Эмиттерный повторитель

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 9) (1 3 Г 35 гдръгъчр Я;и,6(56) АвторскоеУ 1133651, кл. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫ АВТОРСКОМУ СВИДЕТ Бюл. Р 11к, Ю.В.Сташкив,В.Я;Татарин6(088.8)свидетельство СССРН 03 Г 3/50, 08.04.83(57) Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работающих на емкостную нагрузку. Цельизобретения - повышение быстродействия. Эмиттерный повторитель содержит транзисторы (Т) 1,2, имеющиеразные структуры, отражатели тока(ОТ) 3,4, токостабилизирующий двухполюсник 5 и дополнительные транзисторы (ДТ) б, 7, имеющие структурысоответственно транзисторов 2,1,Входной сигнал подается на объединенные базы транзисторов 1,2. При нуле"вом входном напряжении ток коллектора Т 2 и выходной ток ОТ 3 равныколлекторному току Т 1. Ток эмиттераТ 1 равен. току ДТ 6. Выходной токОТ 4 равен току токостабилизирующегодвухполюсника 5 и входному току ОТ 4,который равен коллекторному токуДТ 6. ДТ 7 находится в режиме отсечки. Положит. приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока Т 2, что приводит куменьшению тока, протекающего черезДТ б. Это вызывает уменьшение выходного тока ОТ 4, появление тока базыДТ 7, который открывается. Через ДТ 7 начинает протекать ток, который заряжает емкостную нагрузку, В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база Т 2 не( 1298853изменяется, т.к. Т 1 и ДТ 6 открыты, Это сводит к минимуму влияние емкости коллектор - база Т 2 на входное сопротивление эмиттерного повторителя. 1 ил.11 = Ек с За 1 тф1 сюР,макс от ф 1Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работающихна емкостную нагрузку,Цель изобретения - повышение 5быстродействия .На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя,Эмиттерный повторитель содержит 10первый 1 и второй 2 транзисторы, первый 3 и второй 4 отражатели тока,токостабилизирующий двухполюсник 5,первый 6 и второй 7 дополнительныетранзисторы. 15Эмиттерный повторитель работаетследующим образом.В статическом режиме (при нулевомвходном напряжении 0 = 0) ток колвулектора второго транзистора 2 (1) 20равен. выходному току первого отражателя 3 тока (1 ), который, в своюочередь, устанавливается равным коллекторному току первого транзистоРа 1 (1 к)г 5 где- коэффициент усиления токабазы первого дополнительного транзис- ЗОтора 6. Ток эмиттера первого транзистора 1 35 (1, ) равен току первого дополнительного транзистора 6 (1 ). Выходной ток второго отражателя 4 тока (14) равен току токостабилизирующего двухполюсника 5 (1 О) и входному току 40 второго отражателя 4 тока, который устанавливается равным коллекторному току первого дополнительноготранзистора 6.45О 4 кб Э 1 2Вследствие того, что выходной ток второго отражателя 4 тока равен 1 второй дополнительный транзистор 7 находится в режиме отсечки.Положительное приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока второго транзистора 2, что приводит к уменьшению тока базы первого дополнительного транзистора 6, а следовательно, к уменьшению тока, протекающего через этот транзистор. Это приводит к уменьшению входного и, следовательно, выходного тока второго отражателя 4 тока. Вследствие уменьшения тока второго отражателя 4 тока появляется ток базы второго дополнительного транзистора 7, который открывается, и через него начинает течь ток который заряжает емкостную нагрузку,Через второй транзистор также течетток заряда где ., - ток заряда, протекающий че-,рез первый транзистор 1,- коэффициент усиления токабазы второго дополнительного транзистора 7.В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база второго транзистора 2 не изменяется вследствие того, что первый транзистор 1 и первый дополнительный транзистор 6 находятся в открытом состоянии, Это сводит к минимуму влияние емкости коллектор - база второго транзистора 2 на входное сопротивление эмиттерного повторителя.3 1298853 4Если ,получаетает некоторое отри- емкости коллектор - база первого ииращение П то выэы- второго транзисторов как в режимахвает уменьшение коллекторного тока заряда и разряда, так и в моментывторого транзистора 2, вследствие переключения схемы.чего увеличивается ток, протекающийчерез первый дополнительный транзис- Ф о Р м у л а и з о б р е т е н и ятор 6 и первый транзистор 1. Черезпервыи транзисторт анзистор 1 протекает ток Змиттерныи повторитель, содержа 3о К 2 /6) который через первый отражатель 3 тока начинает разряжать емкостную нагрузку 15.О 1 6 То кй 1 сЪ ОЭМОКСО Составитель И.ВодяхинаТехред Н.Глущенко Корректор С.Шекмар,Редактор В,Петраш Заказ 895/56 Тираж 902 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж. Раушская наб д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 В режиме разряда емкостной нагрузки 2 О напряжение коллектор - база второго транзистора 2 не изменяется благодаря тому, что, как и в случае заряда, первый транзистор 1 и первый дополнительный транзистор 6 открыты и пе редают входное напряжение в коллектор второго транзистора 2. При достаточно большом коэффициенте усиления тока второго транзистора 2 этот транзистор не запирается, что также повыО шает быстродействие схемы. Кроме того, второи транзистор 2 работает практически при одном и том же токе 1 что повышает точность отслеживаФния входного напряжения. 35Таким образом, как при положительном, так и при отрицательном приращении входного напряжения, время установления переходного процесса в эмиттерном повторителе минимально, 40 что достигается компенсацией влияния щий первый и второй транзисторы,имеющие разную структуру, базы которых объединены и являются входомэмиттерного повторителя, коллекторпервого транзистора соединен с входом первого отражателя тока, выводыпитания которого соединены с первойшиной источника питания, а выход - сэмиттером второго транзистора, являющимся выходом эмиттерного повторителя, причем коллектор второго транзистора соединен с первым выводом токостабилизирующего двухполюсника ис базой первого дополнительного транзистора, имеющего структуру второготранзистора, эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером первогодополнительного транзистора, а такжевторой дополнительный транзистор,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения быстродействия, введен второй отражатель тока, выводыпитания которого соединены с второйшиной источника питания, вход - сколлектором первого дополнительноготранзистора, выход " с вторым выводом токостабилизирующего двухполюсника и с базой второго дополнительного транзистора, имеющего структурупервого транзистора и включенногопо схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с эмиттеромвторого транзистора,