Глазурь
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
идетельство СССРВ 41/86, 1977.3-75.ЕСТПП. Прибоые силовые. Изгоных керамических технологический ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫ(57) Изобретение относится к высокотемпературным глазурям, используемымдля оплавления в восстановительнойсреде на изделиях из корундовой керамики. Целью изобретения являетсяснижение температуры оплавления в восстановительной среде и увеличение коэффициента линейного термическогорасширения. Для этого глазурь включает, мас.Х: 80 58,0-59, 1; А 1 038,56-9,58; СаО 2,04-2,82; М 80 1,382,01; К,О 1,33-1,55; Иа 0 3,77-4,4;ЕпО 0,2-0,7; В 0 0,2-0,61; Ва 0 20,422143. Температура оплавления глазурисоставляет 1200-1300 С, коэффициентлинейного терьрческого расширения1366500 Содержа Компонент 123 810 59,10,58,00 59,05 8,74 9,58 8,56 А 1 О Сао 2,82 2,73 2,04 2,01 1,89 1,38 МВО 3,82 4,14 Яа О 1,55 1,33 1,44 0,59 0,2 0,70 Епо 0,2 0,52 0,61 20 4 22 43 22 4 Вао Изобретение относится к высоко- температурным глазурям, используемымдля оплавления в восстановительной среде на изделиях из корундовой кера-. мики, в частности на изоляторах кор 5 пусов, предназначенных для полупродниковых приборов.Цель изобретения - снижение температуры оплавления в восстановительной среде и увеличение коэффициента линейного термического расширения.Составы глазурей приведены втабл. 1Технологический процесс приготовления глазури заключается в следующем.Смешивают мокрым способом до удельной поверхности 10,0 тыс, см /гпредварительно измельченные полевойшпат (о =9,0 т см/г), кварцевый песок.( =10,0-12,0 тыс.см/г). доломит6 =5,0 т. см /г), глину (8=.9,010,0 тыс. см/г), соединение 2 по Б Ои углекислый барий. Чтобы получить 25соединение ЕпОВ Оз окись цинка 53,8и борный ангидрид 46,2% (посредствомборной кислоты) смешивают и послеспекания при 600 С мелют до удельной поверхности 9,0 тыс. см /г. Удель ЗОный вес этого соединения равен3,5 г/смз .Плотность глазури составляет 1,541,6 г/см. 2Глазурь наносят кисточкой на обработанную поверхность изолятора, оплавление производят в среде формиргаза в соотношении Н :И =3:1 при температуре 1220-1300 С. Это дает возможность получить на изоляторах блестящую прозрачную поверхность. При нанесении равномерного слоя толщиной 60-80 мкм глазурь сохраняет свой внешний вид в режимах пайки припоем ПС -72 в среде сухого водорода при температуре до 800 С. Формула изобретения Глазурь, включающая 810 , А 1 О, Сао, Мяо, К О, Иа О, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью снижения температуры оплавления в восстановительной среде и увеличения коэффициента линейного термического расширения, она дополнительно содержит 2 по, В О, Вао при следующем соотношении компонентов, мас.%:81058,0-59, 1 А 1,ОЗ 8,56-9,58 Сао 2,04-2,82 МяО 1,38-2,011,33-1, 56Ма, О 3, 77-4, 14гпО 0,2-0,70,2-0,61Вао 20,4-22,43Т а б л и ц а 1ние компонентов, масв составах1366500 Т а б л и ц а 2 Показатель Состав Коэффициент линейного термического расширения,с 10 1/град. 7,2 8,05 7,5 Удельный вес,г/см 2,89 2,89 Плотность, г/см 1,54 1,6 1,56 Температура оплавления, С1220-1300 Качество глазурного покрытияпри визуальномосмотре Блестящая прозрачная поверхностьбез темных полос Составитель Т.НикульниковаРедактор Н.Киштулинец Техред И.Верес Корректор С.Черни Заказ 6765/22 тираж 594 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобрений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г,Ужгород, ул.Проектная, 4
СмотретьЗаявка
4057516, 21.04.1986
ВСЕСОЮЗНЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИМ. В. И. ЛЕНИНА
ПОЛТАВЕЦ РАИСА ФЕДОРОВНА, ЛУГИН ЛЕОНИД ИВАНОВИЧ, ХОХЛОВА АЛЕВТИНА НИКОЛАЕВНА, ТИЩЕНКО ТАМАРА ВЛАДИМИРОВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 41/86
Метки: глазурь
Опубликовано: 15.01.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1366500-glazur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Глазурь</a>
Устройство для определения коэффициента объемного термического расширения
Номер патента: 987487
Опубликовано: 07.01.1983
Авторы: Ананичев, Байдаков, Бальмаков, Блинов
МПК: G01N 25/16
Метки: коэффициента, объемного, расширения, термического
...свободного объема прямойтрубки, оставляемого при заполнениисосуда материалом.На чертеже изображено устройство 45для определения коэффициента объемного термического расширения, общийвид.Устройство содержит весы 1, накоромысле 2 которых с помощью держателя 3 закреплен под углом с(,=2565 к коромыслу сосуд 4, выполненныйв виде прямой трубки, заполненныйисследуемым материалом 5, сосуд сматериалом помещен в нагревательное 55устройство 6, Для демпфирования весов и сохранения их чувствительности на стрелке 7 весов установленпротивовес 8, контроль чувствительности определяется с помощью шкалы 609 весов,Устройство работает следующим образом,После закрепления сосуда 4 с материалом 5 на коромысле 2 весов 65 под углом 25-65 О к коромыслу и...
