Устройство для манипулирования поверхностными акустическими волнами

(19) (11) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ктронныеустройстских вол 64,ЛИРОВАНИЯ КИМИ ВОЛНАМИ к устройтикамиГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРпо делАм изОБРетений и ОткРытии ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(46) 15.04.86. Бюп. В 14 (72) О.П,Обрубов и С.А.Миро (53) 534.232-8:534,8(088.8) (56) Речицкий В.И. Акустоэлрадиокомпоненты: элементы ива на поверхностных акустич нах. М,; Сов.радио, 1980, с (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МАНИПУПОВЕРХНОСТНЫМИ АКУСТИЧЕС(57) Изобретение относитсяствам управления характерис 1)4 Н 03 Н 9/00, С 1 О К 11/3 распространения поверхностных акусти ческих волн. Цель изобретения - расширение диапазона управления вносимым ослаблением волн. На поверхности звукопровода размещают структуру, со держащую отражающую решетку (металлические полоски, канавки), совмещен ную со слоем фотополупроводника, Регулируемое освещение решетки позволяет изменять ее отражающие характеристики и тем самым перераспределять энергию поверхностных акустических волн. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.Изобретение предназначено для использования в акустоэлектронных устройствах различного назначения,Цель изобретения - расширение диапазона управления вносимым ослаблением поверхностной акустической волны,На фиг.1 изображена схема устройства для манипулирования поверхностными акустическими волнами (ПАВ,), на 1 Офиг.2-4 - схемы вариантов расположения структур устройства.Устройство для манипулированияПАВ (фиг,1) содержит пластину-звукопровод 1, например из ниобата лития, 15размещенные на ее рабочей поверхности слой 2 фотополупроводника, например сульфида кадмия, и отражающую решетку 3 в виде токопроводящих, например алюминиевых, полосок и источник2 О4 света управляемой интенсивности,подключенный к блоку 5 питания.Ввод и вывод сигнала осуществляется входным 6 и выходным 7 встречноштыревыми преобразователями ПАВ, Однако эти преобразователи не являютсянеобходимыми составными частями устройства, Устройство может быть включено непосредственно в тракт обработки ПАВ, выполненный по интегральной Зцтехнологии, и являться его составнойчастью, В этом случае устройство служит для манипуляции с ПАВ, распространяющимися по поверхности пластинызвукопровода 1 и проходящими черезструктуру с фотополупроводником иотражающей решеткой, возбужденнымииными произвольно выполненными источниками ПАВ,Апертура отражающей решетки ориентирована в направлении, отличномот направления распространения ПАВ(в направлении, перпендикулярном направлению распространения ПАВ, какизображено на фиг.1, либо под угломк нему, отличном от нуля).Пластина-звукопровод 1 может бытьвыполнена из материала, не обладающего пьезоэлектрическими свойствами,например из плавленого кварца. Одна Око в этом случае слой фотополупроводника выполяется из материала собязательным наличием пьезоэлектрических свойств, например из сульфи -ца кадмия, ЯСлой фотополупроводника и отражающая решетка 3 на поверхности пластины-звукопровода 1 могут быть выполиены в любом из следующих вариантови последовательности расположения:пластина-звукопровод 1, слой 2 фотополупроводника, отражающая решетка 3в виде токопроводящих полосок (фиг.1и 2); пластина-эвукопровод 1, отражающая решетка 3 в виде токопроводящих полосок, слой 2 фотополупроводника (фиг.3); пластина-звукопровод 1,отражающая решетка в виде системыканавок 8 на рабочей поверхностипластины-эвукопровода 1, слой 2 фотополупроводника (фиг.4),Устройство для манипулированияПАВ работает следующим образом.Приходящая на устройство манипулирования ПАВ волна 9, например,от входного преобразователя 6 (фиг.1) дретерпевает отражение от составляющейего структуры и поступает на выходной преобразователь 7 в виде волны1 О - задержанной и ослабленной. Приотсутствии освещения фотополупроводник представляет собой изолятор. Период отражающей решетки 3 выполненравным половине длины волны ПАВ нарабочей частоте устройства в структуре в отсутствие освещения или приминимальном освещении, отражающаярешетка настроена в резонанс, имеетмаксимальный коэффициент отражения,в результате чего устройство для манипулирования ПАВ характеризует:ямаксимальным вносимым ослаблениемПАВ, С увеличением освещенности засчет увеличения проводимости слоя2 фотополупроводника изменяетсяскорость распространения ПАВ в структуре, происходит расстройка от резонанса и уменьшение коэффициента отражения решетки 3 и как следствиеэтого - уменьшение вносимого ослабления,Выполнение устройства для манипулирования ПАВ в виде структуры совмещенных отражающей решетки 3 и слой 2 фотополупроводника на поверхности пластины-звукопровода 1 позволяет значительно увегйчить диапазон управления вносимым ослаблением ПАВ. Величина вносимого ослабления ПАВ определяется акустической добротностью отражающей решетки 3 с учетом диссипативных характеристик фотополупроводникового слоя 2, пластины-звукопро"вода 1В предлагаемом устройстве управление затуханием ПАВ осуществляется за-35, Раушская наб,Тираж ВНИИПИ Государств по делам иэобр 113035, Москва, Жписно 4/5 нно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная оиэво счет изменения скорости ПАВ, приводящего к изменению резонансной частоты отражающей решетки высокой добротности. Диссипативные свойства фотополупроводника и всей структуры отражающей решетки в предлагаемом устройстве ограничивают диапазон управления вносимым затуханием ПАВ и являются нежелательными факторами. Формула изобретения 1, Устройство для манипулирования поверхностными акустическими волнами, состоящее иэ пьезоэлектрической пластины-звукопровода с размещенными на ее рабочей поверхности отражающей решеткой и слоем фотополупроводника, и источника света регулируемой интенсивности, отличающееся 20 тем, что, с целью расширения диапазона управлениявносимым ослаблениемповерхностной акустической волны,отражающая решетка размещена на рабочей поверхности пластины-звукопровода в области слоя фотополупроводника.2. Устройство по п.1, о т л и -ч а ю щ е е с я тем, что отражающаярешетка выполнена в виде металлических полосок, размещенных на поверхности слоя фотополупроводника.3. Устройство по и.1, о т л и -ч а ю щ е е с я тем, что отражающаярешетка размещена непосредственно нарабочей поверхности пластины-эвукопровода под слоем фотополупроводника.4. Устройство по п.1, о т л и -ч а ю щ е е с я тем, что отражающаярешетка выполнена в виде системы канавок на рабочей поверхности пластины-звукопровода под слоем фотополупроводника,