Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн

(54) УСТРОЙСТВО МОДУЛЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕ (57) Изобретение отно технике и расширяет д ления амплитудой пове тич, волн (ПАВ). Устр пластину-звукопровод облучения электронным 3 отражающих элементо лучения ПАВ, приемный ЦИИ АМПЛИТУСКИХ ВОЛН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ1378009 мент 5, токопроводящие полоски б. -Введением электронного облучения решетки 3 осуществляется изменение отражающих свтв. При достаточно интенсивном облучении вся структура решетки 3 может рассматриваться как однородный токопроводящий слой с миним.отражающими свойствами Изменениеминтенсивности электронного облучения Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано длягенерирования поверхностных акустических волн с управляемой интенсивностью их излучения.5Целью изобретения является расширение диапазона управления амплитудойповерхностных акустических волн,На чертеже представлена конструктивная схема устройства модуляцииамплитуды поверхностных акустическихволн.Устройство модуляции амплитудыповерхностных акустических волн.(ПАВ) 15содержит пластину-звукопровод 1, ис-.точник 2 облучения электронным лучом,решетку 3 отражающих элементов, элемент 4 излучения поверхностных акусти.ческих волн (ПАВ), приемный акустоэлектрический элемент 5, токопроводящие полоски б,Устройство модуляции амплитудыПАВ работает следующим образом.25Элемент излучения ПАВ 4 осуществляет ввод поверхностных акустических волн, которые распространяются вдоль пластины-звукопровода 1. Источник 2 направляет на пластину-звуко провод 1 парциальные волны с угловой расходимостью в радианах 6, Зона облучения источника 2 ориентирована в направлении, поперечном направлению распространения волнового поля ПАВ, Приходящее на решетку 3 волновое.поле претерпевает отражение. При отсутствии электронного облучения отражение является максимальным и определяется отражающими характеристика ми решетки 3. Благодаря достаточно малым длинам токопроводящих полосок источника 2 осуществляется модуляцияинтенсивности волнового поля ПАВ путем управления вносимым ослаблениемпо апертуре волнового поля ПАВ. Макс.величина вносимого ослабления определяется добротностью решетки Э, минимально-диссипативными потерями ПАВв пластине 1 со сплошным токопроводящим покрытием. 1 ил,отражение осуществляется для всехволн в пределах угловой расходимостив радианах 8, Плотное размещение то.копроводящих полосок обеспечиваетотражение по всей апертуре решеткиЭ. Введением электронного облучениярешетки 3 осуществляется изменениеотражающих свойств. Это происходитза счет нивелирования проводимостиповерхности пластины-звукопровода вместах расположения токопроводящихполосок и в промежутках между нимии вторичной электронной эмиссии приэлектронном облученииПри достаточно интенсивном облучении вся структура решетки 3 может рассматриватьсякак однородный токопроводящий слой сминимальными отражающими свойствами.Изменением интенсивности электронного облучения источника 2 (что можетбыть осуществлено изменением плотности тока и времени облучения присканировании) осуществляется модуляция интенсивности волнового поля поверхностных акустических волн путемуправления вносимым ослаблением поапертуре волнового поля ПАВ. Максимальная величина вносимого ослабления определяется добротностью решетки 3, минимально-диссипативнымипотерями ПАВ в пластине-звукопроводесо сплошным токопроводящим покрытием,Токопроводящие элементы б расположены в направлении, поперечном продольной оси пластины-звукопровода свозможно меньшими зазорами, практически порядка длины ПАВ. Таким образом воздействие источника 2 на решетку 3, ее выполнение позволяют расширить динамический диапазон модуляции амплитуд ПАВ.1378009 Составитель Н,ЧекановаТехред Л.Сердюкова КорректорВ. Бутяга Редактор М.Бандура Тираж 928 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 888/53 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Формула и э о б р е т е н и яУстройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн, содержацее пластину-звукопровод, на1поверхности которой расположены элемент излучения поверхностных акустических волн, приемный акустоэлектрический элемент, который расположен в направлении распространения поверхностных акустических волн, и решетку отражающих элементов, которая расположена вдоль продольной оси пластинызвукопровода, а также источник облучения электронным лучом, который выполнен в виде электронно-лучевой пушки с управляемой интенсивностью облучения, причем отражающие элементы решетки отражающих элементов выполнены в виде токопроводящих полосок и расположены перпендикулярно продольной оси пластины-звукопровода, 1 решетка отражающих элементов раслоложена в зоне облучения источника облучения электронным лучом, о т л и ч а ю щ е е с я тему чтоу с цельюрасширения диапазона управления амплитудой поверхностных акустическихволн, решетка отражающих элементоврасположена между элементом излуче ния поверхностных акустических волни приемным акустоэлектрическим элементом, длина 1 токопроводящих полосок 1- где % - минимальная длиЪ915 на поверхностной акустической волны,9 - угловая расходимость электронного луча в радианах источника облучения электронным лучом, а расстояниемежду токопроводяшими полосками в 20 направлении продольной оси пластины"звукопровода равно половине длины поверхностной акустической волны.