Экспонометр

,1363 7/08 4 С ь;)14 Р и ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУи уменьшение энергопотреб шение схемы экспонометр содержит фотоприемник 1 ввода, индикатор 3, ист ния, согласованную пару 5 и 6, резисторы 7, 12, транзисторы 8-11 и канд и 16. Введение новых эл разование новых связей тами позволяют работать нии начиная с 0,9 гальванического эл ленни 1-3 мА. 1 ил.(57) Изобретение отнфототехнике. Цель из В, т.е емента тся к кино ретения ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(56) Авторское свидетУ 779629, кл. С 03 ВАвторское свидетелУ 1030760, кл. С 03 В ления и упроа, которыйрезистор 2 очник 4 питатранзисторов 13 и 14, енсаторы 15 ементов и обмежду элеменпри напряжеот одного при потребИзобретение относится к кинофототехнике, а именно к устройствам измерения экспозиции при Фотографировании, и может быть использовано припостроении портативных экспонометров,а также люксметров.Белью изобретения является уменьшение энергопотребления и упрощениесхемы устройства.На чертеже представлена принципиальная схема устройства,Устройство содержит фотоприемник1, например, Фоторезистор, резистор2 ввода, индикатор З,источник 4питания, к шине которого подключенвывод резистора 2 ввода, и согласованную пару транзисторов 5 и 6, причем коллектор первого транзистора 5соединен с выводом Фотоприемника 1,эмиттер соединен с общей шиной источника 4 питания, а база соединенас базой второго транзистора б, коллектор которого соединен с вторым выводом резистора 2 ввода, а эмиттерчерез резистор 7 соединен с общейшиной источника 4 питания. Устройство содержит также четыре транзисто.ра 8-11 и три резистора 12-14, соединенных одним выводом с шиной источника 4 питания и с коллекторомтретьего транзистора 11, эмиттер которого соединен с эмиттером второготранзистора 6 и вторым выводом индикатора 3, а база соединена с вторымвыводом второго резистора 14 и сколлектором четвертого транзистора10, база которого соединена с коллектором второго транзистора 6, аэмиттер соединен с общей шиной источника 4 питания и с эмиттером пятого 9 и шестого 8 транзисторов, при-.чем коллектор пятого транзистора 9соединен с базами первого 5 и второго 6 транзисторов и се вторым выводомтретьего резистора 13, а. база соединена с вторым выводом четвертого резистора 12 и с коллектором шестоготранзистора 8, база которого соединена с коллектором первого транзистора5, Для обеспечения устойчивости могут быть включены конденсаторы 15 и16 к коллекторным переходам транзис-гторов 8 и 10. Устройство работает следующим образом,Если пренебречь базовыми токами всех транзисторов, то фототок, пооте35В случае использования в качествефотоприемника фотопиода в качестверезисторов следует использовать тококающий через эмиттерный переход транзистора 5, равенБ 4 11 эББ11 К(Е)где 11 - напряжение питания;Н - падение напряжения на эмит"терном переходе транзистора8;10 К,(Е) - сопротивление фоторезистора 1 в функции освещеннос-.ти Е.Обусловлено это тем, что транзистор 5 охвачен отрицательной об ратной связью через транзисторы 8и 9 с управлением по базе. Аналогично охвачен отрицательной обратнойсвязью с помощью транзисторов 1 Ои 11 транзистор 6, но с управлением 20 по эмиттеру. В результате его коллек"торный ток равенП 4ЭБ 011где 11,Б, - падение напряжения на эмит.25 тере транзистора 10;К - сопротивление резистора 2ввода.В этом случае к входу индикатора3 прикладывается разность падений 30 напряжения на эмиттерных переходахтранзисторов 5 и 6, т.е.1 рНБ = 11 х - 1 п- 11 х 1 п -ЭОБ Э 06где Б, - температурный потенциал;э 05161 обратный ток эмиттерныхпереходов транзисторов 5и 6 соответственно.Учитывая, что для согласованныхтранзисторов 5 и б 1 = 1, , а 40 также то, что 11 ББ = 11 . обеспечивается равенством сопротивленийрезисторов 12 и 14, получимКг11 11 1 п --,еьх т К (Е) ф 45 т.е. Нащ практически не зависит отнапряжения питания.Если в качестве индикатора 3 использовать гальванометр, то его медная катушка обладает температурнымкоэффициентом сопротивления, близкимк температурной зависимости 11в результате чего показания гальванометра практически не зависят от температуры (кроме термозависимости фотоприемника).1363120 Составитель В,ВерютинТехред А.Кравчук КорректорМ,Максимишинец Редактор М,Циткина Заказ 6359/36 Тираж 421 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 стабилизирующие элементы, например,отражатели тока.Предлагаемая схема позволяет снизить энергопотребление экспонометра за счет его способности работать при напряжении питания начиная с 0,9 В, т.е. от одного гальванического элемента. при потреблении 1-3 мА. Уст ройство отличается протостой, так как 10 содержит всего шесть транзисторов, не уступая при. этом в точности устройствам, построенным на дифференциальных усилителях.15 Формула изобретенияЭкспонометр, содержащий фотоприемник, резистор ввода, три резистора, индикатор, источник питания, к общей шине которого подключен первый вывод 20 индикатора, и согласованную пару транзисторов, причем коллектор первого транзистора соединен с выводом фотоприемника, эмиттер соединен с общей шиной источника питания, а база 25 соединена с базой второго транзистора, коллектор которого соединен с вторым выводом резистора ввода, а эмиттер через резистор соединен собщей шиной источника питания, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью уменьшения энергопотребленияи упрощения экспонометра, в неговведены четыре транзистора, причемтри резистора и резистор ввода соединены одним выводом с шиной источни"ка питания и с коллектором третьеготранзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером второго транзистораи с вторым выводом индикатора, а база соединена с вторым выводом второго резистора и с коллектором четвертого транзистора, база которого соединена с коллектором второго транзистора, а эмиттер соединен с общей шиной источника питания и с эмиттерамипятого и шестого транзисторов, приэтом коллектор пятого транзисторасоединен с базами первого и второготранзисторов и с вторым выводом третьего резистора, а база - с вторымвыводом четвертого резистора и сколлектором шестого транзистора, база которого соединена с коллекторомпервого транзистора.