Способ изготовления высокочастотного отражающего призменного блока
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК А 1 19) (1 В 5/ М ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ ИДЕТЕЛЬСТВ АВТОРСКОМ Под ГосудАрственный номитеПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНЯТПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТОНОГО ОТРАЖАИЩЕГО ПРИЗМЕННОГО БЛОКА(57) Изобретение относится к оптическому приборостроению, в частности ктехнологии изготовления высокоточныхотражающих призменных блоков, обеспечивающих работу в режиме световозвращателя в широком температурном диапазоне термостабильности и при высокойпрочности при вибровоздействиях. Напервом этапе способа из алюмолитиевого ситалла изготавливают путем шлифования и полирования составные элементы блока в виде двух идентичныхправильных усеченных монолитных пи. рамид с углом при большем основании,о равным 45 , Первую пирамиду 1 устанавливают большим основанием на базовую технологическую пластину 2 из стекла с напыленным на основе алюминия отражающим слоем 3. На меньшее основание пирамиды 1 устанавливают меньшим основанием вторую пирамиду 4 с напыленным на плоскости меньшего основания и боковых гранях отражающим слоем 5 на основе алюминия. Затем взаимно ориентируют пирамиды 1 и 4 путем совмещения блика 6 от рабочей грани пирамиды 1 и зеркально отраженного от базовой пластины 2 блика 7 от рабочей грани пирамиды 4, Все элементы фиксируют относительноо друг друга, нагревают до 300 - 400 С, прикладывают отрицательный электрическии потенциал 300 - 600 а к стра С жающему слою 3 пластины 2 и положительный потенциал к пирамиде 4, выдерживают их при этом режиме в течение 10 - 30 мин, а после остывания контролируют взаимное положение граней пирамид 1,4 по совпадению бликов совмещаемых.при ориентации пирамид и снимают их с пластины 2. 1 ил.ЮИзобретение относится к оптическому приборостроению, в частности ктехнологии изготовления высокоточныхпризменных блоков из оптических мате 5риалов, и может бьггь использовано напредприятиях оптико-механической иэлектронной промышленности.Цель изобретения - расширение температурного диапазона термостабильности и повышение прочности при вибровоздействиях при обеспечении работы блока в режиме световозвращателя,На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа.Способ осуществляют следующим образом,На первом этапе из алюмолитиевогоситалла изготавливают путем шлифования и полирования составные элементыблока в виде двух идентичных правильных усеченных монолитных пирамид соуглом 45 при большем основании. Первую пирамиду 1 устанавливают большимоснованием на базовую технологическую 25пластину 2 из стекла с напыпенным наоснове алюминия отражакцим слоем 3.На меньшее основание пирамиды 1 устанавливают меньшим .основанием вторуюпирамиду 4 с напыленным на плоскостименьшего основания и боковых граняхотражающим слоем 5 на основе алюминия. Затем взаимно ориентируют пирамиды 1 и 4 путем совмещения блика 6от рабочей грани пирамиды 1 и зеркально отраженного от базовой пласти 35ны 2 блика 7 от рабочей грани второйпирамиды 4, Все элементы фиксируютотносительно друг друга, нагреваютдо 300 - 400 С, прикладывают отрица 40тельный электрический потенциал 300600 В к отражающему слою 3 базовойпластины 2 и положительный потенциалк второй пирамиде 4, выдерживают ихпри этом режиме в течечие 10 - 30 мин,а после остывания контролируют взаимное положение граней пирамид 1 и 4по совпадению бликов, совмещаемыхпри ориентации пирамид и снимают ихс базовой пластины 2 П р и м е р. Составные элементы зеркального многогранника: базовую технологическую пластину 2 из стекла К 8 диаметром 180 мм и усеченные многогранные пирамиды 1 и 4 диаметром 140 мм с центральным отверстием диаметром 80 мм из ситалла СО 115 И,шлифуютполируют и наносят технологические вакуумные покрытия 3 и 5 на основе алюминия на базовую пластину 2 и на плоскость соединения и рабочие отражающие грани одной из усеченных пирамид 