Демодулятор амплитудно-модулированного сигнала

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК А,1 19) И 080 51)4 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ССС 09 ОДУО,ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(57) Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает увеличениелинейности детекторной х-ки в области малых сигналов, Устр-во содержитрезистор 1, конденсатор 2, диоды 3 и8, транзисторы 4, 5 и 6, источник 7тока. В данном устр-ве по сравнениюс прототипом расширен динамич, диапазон демодуляции на 10-15 дБ без увеличения потребляемой мощности. 1 ил.1)сзсбрЕТЕЕЕЕ СТНОСИТСИ)НЛИСнике и может бьггь испо;ьзспа;с 11)иСО ЗДс(НИИ ПЯДИ О ПРИЕМЬ 5 Х 1 ),5 СИРЕТЕЛЕНЕХ СТРОЙт 3,1 ЕЕЬ ИзабрЕтЕНИя - уВЕЛКЧЕ)пяс НЕйНОСтЦ ДЕтЕКтСРНОЙ ЯРЯ.;,ГЕРИСЯ.П И в Области малых зиГня.ОВНа черте.е предста. - .пеня шукцис- няльняя э)ектрическя 51 сх.кя П 1)-Для 1 аем 01 о;)ексдуля гор Я Ямпле г".Енс-мДУЛИРОВЯННОГС СкгтагЯ 51 екодул)7 ор Еп 1 тя;1 с-. од лирсвянн 010 си , наля содержит " е 3 и (:торпервый конденсатор 2, ер.Ый ГЕс)ц ,.первый 4,. В Горой .", и ".рет,Й б ", гянЗИСТ 01)ы 1 СТ)ЧНИК / Г ,а И В 7 (.СС)17диод Я,Устройство ряботаег следу В)ьи 5 сб"разам,В СтатИЧЕСКОМ РЕ 71 Е ТОК ПскттЕР:-,первого транзистора 4 раве Гаку базы второго транзистора ) 5 еВгичеякоторо; а очееь;:ала, 1 ервь 5 Й ЕеОди переход эмиттер - база первоготранзистора 4 находят. я ня гроГеоткрывания в пезультате слаосгс пс.сжнтЕЛЬНОГО СКЕЕВЕ(ЕНИЯ, 7 аК: ЯК 13 ГОРОЙдИОд Я ОТКРЫТ П(ЛО)ссгТЕГЕЫЮЬ СтЕ 5 ЕЕЕ:Благодаря этому облег- ак)тс 5 условияпрахождентея н рабочей вопны тока ч.,рез пе 1)вый диод .5, -Як как ег(;, Г.КРЫВЯНЕЕЕ, ПРОИСХСгкГ ГгЕПс, (Л Якрывания перво.с диод;. 3 реб етсяМЕНЬ)Е(й СПЯД НаПРЯжЕН,ГЯ ПЯ -Го КЯТС.де поэтому пер ГЯд 1:,.:.пряжени) Я ба з е уме)ньеяется и р еал ьно сс стявля(: т О, 1-0 с 2 В т что достаточно тця зеск,)ь тия и открытия транзисгогя. Ис пр: -нодит к значит:ьному уеепеГе:(к) ."ыбросов выходчсго 1 апрнжени 5 В ре зультате уменьгения полож 57 е 5) ь ных ныбросов Возрастает амплитуда Огибак)11 е 1 при малых вход).ых сГНИЛЯХ) чта п 1)инодит к ;ясши) ениО е(ия"5 че с кого диапазона демодул 51(ие ,11)1 едпгГ Яемыи Д(,мОДу пя т о 17 Яч 5 и т уг 5 е 10 "сс)пГ)ЛИРОНаННОГО СИГ:-аЛа ЯВЛЯЕТ(.Я ьСДНО:-С лупериадным, Собственно де тек гор)лизован на первом транзисторетранзисторах 5 1 о собран инверти рук)еегий усилитель, Оснсвееъь усеЛЕ), е и; ным элементом я.вляется тре;ий ГрянЗтсгор 6 11 1 ОЧЕИК 7ОКЯ ( тСКпропусканкя постоянной ссе я 3 ляВЕце)Йколлекторного тока и создания вы окого выходного сопротивленияПри наличии нходногс скгналя всхеме автоматически устанавливается 1; ,5. Е ЕРЕ); ( ОМ ПО 1 УОЛ 1 Я ТОКЯ 01ССЧ.11(;1 Е И 1,Я. Я, ГРС ТЕКЯК 7(Е 15 ЧЕРЕЗрВЬЕ тИС).