Устройство для определения коэффициента объемного термического расширения материалов
Номер патента: 1354087
Опубликовано: 23.11.1987
Авторы: Ананичев, Байдаков, Бальмаков, Блинов
МПК: G01N 25/16
Метки: коэффициента, объемного, расширения, термического
...интервала 12 6 к ( 65 , для которого справедливо неравенство 0,2 Р( Гз 1 пЫ 0,9 Р, показывающее, что дляданного интервала составляющая Гздпвыталкивающей силы вдоль трубки сосуда по порядку величины совпадает свеличиной Р выталкивающей силы.На чертеже изображено предлагаемоеустройство, общий вид,Устройство содержит весы 1, на коромысле 2 которых с помощью держателя3 закреплен под угломер сосуд 4, выполненный в виде герметичной трубкис отростком, заполненной исследуемымпорошкообразным ленточным или другимиматериалами 5 неправильной формы иинертной по отношению к данному материалу жиждкостью 6. Материал 5 помещается в отросток Г-образной трубки, оставшаяся часть последней заполняется инертной жидкостью так, чтопосле герметизации в верхней...
Способ определения термического коэффициента линейного расширения материала
Номер патента: 1413444
Опубликовано: 30.07.1988
Автор: Рабинович
МПК: G01K 5/56
Метки: коэффициента, линейного, расширения, термического
...Ведут по формуле совместном нагреве от СбтДо 11,Ь - величина разности удлинения испытуемого и исходного образцов материаловпри совместном нагревеот от до аЬ - линейный размер образцаиспытуемого материалапри т фДля углеграфитового дилатометрического термометра нижний температурный предел измерений 1 составля-он ет 800 С и не совпадает со стандартной температурой С , поэтому в подобных случаях разйость удлинения дилатометрического тела и корпуса дополнительно измеряют Ьь при температуре й , выбранной из неравенствасеС й Е , удовлетво" от н ьа р фряющей удлинениюй 1 )31С и а обработку результатов ведут поФормулеа йи ф е е 4 РмУЛа из обре ст при п 3. 1 а( 1 -(1+(1+ Ива 2 а Ь йв а(11+ 1 - -а М аь фкд ь,1 д ф.1 фст" при пи 3,где р- целое...
Способ трубопроводного транспортирования газа
Номер патента: 1730501
Опубликовано: 30.04.1992
Автор: Юлбердин
МПК: F17D 1/00
Метки: газа, транспортирования, трубопроводного
...среды,Транспортирову СПГ по трубопроводу осуществляют при неизотермическом процессе за счет повышения температуры, энтальпии, энтропии, увеличения удельного объема, уменьшения вязкости, теплопроводности, соответствующего изменения давления и со скоростью, определяемой энергетическим балансом газопровода по формулегде И/ - маскимальная скорость движения газа, м/с;о - линейный тепловой поток из окружающей среды в газопровод СПГ, ккал/м ч;Ч - удельный объем газа на рассматриваемом участке газопровода, м /кг;за - коэффициент трения;О - внутренний диаметр трубы, м.Производительность тазопровода СПГ определяют с учетом скорости движения газа, диаметра трубы и длины газопровода.Энергию сжиженного природного газа расходуют на...
Способ определения длины диффузии электронов в многокомпонентном полупроводнике
Номер патента: 1823032
Опубликовано: 23.06.1993
Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов
...фотоэффекта на одном изкраев рентгеновского поглощения одногоиз элементов, входящих в состав полупроводника и получить значение длины диффузии электронов иэ решения уравнения:Бг =- А(Ек + г)/А(Ек - г),где Ь - величина скачка рентгеновского фотоэффекта, измеренная на крае поглощенияодного из элементов, входящих в состав полупроводника, Е( - энергия края поглощения данного элемента, г - малая величинаэнергии, равная ширине энергетическогоуровнн, соответствующего данному краюпоглощения, Функция А(Е) определяетсявыражением (1).Теоретическое исследование связискачков рентгеновского фотоэффекта с длиной диффузии электронов в полупроводнике проведено авторами впервые и влитературе не описано,Способ реализуют следующим...
Предыдущий патент: Керамическая масса для изготовления облицовочных плиток
Следующий патент: Способ получения с -углеводородов
Случайный патент: Рабочее оборудование гидравлического экскаватора