Способ реверсивной записи голограмм

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 0 03 Н 1 18 Н АВТОРСКОМ ТЕЛЬСТВУ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ИСАНИЕ И(71) Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола(56) Регистрирующие среды для голографии.Под ред. Н. И. Кириллова, В. А. Барачевского, Л.: Наука, 1975, с, 143 - 147.Авторское свидетельство СССР570281,кл. б 03 Н 1/18, 1976,(54) СПОСОБ РЕВЕРСИВНОЙ ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ(57) Изобретение позволяет уменьшить время стирания голограмм, записанных в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, при сохранении оптических качеств полупроводников. При действии света на халькогенидный стеклообразный полупроводник ускоряется процесс фазового перехода серы как в процессе записи, так и в процессе стирания. Стирание осуществляют источником света длиной волны 500 - 900 нм при температуре халькогенидного стекло- образного полупроводника 96 в 1 С. 1 ил.5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 50 Формула изобретения Изобретение относится к голографии и может быть использовано для записи и хранения голографической информации.Целью изобретения является уменьшение времени стирания при сохранении оптических качеств полупроводника. Сущность способа заключается в том, что запись голограмм в халькогенидных стеклах системы мышьяк - сера с избыточным содержанием серы (например, АзвЬвв, АзгвЯть, Азво.7 о) в области повышенных температур основана на фазовом переходе серы, находящейся в матрице стекла, инициированным светом. Температура 95,5 С является точкой фазового перехода серы. Если халькогенидный полупроводник предварительно нагреть до температуры выше 120 С, а затем резко охладить, то, материал становится чувствительным к свету в области пониженных температур (40 - 80 С) с максимумом дифракционной чувствительности в области 60 С. Действие света значительно ускоряет процесс фазового перехода серы в халькогенидном стекле как в процессе записи, так и в процессе стирания. Выбор температуры стирания 96- - 120 С основан на том, что под действием когерентного излучения длиной волны 500 - 900 нм становится возможным стирание записанной при 40 - 80 С информации. При этом, по-видимому, становится возможен переход серы из ромбической в моноклинную модификацию (в процессе записи при температуре материала 60 С происходит фазовый переход из моноклинной в ромбическую серу). В указанном интервале температур скорость стирания зависит от мощности стирающего света и температуры халькогенидной пластины. При 110 - 120 С скорость стирания может достигать единиц и даже десятых долей секунды при плотностях света 100 - 1000 мВт/мм.На чертеже приведены зависимости дифракционной эффективности при записи (кривая 1) и стирания от температуры подогрева материала без дополнительного облучения света (кривая 2) и с облучением светом (кривые 3 и 4), причем увеличение интенсивности облучения приводит к увеличению скорости стирания (кривая 4 смещена в область более низких температур). Время стирания для кривой 2 составляет 3 - 4 мин, а для кривых 3 и 4 - 20 с.Кривые 3 и 4 приведены в качестве примера активации светом процесса стирания записанных элементарных голограмм при разных мощностях облучения и постоянной экспозиции 20 с. Эти кривые построены таким образом: строилась зависимость стирания величины дифракционной эффективности элементарных голограмм от времени облучения светом при фиксированных температурах материала и мощности света. Затем из этих кривых брались значения дифракционной эффективности, полученные за одно и то же время стирания для разных температур материала (кривая 3). Кривая 4 строилась аналогично, но для большей мощности излучения,Пример 1. Запись голограмм производится лучом Не-Ме лазера длиной волны 632,8 нм на материале АзгоЯво при 60 С. После записи материал охлаждают до комнатной температуры и производят неразрушающее считывание голограммы. Для осуществления последующего стирания материал нагревается до 100 С. При облучении светом (Х 640 нм) мощностью 40 мВт/мм время стирания составляет 30 с. При облучении светом мощностью 100 мВт/мм 10 с,Пример 2. Запись голограмм осуществляется лучом Не-Ме лазера длиной волны 632,8 нм на материале АзгоЯво при 60 С. Стирание изображения производится путем облучения материала излучением Кг лазера Х 640 нм, нагретого до 115 С. При облучении мощностью 40 мВт/мм время стирания составляет 12 с. При облучении светом мощностью 100 мВт/мм - 3 с. На этом материале осуществлено более 100 циклов записи- стирания. Качество оптической поверхности материала остается без изменения. Пример 3. Запись голограммы производится на материале АзвЬвв при 60 С (Х 632,8 нм). Стирание голограммы проводится путем облучения материала белым светом с длинами волн 500 - 800 нм и мощностью излучения -20 мВт/мм при температуре материала 110 С. При этом время стирания составляет -40 с. Использование предлагаемого способа позволяет уменьшить время стирания (порядка 3 - 40 с), снизить температуру стирания до 96 С, что в совокупности с низкой температурой записи голограмм (40 - 60 С) позволяет использовать эту среду для реверсивной записи голограммы в одном объеме с гибридными микросхемами, сохранить качество оптической поверхности для халькогенидных стеклообразных полупроводников, обогащенных серой, обладающих большой дифракционной эффективностью при осуществлении многократной (более 100 циклов записи голограмм. Способ реверсивной записи голограмм в халькогенидных стеклообразных полупроводниках путем освещения объекта, нагревания полупроводника, записи интерференционной картины при 40 - 80 С с последующим стиранием, отличающийся тем, что, с1223201 света длиной волны 500 в 9 нм при температуре халькогенидного стеклоооразного полупроводника 96 в 1 С. У,О Составитель Е. АрТехред И. ВересТираж 436осударственного комитм изобретений и отква, Ж - 35, Раушскаяатент, г, Ужгород, ул целью уменьшения времени стирания при сохранении оптических качеств полупроводника, стирание осуществляют источником Редактор Т. КугрышеваЗаказ 1712/50ВНИИПИ Гпо дел1 13035, МоскФилиал ППП П тамоноваКорректор Е. РошПодписноеета СССРрытийна 6., д. 4/5Проектная, 4