Способ регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса

(51) 4 ь 01 й 24/10 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А ВТОРСМОМЪ( СВИДЕТЕЛЬСТВУ 54) СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ СПЕКТРОВЭЛЕКТРОННОГО ПАРАМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА(57) Изобретение относится к электронному парамагнитному резонансу ЭПР иможет быть использовано при радиоспектроскопических исследованияхтвердых те 1Цель изобретения - повышение чувствительности при регистрации крыльев линий ЭПР в твердыхтелах, С этой целью исследуемый образец помещают во внешнее амплитудномодулированное магнитное поле, которое модулируют так, чтобы сверхвысокочастотные импульсы, которыми воздействуют на образец, насыщали участки резонансной линии симметрично еецентру, Амплитуду, частоту и длительность сверхвысокочастотных импульсовустанавливают одинаковыми, 2 ил,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРГ 10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР(56) Альтшулер С,А, и Козырев Б,В,Электронный парамагнитный резонанссоединений элементов промежуточныхгрупп. М.: Наука, 1972, с35-37,Ацаркин В,А, Проверка концепцииспин-спиновой температуры в опытахпо насыщению электронного парамагнитного резонанса. - ЖЭТФ, 1970, т,58,с,1884-1895,ЯО 124941 7 А 1Изобретение относится к Об асЭЛЕКТРОННОГО ПаРамаГНИтНОГО Рттт ЗО)а сз ЗПР и может быть использованопри радиоспектроскопических .; Рсл: в .гованиях твердых тел.Цель изобретения - повышение чувСТВИтЕЛЬНОСти ПРИ РЕ.ИСтРаЦИ; -сР:.)п;Е тлинии ЭПР в твердых телах.На фиг 1 представлена взатлмос )Рзанная Временная диаграмма в Нчн)гывнешнего модулированного магнитно: оноля, насыщающих СВ 1-импутьсгв и .птнии поглощения ЭПР, На ф 55,2сгект".ЭПР-ПОГЛОщЕНИя В ОбпаСти КрЬВт,ЕВ .551 нии ЭПР,Предла аемьг)11 спет Об тэеРлтэНа.,регистрации спектра ЭПР ионов трвалентного церия Ге , Введенных з)ачестве примеси В кристалл згзль.,)аа.мата кальция С.)0 Внешнее аг 5:ит"ное поле моцулируот так, что ча исследуемый образец поеремен-.г с ука;)анньгми сверхвысокочастоты).з импуль 1.ами дополнительно воздействуют .Верхвысокочастотнъ)ми импульсами, 5 ась)ща)г, -ЩИМИ УЧаетОК РЕЗОНаНСНОй ЛЮгвИ СИМ"метричный с исследуемым участком Относительно ее центэа ритуду частоту и длятельностгь све:хгьОКОЧаСТОтНЫХ ИМГУЛЬ ОВ УСттЬ 1)З."Ватвт ОДИНаКОВЬГтИ,) . В данном случае изменение температуры диполь-дипольного резервуара. вызванное насыщением на одном крыле линии, компенсируется нась)щРлие). ее 1 Ротивоположного кРыла, В РезУт 1 ьгате эгоаничение на передачу энергии г центр линии теряет силу, и набл)с,:;аемое между импульсами изменение сигиала ЭБР В центре линии харак")еризует величину поглощения ча несьпаемьгх участках крыльев. Снимая зави- СИМОСТЬ ЭТОГО ЭффЕКТа От ВЕ 3 гИтИНЫ расстройки насыщенных участков тини:., Относительно ее пентра, голучаВ ис"45 тинук) форму сгектра ЗПР на .