Способ измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих образцов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1287066
Авторы: Дудко, Мачульский
Текст
САНИ ТЕНИ обе измерения юл. ) 4 .Д.Дудко ССР982. идетельство 01 К 33/12,рения .вышаает ЧЕННОСТ РОВОДЯМЕРЕНИЯ НАЧАГНИРОДНЫХ ЭЛЕКТРОие относится к ия агнито- расши- увелиых обющег исехнике. Цел рименения п пытания неп рение областчения классаразцов (О),ции или вытал ных и вибра- тигаетзрушающихся ивании. Она ОСУДАРСТВЕНИЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) СПОСОБ ИЗ НАСЬПЦЕНИЯ ОДНО ЩИХ ОБРАЗЦОВ (57) Изобретен измерительной ся тем, что в спос магниченности нась электропроводящих внешнего поля (ВГ) ляют как уровень в при котором потери слое О, одновремен радиочастотном сла ют своего минималь щения однородных О напряженностьнасыщения опред озрастающего ВП, в поверхностном но наблюдаемые в бом поле, достиг ного значения. О упомянутые поля в процессе изм неподвижны, а уровень ВП не пр ет значения, при котором насту насыщение. В описании изобрете дана схема устройства, реализу способ. Изобретение может быть пользовано при измерении магни характеристик О из электропроматериалов. 1 ил, 1287066 2Изобретение относится к магнитно- измерительной технике и может быть использовано при измерении магнитных характеристик образцов из электропроводящих материалов. 5Цель изобретения - расширение области применения путем увеличения класса измеряемых образцов, получения возможности испытания непрочных образцов, разрушающихся при вибрации 10 или выталкивании.Сущность способа измерения на образцах с известным коэффициентом размагничивания заключается в намагничивании образца в однородном постоян ном поле и измерении его внутреннего поля. При этом намагниченность насыщения материала определяется как разность упомянутых внешнего и внутреннего полей при насыщЕнии отнесенная к известному коэффициенту размагничивания. Способ отличается от известныхтем, что напряженность внешнего поля насыщения определяют как уровень возрастающего внешнего поля, при котором25 потери в поверхностном слое образца, одновременно наблюдаемые в радиочастотном слабом поле, достигают своего минимального значения. Образец и упомянутые поля в процессе измерения 30 неподвижны, а уровень внешнего поля не превышает значения, при котором наступает насыщение. На чертеже представлена схема иллюстрирующая предлагаемый способ.Схема содержит образец 1, измеритель 2 напряженности внешнего поля Н, измерительные преобразователи 3 и 4, измеритель 5 напряженности поля 40 Не, катушку индуктивности 6, радиочастотный измеритель 7 составляющих полного сопротивления, постоянное, однородное, намагниченное поле 8.Для измерения намагниченности на .сыщения 1 магнитно сопрягают образец 1 с катушкой индуктивности 6 так, что он находится внутри или вблизи нее, йричем угол р составляет от О до 360 градусов, устанавливают началь, ный (минимальный) уровень внешнего поля 8, контролируемый измерителем 2, снабженным йзмерительным преобразователм 3 и с помощью измерителя составляющих полного сопротивления измеряют соотношение К/х, где х - реактивная, а К - активная составляющая, затем упомянутый уровень изменяют (увеличивают) и снова измеряют К/х и т,д. Таким образом, с помощью изме рителей 2 и 7 определяют минимальное значение Не ;, при котором К/х становится минимальным. При этом значении Не измеряют с помощью измерителя 5, снабженного измерительным преобразователем 4, напряженность внутреннего поля Н, ; причем преобразователь 4 помещают в непосредственной близости к образцу в его средней части, затем определяют искомую 1 б по формуле (для сферического образца)1,=3(Н, . -Н)Если образец выполнен в виде эллипсоида вращения, цилиндра, тонкойпластины, 1 вычисляют по формулеНе ;и Н ш,и5 Кгде М - коэффициент (тензор) размагничивания образца.В качестве измерителя 7 может использоваться, например, измерительимпеданса и передачи типа ВМ.Формула и з обре т е н и яСпособ измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих образцов, заключающийся в воздействии внешнего однородного постоянного магнитного поля известного уровня на образец, сопряженный с катушкой индуктивности, измерении внутреннего поля в образце и определении отношения разности внешней и внутренней напряженностей полей к коэффициентуразмагничивания образца, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области применения путем увеличения класса измеряемых образцов, измеряют отношение активной и реактивной составляющих сопротивления катушки индуктивности при напряженностях внешнего магнитного поля известного уровня при увеличенном его значении, определяют минимальное значение напряженности поля, при котором отношение активной и реактивной составляющих минимально, и при этом значении напряженности измеряют напряженность внутреннего поля в образце, измеряют активную и реактивную составляющие сопротивления катушки индуктивности и в момент достижения их отношения минимального значения в зависимости от изменения внешнего магнитного поля измеряют напряженностивнешнего и внутреннего магнитныхполей.128706 б оставитель А. ивеев ед Л,Сердюкова,Редактор И.Сегляник ектор А,Тяско Заказ 7712/48 сно 4( Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная Тираж 73 НИИПИ Государств по делам изобр 13035, Москва, ЖПодпнного комитета СССтений и открытий35, Раушская наб.,
СмотретьЗаявка
3896405, 16.05.1985
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8071
ДУДКО ДМИТРИЙ ИВАНОВИЧ, ДУДКО СЕРГЕЙ ДМИТРИЕВИЧ, МАЧУЛЬСКИЙ АНАТОЛИЙ ВЕНИАМИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/12
Метки: намагниченности, насыщения, образцов, однородных, электропроводящих
Опубликовано: 30.01.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1287066-sposob-izmereniya-namagnichennosti-nasyshheniya-odnorodnykh-ehlektroprovodyashhikh-obrazcov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения намагниченности насыщения однородных электропроводящих образцов</a>
Предыдущий патент: Протонный магнитометр
Следующий патент: Способ бесконтактного измерения параметров цилиндрических проводящих изделий
Случайный патент: Способ обеспыливания вторичного сырья