Учебный прибор по электронике

(50 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ АВТ(54) УЧЕБНЫЙ ПРИ (57) Изобретение учебных приборов лью изобретения надежности работ электронике соде ного регулируемо нератор синусоид 1, регистрирующи реальной МЦП-стр варикап 8, импул торы 9, 10, 13 и 1 ил В 18ционный институт сителе носителейиковыхоп 1 с (ЯЯЕ)Уцпй С.,ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(56) Измерение концентрациии времени жизни неосновныхв эпитаксильных полупроводнслоях, - Бо 1 Ы Бате. Е 1 есг1966, ч. 9, У 4, р. 315-319Ро 1 г 1 ег Н. БОР ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ .относится к области по электронике, Цеявляется повышение ы. Учебный прибор по ржит источник постоя го напряжения 2, геального напряжения й прибор 14 и модель уктуры, содержащую ьсный диод 11, резис конденсаторы 5, 12.Изобретение относится к учебным пособиям по электронике и может быть использовано при изучении свойств структуры МДП (металл-диэлектрик 5 полупроводник).Целью изобретения является повьюение надежности работы путем снижения чувствительности к зарядам статического электричества. 1 ОНа чертеже представлена принципи альная схема прибора.Учебный прибор по электронике содержит генератор 1 синусоидального напряжения регулируемой частоты, ис точник 2 постоянного регулируемого напряжения, первый резистор 3, первый вывод которого соединен с источник:ом 2 постоянного напряжения, первый конденсатор 4, первый вывод которого сое 20 динен с генератором 1 синусоидального напряжения, и эталонный конденсатор 5. Модель структуры МДП содержит параллельно включенные вторые резис-" тор б и конденсатор 7, первые выводы 25 которых соединены с вторыми выводами первых резистора 3 и конденсатора 4 вторые выводы вторых резистора 6 и конденсатора 7 соединены с катоцом варикапа 8, параллельно которому 30 включен третий резистор 9, анод варикапа 8 соединен с выводом эталонного конденсатора 5, параллельно которому подключен пятый резистор 10, Ка- ,тод варикапа 8 соединен с анодом импульсного диода 11, катод которого через третий конденсатор 12 соединен с анодом варикапа 8, а через четвертый резистор 13 - с вторым выходом источника 2 постоянного напряже ния, причем параллельно эталонному конденсатору 5 подключен регистрирующий прибор 14 (милливольтметр переменного напряжения)Учебный прибор по электронике работает следующим образом.От источника 2 постоянного регулируемого напряжения через резистор3, служащий для развязки по переменному току, на модель структуры МДПподается постоянное напряжение смещения, величину которого можно плавно регулировать. От генератора 1 синусоидального напряжения через конденсатор 4, служащий для развязки55по постоянному току на модель подается синусоидальное напряжение малой амплитуды с плавно регулируемой частотой, Конденсатор 7 имитиру Кроме того, в модели использованы варикал и импульсный диод, имею" щие большие емкости (50,100 пФ) по сравнению с параэитными емкостями милливольтметра переменного напряжения, соединительных проводников и других элементов учебного прибора, что значительно упрощает егосхему. 5 О Формула из обр ет ения Учебный прибор по электронике преимущественно для изучения характеристик и параметров структур металл диэлектрик-полупроводник, содержащий генератор синусоидального напряжеет емкость диэлектрика структуры МДП, варикап 8 - емкость обедненного слоя, импульсный диод 11 (его диффузионная емкость) - емкость инверсного слоя структуры МДП, Цепочка резисторов 6, 9 и 10 служит для установления нужного распределения постоянного регули. руемого напряжения смещения между вторым конденсатором 7, варикапом 8 и эталонным конденсатором 5. Конденсатор 12 связывает по переменному току анод варикапа 8 с катодом импульсного диода 11. Резистор 13 служит для развязки по переменному току источника постоянного напряжения.Шкала регистрирующего прибора 14 (милливольтметра переменного напряжения) проградуирована так, что по ней непосредственно производится отсчет емкости структуры МДП (модели). Таким образом. учебный прибор позволяет снимать вольт-фарадную и частотную характеристики структуры МДП (модели) . Напряжение смещения, подаваемое с второго выхода источника 2 постоянного напряжения, позволяет изменять пороговое напряжение на вольт-фарадной характеристике на оси напряжений, что эквивалентно изменению плотности поверхностного заряда в структуре МДП.Удобство пользования и высокая надежность учебного прибора обеспечиваются тем, ччго вместо реальной структуры 1 ЩП, которая очень часто выходит из строя при ее использовании в учебной лаборатории, в данном приборе применена простая и надежная модель структуры МДП, правильно отракающая все основные свойства реальной структуры МДП.1396156 Составитель В,ТюркинРедактор А.Лежнина Техред И.Дидык ., Корректор М.Пожо Заказ 2498/51 Тираж 459 . ПодписноеВНИИПИ .Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4.ния с регулировкой частоты, подключенный к первому выводу первого конденсатора, источник постоянного регулируемого напряжения, соединенныйс первым выводом первого резистора,регистрирующий прибор. и эталонныйконденсатор, о т л и ч а ю щ и й -с я тем, что, с целью повыщения надежности работы путем снижения чув 10ствительности к зарядам статического электричества, он снабжен модельюструктуры металл-диэлектрик-проводник, содержащей варикап, импульсныйдиод, резисторы и конденсаторы, при чем вторые выводы первых резистораи конденсатора через параллельно сое"диненные вторые резистор и конденсатор подключены к первому выводу третьего резистора, катоду варикапа ианоду импульсного диода, связанногокатодом через четвертый резистор свторым выходом источника постоянногорегулируемого напряжения, а черезтретий конденсатор - с анодом варикапа, вторым выводом третьего резистора и параллельно включенньки пятымрезистором, эталонным конденсатороми регистрирующим прибором.