4, Затем на металлическую пластину 8 со штырем 9 устанавливают базовую пластину 2 отражающим слоем 3 вверх, на нее накладывают усеченную пирамиду 1 меньшим основанием вверх, -сверху накладывают усеченную пирамиду 4 отражакяцим покрьггием 5 вниз так, что образовываются двугранные углы, Далее взаимно ориентируют положение усеченных пирамид путем совмещения блика 6 от рабочей грани пирамиды 1 и зеркально отраженного от базовой пластины 2 блика 7 от рабочей грани второй пираьвщы 4. Элементы сборки фиксируют в приспособлении с помощью гайки 10, навинченной на штырь 9 с резьбой, нагревают сборку до 300 - 400 С и подвергают воздействию электрического полн напряжением 300- 600 В следующим образом, ОтрицательФный электрический потенциал прикладывают к отражающему слою 3 базовой пластины 2, а положительный - к верхней пирамиде 4 через фольгу 11. Выдерживают сборку под напряжением в течение 10 - 30 мин, а после остывания замеряют взаимное положение граней аналогично первичной ориентации пирамид. Точность взаимного ориентирования контролируют с помощью автоколлиматора 12, оптическая ось которого перпендикулярна отражающей грани нижней пирамиды 1. Готовые сборки подвергают термоциклированию прио+60 С и длительному прогреву в течение 200 ч при 90, 200 и 400 С с замером точностных параметров призм.Формула изобретенияСпособ изготовления высокоточного отражающего призменного блока; включающий шлифование и полирование его составных элементов, их взаимную ориентацию и соединение в ориентированном положении, о т л и ц а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения диапазона термостабильности и повышения прочности при вибровоздействияХ При обеспечении работы блока в режиме световозвращателя, составные элементы блока изготавливают из алюмолитиевого ситалла в виде двух идентичных правильных усеченных монолитоных пирамид с углом 45 при большемКорректор Л,Пилипенко Редактор И.Лербак Заказ 820/49 Тираж 514 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб.д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101. 146411 основании, первую пирамиду устанавливают большим основанием на базовую технологическую пластину из стекла с напыленным на основе алюминия отражающим слоем, на меньшее основание5 ,первой пирамиды устанавливают меньшим основанием вторую пирамиду с напыленным на плоскости меньшего основания и боковых гранях отражающим слоем на основе алюминия, взаимную ориентацию пирамид осуществляют путем совмещения блика от рабочей грани первой пирамиды и зеркально отраженного от. базовой пластины блика от ра 64бочей грани второй пирамиды, все элементы фиксируют относительно друг друга, нагревают до 300 - 400 С, прикладывают отрицательный электрический потенциал 300 - 600 В к отражающему слою базовой пластины и положительный потенциал к второй пирамиде, выдерживают их при этом режиме в течение 10 - 30 мин, а после остывания контролируют взаимное положение граней пирамид по совпадению бликов, совмешаемых при ориентации пирамид, иснимают их с базовой пластины.
СмотретьЗаявка
4282742, 13.07.1987
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2038
МАСЛОВ ВЛАДИМИР ПЕТРОВИЧ, ГАЛАНИН ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ПОРТНОВА ЕЛЕНА АЛЕКСАНДРОВНА, ВАРЕНЦОВ ВАДИМ АНАТОЛЬЕВИЧ, ВОВК ВИТАЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, БОСЫЙ МИХАИЛ КУЗЬМИЧ
МПК / Метки
МПК: G02B 5/04
Метки: блока, высокочастотного, отражающего, призменного
Опубликовано: 07.03.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1464116-sposob-izgotovleniya-vysokochastotnogo-otrazhayushhego-prizmennogo-bloka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления высокочастотного отражающего призменного блока</a>
Предыдущий патент: Способ измерения проводимости прискважинной зоны пластов по различным азимутальным направлениям и устройство для его осуществления
Следующий патент: Устройство для локального облучения
Случайный патент: Гнутый профиль швеллерного типа