Способ записи голограмм

(21 51) М, Кл,Ч 03 Н. 3./1 Государственный комитет Совета Министров СССР ое делам нзооретений н открытий(72 Авторы изобретения ОВСКИЙ иВ.Г йко 1 истнтут ОВ(71) Заявите атики и элекрометрии Сибирского отделеАН СССР 4) СПОСОБ ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ 30 Ближ решением в хальководниках ттутем ос НОГО И ПР Изобретение относится к оптике и. может быть использовано для записи и хранения голографической информации.Известны способы записи и церазрушаощего считывания голографтттеской информаб ции в халькогенидных стеклообразных но лупроводниках (ХСП), которые заключаот. ся в проектировании интерференционной: каотины опорного и световых пучков наХСП при комнатной температуре, Для записи ис пользуется свет с длиной волны, к которой используемый ХСП обладает светочувствительн остью, Неразрушаощее считы-вание в реальном масштабе времениф возможно только при использовании источника сВета с другов длиной Волны с которой данный ХСП не обладает светочувствительностьто,йшим известным технологическим является способ записи голограмм ени рных стеклообразных полупролучом лазера одной длины волны, Вещения объекта, совмещения опоредметиого пучков, нагревания 2полупроводника и записи интерференционной картинь 1, в котором для повышения чувстви тельн ости материалов увеличения дифракционной эффективности голограмм и обеспе чения неразрушаощего их считывания процесс записи голограмм осуществляется пртео температурах материала от 50 до 400 С, а считывание голотрамм производят при температуре материала ниже 50 С. При из вестном способе записи и неразрушающего считывания голограмм В ХСП время записи нельзя уменьшитьиз-за большой инерционности процессов фотоструктурньтх превращений в ХСП, Кроме этого, при этом способе невозможно управлять усилением величины дифракционной эффективности в отсутствие интерференционной картины, проектируемой на ХСП.Целью изобретения является уменьшение времени записи и обеспечение управляемого усилия величиной дифракционной эффективности голограммы .в Отсутствиеинтерференционной картины на ХСП.Для этого полупроводник повторно на- гревают и экспонируют светом, после чего считывают голограммы в охлажденном материале и далее аналогично процессы повторяются до полного получения необходимой величины дифракционной аффектив ности.Усиление величины дифракционной эффективности голограмм проводитсясветом с длиной волны в диапазоне 0,4-1,1 мкм и длиной когерентности менее 0,1 см ( т.ь. ь качестве источника света может быть ис О польэована обыкновенная лампа накаливания). Температуру повторного нагрева уста-.о навливают в диапазоне от 30 до 400 С в зависимости от типа используемого халькогенидного материала, а температура охлаж дения материала, при которой осуществляют неразрущаюшее считывание голограмм, устанавливается в диапазоне от плюс 30 Содо минус 100 С.На фиг, 1 показано устройство записи 20 голограмм; на фиг, 2 - последовательность процессов временного запоминания интерференционной картины в виде низкоэффективной голограммы и управляемого усиления величины дифракционной эффективности 25 ато й гол огр аммы. Когерентное излучение зазора 1 с помошью светоделителя 2 и зеркал 3 разделяется на предметный и опорный пучки, ко30 торые совмешаются в плоскости образца ХСП 4, Нагревапие ХСП в процессе регистрации интерференционной картины от опор ного и предметного пучков осуществляется от внешнено источника тепла, в качестве З 5 которого может быть использована алектропечь с прозрачными дпя света окнами либо излучение, например, СО лазера.На участке записи интерферируюшие между собой опорный и предметный пучки на- ф правлены на образец ХСП, например, состава 1586, при атом, участок обазца или весь образец нагревают до 30-90 С в зависимости от необходимой начальной скоро сти записи голограммы. Уменьшение времени записи обусловлено тем, что при предлагаемом способе записи отпадает необхо- димость в экспонировании ХСП до получения максимальной дифракционной Эффективности голограммы. Процесс экспонирования пре крашается по достижении величины дифракционной эффективности около 1%,Б таком виде голограмма хранится при комнатной температуре до момента ее уси ления участок хранения). Участок хранеЯ ния в случае необходимости может отсут ствовать. Управляемое усиление величины дифракционной аффективности (участок усиления) при отсутствии интерференционнойкартины осуществляется либо термическимнагревом данного сосьва ХСП в областитемператур от 45-90 С, либо термическим нагревом совместно с облучением пластины светом волны в диапазоне 0,4-1, 1 мкм,причем во втором случае увеличиваетсяскорость процесса усиления по сравнению спервым. В качестве источника света вовтором случае используется как когерентное излучение так и излучение с малойдлиной когерентности. Процесс усиления дифракционной аффективности прекращаетсяпри охлажденоии образца ХСП до температуры ниже 30 С. При этих температурах осушествляется неразрущаюшее считывание голограмм лучом лазера той же длины волны,которым проводилась запись при повышен ных температурах,Иэ приведенного примера видно, что притаком способе появляется возможность записи голограмм за время менее единиц секунд с помошью импульсных лазеров и припоследуюшем усилении могут быть получены голограммы с величиной дифракционнойэффективности до 80% и более.Формула изобретения1, Способ записи голограмм в халькогенирных стеклообразных полупроводниках лучом лазера одной длины волны путем освещения объекта, совмешения опорного и предметного пучков, нагревания полупроводника и записи интерференционной картины, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью уменьшения времени записи и обеспечения управляемого усиления дифракционн 4 й аффективности голограммы в отсутствии интерференционной картины, полупроводник повторнонагревают и экспонируют светом, после чего считывают голограммы в охлаж денном материале и повторяют указанные операции до полного получения необходимой величины дифракционной аффективности.Ф2, Способ по и, 1, о т л и ч а ю ш и йс я тем, что, повторное экспонирование Осушествляют светом с длиной волны В диапазоне 0,4-1,1 мкм и длиной когерент ности менее 0,1 см, температуру халькогенидного материала при повторйом нагревеО устанавливают в диапазоне от 30 до 400 Г,а охлаждение материала осуществляют вдиапазоне температур от+30 до -100 ОС.570281 Реда По дписн оеМинистров СССР э 3308/4 Тираж 564НИИПИ Государственного комитета Советапо делам юобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4 Филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул, Прое Составитель Е, Халатова Горькова Техред Н. Андрейчук Корректор Е.