Устройство приема дискретных сигналов

ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1) 4 Н 04 1. 25/О ВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ГОСУДА ПО ДЕЛ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВИДЕТЕЛЬСТ К АВТОРСН(21) (22) (46) (72) (53) (56) енияимпульдиоды эист он ввееев по п исторам и Энергия,пров инте 1979(5 относится пользоват связ оск/Х СО 4146499/24-0912.11.8607.05,88. Бюл. У 17А.П. Шибулкин и И.В. М621.394.625 (088.8)Горюнов Н,Н. Справочндниковым диодам, трангральным схемам. - М.:с. 653,СТРОИСТВО ПРИЕМА ДИСКРЕТНЫХОВзобр ет ение к электри может ис ься в низостных системах передачи дискетной информации. Цель изоб овышение помехоустойчивости сным помехам. Устр-во содержит1 - 9, резисторы 10 - 18, транры 19 - 21. Для достижения целдены два конденсатора 22 и 23 итранзистор 24. Импульсная помеха малой длительности любой полярностина выход устр-ва не проходит. Прииспользовании устр-ва удается,в зна-чительной мере подавить импульсныепомехи, причем длительность эффективно подавляемых помех можно изменять за счет изменения номиналов конденсаторов. 1 ил.Изобретение относится к электросвязи и может использоваться в ниэкоскоростных системах передачи диск"ретной информации.Цель изобретения - повышение помехоустойчивости к импульсным помехам.На чертеже представлена электрическая схема устройства приема дискретных сигналов.Устройство приема дискретных сигналов содержит первый 1, второй 2,третий 3, четвертый 4, пятый 5, шестой 6, садьмой 7, восьмой 8 и девятый 9 диоды, первый 10,второй 11 третий12, четвертый Г 3, пятый 14, шестой15, седьмоч 1 б, восьмой 17 и девятый 18 резисторы, первый 19, второй20 и третий 21 транзисторы, а также 20первый 22 и второй 23 конденсаторыи четвертый транзистор 24.Устройство приема дискретных сигналов работает следующим образом,При наличии на входе устройствасигнала с низким уровнем 00,4 Впервый транзистор 19 закрыт, а второй транзистор 20 открыт током смещения, протекающим через третий резистор 12 и шестой 6 идевятый 9 диоды, На выходе устройства имеетсясигнал низкого уровня, При наличиина ,входе устройства сигнала с высоким уровнем Б 72,4 В открываетсяпервый транзистор 19 током смещения, 35протекающим от источника питания через второй резистор 11 и четвертый4 и восьмой 8 диоды и закрываетсявторой транзистор 20. При этом напряжение на выходе устройства близко к 4 Онапряжению источника питания,В статическом состоянии третий 21 и четвертый 24 транзисторы закрыты и не оказывают влияния на работу первого 19 и второго 20 транзисторов.При появлении на входе устройства положительного фронта или импульсной помехи малой длительности положительной полярности третий транзистор 21 открывается, шунтируя четвертый резистор 13. Через промежуток времени, определяемый номиналами второго конденсатора 23 и шестого резистора 15, третий транзистор 21 закрывается и напряжение на коллекторе первого транзистора принимает значение низко" го уровня, а на выходе устройства появляется сигнал высокого уровня. При поступлении на вход устройстваотрицательногофронта первый транзистор 19 закрывается без задержки,а второй транзистор 20 открывается сзадержкой из-за открывания четвертого транзистора 24 сигналом, поступающим на его базу через первый конденсатор 22.Таким образом, импульсная помехамалой длительности любой полярностина выход устройства не проходит, Аноды первого 1 и второго 2 диодов подключены к источнику опорного напряжения, состоящего из первого резистора10 и третьего диода 3, Первый 1 ивторой 2 диоды, смещенные:в прямомнаправлении, служат для предотвращения бросков напряжения обратнойполярности, прикладываемых к базамтретьего 21 и четвертого 24 транзисторов,При использовании предлагаемогоустройства удается в значительноймере подавить импульсные помехи, причем длительность эффективно подавляемых помех можно изменять за счетизменения номиналов конденсаторов.Наблюдаемое при этом ухудшение фронтов принимаемого сигнала вполне допус.тимо при использовании устройствадля приема низкоскоростных сигналов.Формула изобретенияУстройство приема дискретных сигналов, содержащее девять диодов, девять резисторов и три транзистора, эмиттеры которых соединены с общей шиной, причем аноды первого, второго и третьего диодов соединены с первым выводом первого резистора, аноды четвертого и пятого диодов подключены к первому выводу второго резистора, аноды шестого и седьмого диодов соединены с первым выводом третьего резистора, база первого . транзистора подключена к катоду восьмого диода и первому выводу четверто. го резистора, база второго транзистора соединена с катодом девятого диода и первым выводом пятого резистора, база третьего транзистора подключена к катоду первого диода и первому выводу шестого резистора, катод четвертого диода соединен с анодом восьмого диода, катод шестого диода подключен к аноду девятого диода, коллектор первого транзистораСоставитель В. ЗенкинТехред Л.Сердюкова Корректор И,Николайчук Редактор И. Дербак Заказ 2240/57 Тираж 660 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная 4 313944 соединен с первым выводом седьмого резистора, а коллектор второготранзистора подключен к первомувыводу восьмого резистора, второй вы 5 вод которого и вторые выводы первого, второго, третьего, и седьмого резисторов соединены с выводом источника питания, при этом вторые выводы четвертого, пятого и шестого резисторов 10 подключены к общей шине, катод пятого диоДа является входом устройства, выходом которого является первый вывод восьмого резистора, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что, с целью 15 повышения помехоустойчивости к импульсным помехам, введены два конден сатора и четвертый транзистор, коллек 534тор, база,и эмиттер которого соединены соответственно с катодом девя,того диода, катодом второго диода. и первым выводом девятого резистора, второй вывод которого подключен к базе четвертого транзистора и первому выводу первого конденсатора, второй вывод которого соединен с анодом шестого диода, причем катод первого диода через второй конденсатор подключен к аноду пятого диода, коллектор третьего транзистора соединен с катодом восьмого диода, первый вывод" седьмого резистора подключен к катоду седьмого диода, а катод третьего диода и первый вывод девятого резистора подключены к общейшине.