Способ соединения контактов с контактодержателями

(56) Сере В.А., С ы и бим соно астерово, сплаСправ979, с,В.В.а егоаллураллыМе ов ник,гия,(54)КОНТА ЕДИНЕНИЯ КОНТАКТЕЛЯМИ ОСОБОДЕРЖА ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ(71) Всесоюзный научно-исследовательский, проектно-конструкторскийи технологический институт электросварочного оборудования(57) Изобретение относится к способусоединения контактов с контактодержателями и предназначено для использования в аппаратостроении, Цельизобретения - повышение прочности соединенияДля присоединения контактаиз композиции Ае + СЙО к контактодержателю на его поверхности образуюттехнологический подслой. При воздействии плазменной струи из аргонас добавлением. 1-30 об.7 водородавосстанавливается окись кадмия и образуется подслой из Ае + Сй. Толщинаподслоя составляет 0,06-0,11 мм. Полученный подслой образует прочныепаяные или сварные соединения с контактодержателем. При пайке усилиесреза паяного соединения составляет2,35-3,76 кгс/см.82607 113Изобретение относится к способу соединения контактов с контактодерждтелямц, предназначенного для креплецтя к коцтактодержателю стойкой к сдрцвднцю или спаиванию композиции сере бро - окись кадмия (Ая + Сс 10),и может быть использовано в аппаратостроеции,Целью изобретения является повыиенце прочности соединения.Способ заключается в том, что црц обработке поверхности контактов композиции серебро - окись кадмия аргоцовой плазменной струей с добавлением 1-307., водорода происходит кратковременный разогрев части поверхцостц, восстановление окиси кадмия дометаллического кдлмця в разогретойповерхности и обрдэованце твердогораствора серебро - кддмцй, в результате чего поверхность контакта преобразуется в технологический подслой.В зависимости от технологических параметров плазменной струи (ток струи,расход ппдэмообрдзующе го газа и т.д.)технологический подслой можно получить толщиной 0,1 ф 0,05 мм, Подачаво;,орола менее 1. к аргоу нецелесообразна, поскольку увеличиваетсявремя обработки одного контакта, Это в евина очередь приводит к снижению, роцэводцтельцостц процесса нижето котордл определяется требованиями технологической лиццц по производству контактов. Подача водородаболее 307 к дргону снижает ресурсработы катода плдзмотрона, обеспечивающего создание аргоноводороднойплазмы. Процесс восстановления окиси кадмия ведется в герметичной камере при отсутствии примесей воздуха. 11 эготовленцые любым способом контакты (Формой ц композиции Ар + Сс 10 нужной для работы) одной поверхностью нагреваются плазменной струей состава аргон + (2-307.) водорода в зависимости от содержания окиси кадмия в композиции, перемещаясь по напрдвлянцей под плдзмотроном со ско ростью 10 - 10 м/с. Скорость перемещения выбирается в каждом конкретном случае в зависимости от требуемой толщины технологического подслоя для конкретного вида контактов количества цх, а также из необходимойпроизводительности контактов. Противоположная поверхность контактов охлаждается, не давая возможности10202530 35 40 45 50 55 прогрева и изменения рабочей части контактд.П р и м е р 1. Контакты КМК-А 10 содержащие 857 Ля и 157 Сс 10 изготавливают иэ мехацической или химической смеси порошков Ая + Сс 10 по наиболее распространенной технологии (прессовдцие, твердофазное спекание, отжиг). Далее эти контакты помещают в плазменную установку, где одна из поверхностей контактов нагревается пдазменной струей при движении контактов под плазмотроном со скоростью 1 см 7 с, Дистанция от среза сопла плазмотрона до поверхности нагрева 100 мм. Ток плазменной струи 120 Л. В плаэмообразующцй газ (аргон) добавляют 10,"., водорода. Расход плазмообразующего газа 10 л/мин.Поверхность контактов прогревается плазменной струй до 300 С ца толшццу 0,1 мм прц этом происходит восстановление окиси кадмия до металли" ческого кадмия. На поверхности контакта образуется слой материала толщиной 0,06 мм состава Ле - Сс 1 представляющий собой технологический подслой для пайки (сварки) контакта с коцтактодержателем, Усилие среза полученного соединения составляет 376 кгс/см. П р и м е р 2. Контакты, содержащие 90% Ад и 107 Сс 10 изготавливают методом прессования и помещают в плазменную установку, где поверхность контактов нагревается плазменной струей при движении контактов под плазмотроном со скоростью 3 см/с. Дистанция от среза сопла. плазмотрона до поверхности нагрева контактов 100 мм, Ток плазменной струи 150 А, В плаэмообразующий газ (аргон) добавляют 257 водорода. Расход плазмообраэующего газа 10 л/мин.При этих режимах на поверхности контакта образуется слой материала Ая + Сс толщиной 0,11 мм, представляющий собой технологический подслой, Усилие среза полученного паяного соединения составляет 2,35 кгс/см,Данный способ позволяет создавать технологический подслой для пайки (сварки) контакта с контактодержателем не за счет дополнительного нанесения серебра на поверхность контакта (методом прессования, плазменного напыления, созданием биметалличес-,1382607 а также упростить технологию егоизготовления. Составитель Л. АбросимоваТехред Л.Сердюкова Корректор А. Тяско Редактор С. Пекарь Заказ 1250/1 О Тираж 921 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ких контактов и ти.), а эа счет использования 1-5 Е толщины рабочей части контакта, которая не используется при работе контактов в коммутацион 5 ных аппаратах и на которой путем воздействия восстановительной высокотемпературной плазменной струей происходит преобразование стойкой к сварке (пайке) композиции Аа + СЫО в легко 10 свариваемую (паяемую) композицию Ац + Сс 1. Предлагаемый способ позволяет удешевить производство изготовления контактов за счет экономии серебра на технологический подслой для соединения контакта с контактодержателем,Формула и э о б р е т е н и я Способ соединения контактов с контактодержателями, включающий образование технологического подслоя на контакте из композиции серебро - окись кадмия и последующее образование соединения между подслоем и контактодержателем, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения прочйости соединения, технологический подслой формируют аргоно-водородной плазменной струей с содержанием водорода в ней 1-30 об,7.