рьль 5 хт Эксперимент проводят при температуре 1,7 К на спектрометре ЗГР д);г.таз ога волн 3 см. Внешнее магнвтное поле синусоидально модулируется с периодом 20 мс, много меньшим Времени спин-ре- ШЕТОтНОЙ РЕЛаКСаЦИИ Г -1,1 Ст 1 Ьг)Л)Л(туду модуляции Н устанавливат много большей полуширины линии ЭПРт составляк)щей 15 Гс, Зависимость велигиты 5 л поля Н от Времени показана на 1 Вг. Там же показана ВрРменна 51 деар-мма СВОт-импульсов, предназначен.ых дя. т С Ь Щ Р )Г Я 13 аД Я и : ЫХ "т 1 тт.," Г -т Д Б С : Е К ТР таЭГ, Период следования илпульссв Вданном примере вдвое меньше периода"К ВУЛЯЦИИ ПРИЧЕМ М 1 УЛЬСЫ ВКТГО".ВтнэтАКР ГРЕ та тт ВЫХ 1 -;т К а,т:, РН 1 НОМт)дт, ЧЯЦИИ, Д.итР,ГЬ" С" " В;ЬГ-1-т 1 т ОМ ПрИМЕрЕ СГ- тт-.-. 11 . М1- ," мощностьСС) кб,т ".и Ня ЭП)Р абтвоааЕТСЯ ПО ГотгОБ)Р:л;т, -,табо: О , ЕМ:-. ХЛУ ИМПУЛЬСатмЛ т 1 У.гЕМ РЕГУтИРОВК 5 т гО тэХННСй СОС "таят)я)г 5 гЕ) ПО:я Н ЛИ")ЕЛЬНО ЕЕ 1 тввтра, . )-,атт-:НО; тч-;)ПтМЕРГ Г с Г СТ РОИК Я т, .151 Стщ-З РМЬтх Утт =,С Кон ЛИ)ВО тн О г ит Р,)ь ь О Р Р ). е н г .; а .". О с " .а В л я Р .1т)О ЛЕ ВКтДОЧЕН)ЛВ; В. Г) ) т - ОБ Иэ мт ряЕ С,. ИЗМЕНЕНИЕ т 1 тЛт Нап-; за=-1)ОГЛШЕНИН В цЕНттЭЕ ЛИНИИ )р: рарттттГ, Вт.иттИиойт А ЭТОГО же СИГ Заза т Т - С",СТВИЕ Насыщотт.,Вт,Л .т)Р- -заввсимостт фа;.Тзчески,) , -а"-.- 1 тЗГ Соб)Й СНЕ;. Гр ЭЦ"- ГОГ - .Ощтвя).: В Облсти дальних крьльев ли 1)л) 3:)г,г. пособ ре) и трации с)Вк гвов з.;.ек --тронного парами гнитн) о резо.ла.;а 1-.)ЦР 1, Вклича)Ощли г)омещение ист ледуемого Образца В амглитудно-модулироВанное енешнеР ма:игОР ПО;е ям- ГЛ ИтудОй, ПВЕВтП)а)т)Е Ширину тМя:Ь ЭГР 5 и птзриодом 5 мень 5 ятл В ре.)ени СПИН в РЕШЕтОЧН РепахаЦИИт НОЗДЕйГВ ИР На утт(аэс 1 НЬтй Обр, ЗЕц СЗ т)ГВЫГ :)КОЧаСТОТНЫМИ ИМ)УГ.)тоами СННХРОНИ" зированными с указагп)ой .)одуляцией и "асыща)оцими изслРдуемьй участок РЕ ЗОНаНСНОй ЛИНИИ т И РЕГСТРадт)ВС сигнала 3 ГР В промеж, тах Между им)ттт); Сами О г Л И т и Р Ш И 1" , Я ". т.ЧЛ. ЧГО, С ЦЕ,ЬЮ ПО"т 3 ЬШЕНИЯ ЧтВ СТВ т 7.9ТЕ;Внот-ТЯ ПРИ РЕ НС та,1;Н 5;т 5 Ы 1",ЛВ Р ЗОНаНС Ной ЛИНИИ, На ИС,тРДУЕМтэйт Обт)ВЗЕЦ 1 СПЕРЕМЕ 5 О:.К;. заННЫМЛ СВЕРХВЫСОКОЧа". ТОТНЫМИ 5)ЛИАТ Р ".Ь; ",О:)От:И -1249417 л/л оставитель А,Федоров Техред Г,Гербер Корректор С.Чер Редактор Е,Папп каз 4229/25 Подписноеного комитета СССРний и открытий 4/ аушская на Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужго тная,4 л. тельно воздействуют сверхвысокочастотными импульсами, насыщающйми участок резонансной линии, симметричный с исследуемым участком относительнон,й 7о сд Тираж 77ВНИИПИ Государствепо делам изобрет113035, Москва, Жее центра, при этом амплитуду, частоту и длительность обоих сверхвысокочастотных импульсов устанавливаютодинаковыми.