р ", ВЯ г ру 1 ОтПСувсл -тхс 0 Г 1(ГС:; с, 1 Гсслсз, ПРС)ТЕеле)5 ер 1. Гез 1( рВМ):ПЯнзистсс -е, 1)Я- .)(й 5 Ес ,Енг.Пт 5 С.с ЗтстО тС.:ЕСВИЯТГЯЕЯ .Г( ЯВ 7) Я. ЕСс;т 1;)ЦЕЕИЕМ1:,гГ)ЯЕЕИЯ НЯОнЕ НОЯ;ОРЕ, За ( ЧЕТП)ОГК ЕЕ)1 ЕЕ 1 тЕОЗЗ ЕГО Г) .Яот 1 ., ИГсК)В сС.",) ",71113 лс 1 т с РЕЗИ С 70 т) Е 1 ВЬб;ра=тся знатитетее с боль 5.1(м ВхсДНОГОЕ:)ПРС 7 И 1351 ЕИЕ СГЕт:Ь ТОГО ТРЯП 31 сто)Я,Ой, Рссто)Ь(У ПЕРВЫЙ1 сиотх(ЯТ г 01( тП-З ЕГО ЭМИТ; На":,.;. я=т про Ге)ет), после начала отри Я ЕП 1 ОЕт):.:.бос 1 ЕСГУВОЛЕЬ СО ЗНЯТЕЛЬНО ЕЕЕ 5 ЕК ЗЯДЕРЖКОЙ-тЗМ В,.ИО.Е рЕ,;1 Ес ЗЕаЕЕГИЕ тОКЯ, Грс ек Я5:е 1 О че,Вз е:.авдеесатср 2 Вс В 1)еЕ,", т)сбаней пслУВ эглеы, сказывазсЯССЛ ЬИЕ, "Е 5 Во 13 Р Е. Я НЕВ ЯООЧЕИ, ЧТОГИЗОДЕ К НЬКЕП 1 ИВЯ 1 ККЗ ПслсжсГЕтст - ):) ЕОГ( Зат)Яг(Я НС П "с 113 ой, ПО СХЕ:1 ЕСбк;:ядке ксндепсатсря 2 и антоматичесссМУ УМЕЕЬКссЕС СРЕДНЕЕ О ЗкаЕНИЯ тка рабочей полувслнь, до уровня не 3 сба чей ., с 1 еичением стмпли т тдь Врезядер)кки пост".пеено уменьгяется и;. РЯГНО 1 Я 7 Г)сВ. ЕИИ.т с р 1 :у:1 ь и з с б;,) е т е н и яЛС тУтв 7 Г, снмг 511 Т)тДЕ 0-1,СД.)ЛЕЕРС - 1 Я тс 10 СЕ Г Н(Е. с З, д ЕржсзЕ,ИЙ ПС С)1 До 3 с 1:. с.Ссд 1 ЬЕНЫЕ (срБЫЙ К(1")Р 101 1 ПК,ф (Нот П;) ," ЕМ ЛГ т)г и В,5 ВСД ПЗРЧСГО КОЕДЕЕСЯ 1 С)РЯ ЯВЕ 1 ЯЕтСЯ ,(ОдаЧ ДЕМО,;,удя ГС ре Лс)П)итудНО".Мсду - ;П;РСВЯН ОГО 1 ГНЯЛ; Я, ЯКжЕ ПЕРВЫЙ;ОР З 1 ГЕг, (ОТ;Р,0 СОЕтИ - 33 Н С б ЕЗСЙ 37 С 70;, С, Гт):",зк( т;)О(т1) .,гитте.р втер; тр: нз;1: Гора соединенб;зс)Й тэет;. Гс тг анзистсра, эмитксто 1)ОГО .О 1-ее с выволсм исТ 111 сс(Я;тита нкя, р: ЗИСтор ВКЛК)ЧЕННЫЙ . );пу колпекторсм ГервсГО грянзистаи бей 55 иеео,. 1 стс)чник тскя1350809 Составитель В.ЦветковРедактор И,Николайчук Техред И.Попович Корректор О,Кравцова Заказ 5297/5 б Тираж 900 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 включенный между базой первого транзистора и общей шиной, при этом первый диод включен между эмиттером первого транзистора и коллектором третьего транзистора, причем р-и-переходы база - эмиттер первого трачэистораи первого диода включен,я согласно,коллектор второго транзистора соединен с общей шиной, а коллектор первого транзистора является выходом демодулятора амплитудно-модулированного сигнала, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения линейности 5детекторнои характеристики в области малых сигналов, введен второй диод, включенный в прямом направлении между выводом источника тока и коллектором третьего транзистора.