Способ устранения дефектов фотошаблонов

,13650 11,1 С 03 Р 7/26, С 11/04 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ТЕНИЯ Ю ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Институт проблем технологиимикроэлектроники и особочистых матриалов АН СССР(56) ЕЬг 1 сЬ О. Ояяоод ВМ.1 г.,81 чегяппЬ П.1 ВеиСясЬ Т.Р. ОпеБоер Кера 1 г, оЙ Тгапярагепг ОеГесг1 п Нагй - БцгГасе, РЬого 11 гЬо 8 гарЬваяния ча, Ьаяег РЬогойероя 1 йдсЬ.1 ЕЕЕ Е 1 есггоп Речдсе Ьеггегя, 1980ч, ЕПЬ, Р 6, р. 101-103,(54) СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ДЕФЕКТОВФОТОШАБЛ ОНО В(57) Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов.Облучают дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слояи со стороны основания. Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшениямощности лазерного излучения на 70857., а со стороны маскирующего слоя -до получения оптически плотного слояПоказателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическаяплотность дефектного места после осаждения, определяемая фотометрировани -ем, 1 табл.13 бИзобретение относится к области микроэлектроники и может быть использондно для устранения прозрачных дефектов фотошаблонон в производстве полупроводниковых приборов и 5036 лонов.Сущность предлагаемого изобретения заключается н том, что согласно способу лазерного фотохимического ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов, включающему фокусировку лазерного излучения в дефектное место фотошаблона со стороны его маскирующего слоя н среде фоторазлагающегося газа с последующим осаждением продуктов фоторазложения до получения оптически плотного слоя, добавляются операции дополнительного фокусирования лазерного излучения на деФектное место со стороны основания фотошдблоца и осаждения продуктов фоторазложения до уменьшения мощности лазерного излучения, проходящей через растущий слой, на 70-857.,Проведение процесса осаждения продуктов реакции фоторазложения в две стадии повышает качество ремонта фотошаблонов за счет увеличения ддгезии осаждаемых слоев, При этом после проведения первого этапа осаждения со стороны основания фотопаблона до уменьшения мощности лазерного излучения меньше, чем на 702, и второго этапа осаждения со стороны маскирующего слоя фатошаблона .получения оптически плотного лоя интегральных схем.Целью изобретения является повышение качества восстановленных фотошаб 1 ОГ 20 25 30 35 40 то одного окна поместили дефектныйфотошдблон хромовым маскирующим слоем внутрь камеры, После вдкуумирования камеру заполнили парами пентакарбоцила железа Ре(СО) до давления100 Пд и дргоцом до давления 104 Па.Излучение импульсного азотного лазера (337 цм) мощностью 0,15 мВтфокусировали в дефектное место черезоснование фотошаблона и осаждалипродукты фоторазложения до уменьшения мощности лазерного излучения на807, Затем сфокусировали лазерноеизлучение н дефектное место со стороны маскирующего слоя фотошаблонаи проводили осаждение до полученияоптически плотного слояМощностьлазерного излучения контролировалис помощью измерителя мощности ИМОН.Показателем качества ремонта прозрачных деФектов фотошаблоцов являетсяИОП дефектного места после технохимической обработки, которую определяли фотометрировацием на микроденситометре Ди которая равна 987Продолжительность процесса 15 мин,П р и м е р 2, Провели ремонтпрозрачных дефектов фотошдблона состороны маскирующего слоя по известному способу при параметрах процесса, описанных н примере 1. Интегральная оптическая плотность дефекти. го места после технохимическойобработки панна 507, Продолжтельность процесса 15 мин- Б таблице приведены характеристи-ки ремонта прозрачных дефектов фотошдблоцон и зависимости от условийпроведения процесса,45 50 происходят частичное скалывание и стирание осажденного слоя но время технохимической обработки, приводяшИе к уменьшению интегральной оптической плотности (ИОП) дефектного места, которая характеризует адгезию осаждаемого слоя и является показателем качества ремонта- При проведении первого этапа осаждения до уменьшения мощности лазерного излучения более чем на 857. необходимо затратить временина порядок больше без изменения качества ремонта.П р и м е р 1. Испытание проводили с использованием оптико-механической системы установки ЭМА.В газовую камеру высотой 4 мм иэ нержавеющей стали с двумя прозрачными для лазерного излучения окнами вмесРезультаты сравнительных испыта-. ний, представленные н таблице, пока зывдют, что улучшение качества ремонта прозрачных дефектов фотошаблоцов по предлагаемому способу получается за счет увеличения адгезии осаждаемого слоя и, сл довательно, увеличения интегральной оптической плотности дефектного места после техцохимической обработки н 2 раза по сравнению с известным способом,Формула изобретенияСпособ устранения дефектов фото- шаблонов, включающий облучение сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя дефектного места фотошаблоца, помещенного1365036 сфокусированным лазерным излучениемдефектного места со стороны основания фотошаблона н осаждают продуктфотораэложения до тех пор, пока мощность лазерного излучения, проходящего через образующийся маскирующийслой на месте дефекта фотошаблонане уменьшится на 70-857. в среду фоторазлагающегося газа сосаждением продуктов фоторазложениядо получения оптически плотного слоя,о т л и ч а ю щ и й с я тем, чтос целью повышения качества восстановленных фотошаблонов, перед облучением со стороны маскирующего слояпроизводят дополнительное облучение 10 Способ ремонтапрозрачных дефектов фотошаблонов Интегральная оптическая плотностьосаждаемого слоя после технохимической обра ботки ИОП),7 зерногоизлучения в Предлагаемый 85 98 Ремонт дефектного места со сто 80 98 70 97 90 98 Известный 50 роны основанияфотошаблона,а затем со стороны маскирующегослоя Ремонт дефектного места со стороны маскирующегослоя фотошаблона Ослаблениемощности ламоментперефокусировкилазерного излучения,% Характеристика ремонтапрозрачных дефектов фотошаблонов Осаждаемый слой имеет хорошуюадгезию и после технохимической обрабогки не стирается При технохимической обработкепроисходит частичное скалывание осаждаемого слоя При технохимической обработкене происходит скалывания осаждаемых слоев, но ремонт затруднен из-эа больших затратвремени -3 ч При технохимической обработкепроисходит значительное скалывание осаждаемого слоя