериментальную ошибку, Даны иллюстрации структур, поясняющие серии измерений. 2 ил. ныи диэлектриком, металлидополнительную диэлектричеСпособ определения бикометров материалов на СВЧдующим образом.В первой серии измерений элнитное излучение, например, от панизмерителя КСВН через антеннуляют на структуру, состоящую измого материала 2, представляющеплоскопараллельную пластину, пка 3, заполненного диэлектриком,в виде диэлектрических прокладоталлического экрана 4, причем визмерений металлический экран прчерез диэлектрические прокладки к)=1,2,Формула изобретения 1Кн) К(1 )1 г+; К(г)(,1 ) К(г)(Д 1 гп+гп гп 45 Изменением количества диэлектрических прокладок меняют расстояние между исследуемым материалом 2 и металлическим экраном 4. Измеряют коэффициенты отражения от такой структуры, например, при восьми различных значениях промежутка 3. Значения промежутка 3 выбирают так, чтобы зависимость коэффициента отражения от величины промежутка проходила через минимум. Во второй серии измерений между исследуемым материалом 2 и металлическим экраном 4 помещают диэлектрическую пластину 5 с известными параметрами в и е". Толщину пластины 5 д, и ее параметры выбирают такими, чтобы разность между и Кг)(А), К 1)(д;,;, р) и Кг)(д,соответственно теоретические иизмеренные коэффициенты отражения в первой и второй серияхизмерений;количество измерений в первой ивторой сериях соответственно;, гп;расстояние между исследуемымматериалом и металлическим экраном;расстояние между диэлектрической пластиной и металлическимэкраном,Способ определения бикомплексных параметров материалов на СВЧ, заключающийгде Кц(о;) и К)(с(е, р), К-(д;) и КФХ Х (Й;, е, р) - соответственно измеренныеи рассчитанные коэффициенты отражения от структуры до и после введения диэлектрической пластины;Й, - расстояние между исследуемым материалом и металлическим экраном;и - количество измерений до максимальным и минимальным значением коэффициента отражения от структуры была максимальной. Затем измеряют коэффициенты отражения от такой структуры, на пример, при восьми значениях промежутка 3,при этом как и в первой серии измерений значения промежутка 3 выбирают так, чтобы зависимость коэффициента отражения от значения величины промежутка проходила через минимум,Из измеренных зависимостей значения еи ц исследуемого материала определяют методами нелинейного программирования, например, как величины, минимизирующие функцию невязок, характеризующую средне квадратичную экспериментальную ошибку ся в измерении коэффициентов отражения электромагнитной волны от структуры, включающей исследуемый материал и металлический экран и ориентированной перпендикулярно направлению распространения электромагнитной волны, при различных рас стояниях между исследуемым материалом иметаллическим экраном с последующим расчетом искомых параметров путем минимизации функции невязок, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, между исследуемым материалом и металлическим 30 экраном вводят диэлектрическую пластинус извесными параметрами вс 1, где с) - толщина пластины, измеряют коэффициенты отражения электромагнитной волны при различных расстояниях между диэлектрической пластиной и металлическим экраном, а иско мые параметры рассчитывают путем минимизации функции невязок введения диэлектрической пластины1,2 п,искомые параметры;количество измерений после введения диэлекрической пластины;расстояние между диэлек трической пластиной и ме таллическим экраном;1,2,.,п).1483394 Фиг. 7 Составитель В./ГончаровТехред И. Верес Корректор Т. Малец ираж 713 Подписное НИИПИ Государственного комитета по113035, Москва, Ж - 3 Производственно-издательский комбин Редактор Н. КиштулиЗаказ 2827/43 обретениям Раушская Патент, открытиям при ГКНТ СССРнаб., д. 4/5Ужгород, ул. Гагарина, О