Способ растрирования электрофотографического прозрачного микроизображения

"Бе фич ОПИСАНИЕ ИЗОБР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТ(57) Изобретение относится к способу"растрцровация электрофотографического прозрачного микроизображения.Позволяет улучшить качество изображения путем устранения непосредственного контакта оптического растрас прозрачным микроизображением, Растрирование осуществляют со стороныподложки электрофотографического материала, Растр выполнен фазовым цапрозрачном фототермопластическом материале. Прц растрировании растр обращен рельефом к подложке. Для растрцровация иэкспонирования используютсветовой поток с изменяемой апертурой,Изобретение относится к микрофиль". мированию, в частности к фотографии, электрофотографии, фототермопластики, занимающихся регистрацией уменьшен 5 ных изображений.Цель изобретения - улучшение качества изображения путем устранения непосредственного контакта оптиче ского растра с прозрачным микроизображе нием.Сущность изобретения состоит в следующем.Со стороны подложкиэлектрофотографического материала помещают опти ческий растр, который выполнен Фазовым, и экспонируют его, При этом для экспонирования растровой структуры до, во время нли после экспонирования основного изображения применяют 20 источники света с таким угловым размером относительно фокусирующих фазовых элементов растра, чтобы изображение источника света в фокальной плоскости этих элементов не превос ходило к 3( где 1 - период Фазового растра, К - 1 - отношение ширины тем" ных элементов растра к ширине светлых элементов) . Изменяя угловой размер источника света относительно Фазового растра путем изменения егорасстояния до указанного растра можно оперативно изменять значение К,добиваясь требуемого соотношения ширин элементов растровой структуры, 35Высокая разрешающая способность иоднородность Фазового растра обеспечивается тем, что его получают насветочувствительном материале, вчастности на Фототермопластическом 40материале, путем записи на нем голограммы нанесущей частоте, соответствующей частоте микроструктуры, Вчастном случае это может быть голограмма, которую получают прп записи .15двух скрещенных когерентных плоскихволн. В этом случае образуется лицейчатый Фазовый растр с периодом Зопределяемым углом, под которым схо-дятся плоские волны, В этом случаев растрированном иэображении могутиметь место муаровые эффекты. Дляих устранения при Формировании фазового растра используют интерференцию опорного и предметного пучков,т.е, записывают реальную голограммуфренеля, в которой нет четкого направления интерференционных полос, какв линейчатом растре,П р и м е р. Для регистрации уменьшенного в 21 х изображения журнального текста используют фототермопластический материал ФТПП-М 2, включающий металлизированную лавса" новую подложку толщиной 175 мм (и= =1,6) и фототермопластический слой толщиной й = 4 мкм на основе ПВК и сополимера стирола с дивинилом. Наилучшие дедормационные свойства ФТПС имеет на частоте квазирезонанса 0002 с 1- -125 мм а частоты ниже 40 Ф-150 мм ФТПС практически не передает, В регистрируемом иэображении имеются линии различной ширины в ди" апазоне 15-100 мкм, которые нельзя зарегистрировать без растрирования. Для этого на таком же ФТПС регистри" руют голограмму двух плоских когерентных волн (лазер ЛГ), в результате проявления которой на поверхности Фототермопластического материала образуется рельеф, соответствующий растру с частотой 100 мм и глубиной 0,5 мкм, Получают фазовый растр ". элементами, фокусирующими световой поток в плоскости, отстоящей от Фазового растра на расстояние Г = 100 мкм в воздухе (или на расстояние и 100 мкм=160 мкм в лавсане), Фазовый рельеф ылотно прижимают к подложке с помощью узла электростатической сенсибилизации до напряжения 250 В. Далее экспонируют растровую структуру до снижения среднего потенциала до 180 В, а затем экспонируют изображение журнальной страницы до снижен ния потенциала до 1 ООВ, Полученное изображение проявляют импульсным инФракрасным блоком проявления мощностью 1 Джейсм за время 0,8 с. Для( 2экспонирования растра используют лампу накаливания 70 Бт с размером тела накала 5 мм, При расстоянии от фазового растра 100 мм ширина светлых и темных элементов практически совпадает так что при проявлении регистрирующего материала на нем образуется растр симметричной структуры глубиной 0,6 мкм на темных элементах записываемого изображения. Удаляя источник от фазового растра, можно Формировать на Фототермопластическом материале несимметричныи растр, который имеет лучшие деформационные свойства и позволяет увели1381417 чить глубину фазового рельефа до1 мкм. Составитель МД 1 атинТехред М.Дндык Корректор О,Кундрик Редактор Л.Пчолинская Заказ 1182/40 Тирах 442 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д,4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г.ухгород, ул.Проектная,4 Формула изобретенияСпособ растрирования злектрофото 5 графического прозрачного микроиэображення, включающий экспонирование микроиэображения на электрофотографический материал с одновременным его растрированием световым потоком через оптический растр, о т л и ч а ю щ и Йс я тем, что, с целью улучшения качества изобрахения путем устранениянепосредственного контакта оптического растра с прозрачным микроиэображениемрастрирование осуществляют состороны подлохки электрофотографического материала световым потоком сизменяемой апертурой, при этом растрвыполнен фазовым на прозрачном фототермопластическом материале и обращен рельефом к подлохке,