Способ изготовления нагревательного элемента паяльника

Номер патента: 116940

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Ганс-Диттер, Фритц

МПК: B66C 23/82, B66C 23/88

Метки: возвратно, вылета, гидравлическое, изменения, машин, нагрузкой, направлению, особенности, переменной, перемещений, подъемного, поступательных, сообщения, стрелового, стрелы, элементам, элементов, этих

...через обратные клапаны 10 и 11 в трубопровод 2 или д, давление которого меньше давления наполнения.Если, например, масло подается насосом 1 в трубопровод 2, то оно поступает в полость 7 цилиндра и смещает поршень 5 влево,Так как вытесненное из полости 6 цилиндра количество масла меньше, чем потребность насоса 1, то через обратный клапан 10 насос О дополнительно подает недостаюгцее количество и при этом одновременно в трубопроводе 3, а также в полости 6 цилиндра удерживается установленное низкое давление. До тех пор, пока поршень 5 преодолевает усилия напора, давление в полости 7 цилиндра будет всегда выше, чем в полости 6. Если наступает момент опрокидывания нагрузки, когда на поршень действует тяговое усилие, то в полости 7 цилиндра...

Номер патента: 182453

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Литвинчук, Обвинцев, Трофимчук

МПК: F16L 19/025

Метки: воздуховодов, смежных, соединение, стыковое, элементов

...гаю Известные стыковые соединения смежных элементов воздуховодов, получаемые склеиванием отбортованных концов, не имеют необходимой жесткости.Предложенное соединение отличается от известных тем, что между концами смежных элементов воздуховодов размещена муфта, концы которой расположены в полости элементов, а в средней части по ее периметру образован выступающий над соединяемыми элементами гребень, к которому примыкают отбортованные концы элементов,На фиг, 1 изображен перспективный вид стыкуемых элементов; на фиг, 2 - готовое стыковое соединение.На концах смежных элементов 1 стьгкуемых воздуховодов делается отбортовка 2. Между элементами 1 размещена муфта 3, концы которой 4 входят в полости стыкуемых элементов. Средняя часть муфты имеет...

Номер патента: 517151

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Грунде

МПК: H03K 5/13

Метки: задержки, элемент

...этносится к импульснэй технике и может быть использовано в схемахформирователей импульсов, в частности,для формирования задержанных импульсныхсигналов,Известен элемент задержки потенциальных сигналовсодержащий элемент "И-НЕфтранзисторно-транзисторной логики, к одному из входов которогэ подключена времязадающая диодно-конденсатэрная пэследовательная цепь.Цель изобретения - увеличение быстрэдествия устройства и повышение стабильности рывается транзистор 2, кэтэрьй затемоткрывает транзистэр 3. Начинается заряд кэнденсатэра 11 через резистор 7 и эткры тый транзистор 3. При этом на выходе лэ гическэгэ элемента 1 создается высокийпотенциал, так как транзистэо 4 остается открытым, а транзистор 5 - закрытым.После зарядки кэнденсатэра 11 дэ...

Номер патента: 556452

Опубликовано: 30.04.1977

Авторы: Опманис, Розенфелдс

МПК: G06G 7/12

Метки: коэффициентом, передачи, переменным, элемент

...содержит управляемый полевой транзистор 1, к стоку и истоку которого подклю чены повторители напряжения 2 н 3, представляющие собой дифференциальные операционные усилители с высокоомным входом. К выходам повторителей напряжения 2 и 3 подсоединены резисторы 4 и 5, образующие дели тель напряжения, служащий для лннеаризации и симметрнрования вольт-амперных характеристик управляемого полевого транзистора 1. К подложке транзистора 1 подключе" фиксирующий резистор 6 для фиксации 25 потенциала подложки, что обеспечивает нормальную работу устройства при любом знаке напряжения стока. Вход 7 устройства связан с входом повторителя напряжения 2 и истоком управляемого полевого транзистора 30 1, выход 8 устройства - с входом повтори556452...

Номер патента: 1585834

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Рожков, Романенко, Шалимова

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...обеднению поверхности подложки 1 основными носителями заряда, а величина превышает пороговое значение 5 - 70 В происходит быстрое переключение за время менее 0,5 мкс (фиг,3) в проводящее состояние с сопротивлением 10 - 10 Ом, Вольтамперная харак 4теристика элемента после переключения в проводящее состояние изображается кривой СОО на фиг.2. Это состояние устойчиво, запоминается элементом и сохраняется при отключении питания,При приложении напряжения, обогащающего поверхность полупроводниковой подложки 1 основными носителями заряда, и пропускании через элемент тока большео пороговой величины, около 100 мкА, происходит обратное переключение элемента из проводящего в исходное высокоомное состояние за время 0,4 мкс (фиг.3)....