Способ электрометрического определения элементов залегания скрытых под наносами пластов

Номер патента: 121516

Автор: Блох

ZIP архив

Текст

М 121516 Класс 21 д, ЗОа 1 ц п р 13 г ,Г,.отЬл 4" "17 д 1 Йл ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Бло ПОСОБ ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯЕМЕНТОВ ЗАЛЕГАНИЯ СКРЫТЫХ ПОД НАНОСАМИПЛАСТОВ Заявлено 15 марта 1955 г. за2648/576746/26:в Отдел изобретательств и рационализации Министерства геологии и охраны недр СССРКруговые исследования симметричными электрометрическими установками (круговые профилирования и круговые зондирования) разработаны для определения простирания анизотропных пород. Этот способ может применяться лишь при наличии анизотропии горных пород, когда кажушиеся сопротивления, измеренные установкой, ориентированной вкрест простирания, имеют меньшие значения, чем по простиранию. Недостатком способа являются весьма ограниченные его возможности, позволяющие, с одной стороны, применять его на участках, где нет че- редования четко выраженных пластов или других неоднородностей, а с другой., - получать из всех элементов залегания лишь одну лини)о простирания.Замена симметричных установок несимметричными не устраняет указанных недостатков, а лишь способствует решению вопроса о возможности рассмотрения изучаемой среды в качестве анизотропной,Для получения всех элементов залегания, определяющих простран- СЧВЕННОЕ ПОожЕНИЕ ПЛЯСТЯ, ВИЕ заВСиоСи От налииия ИЛи ОуСВИя анизотропии, предлааеся специальная креговая установка, центр которой располагается в определенных точках по отношению к изучаемому пласту, а единиче замеры выполняются несимметричными трех. электродными или дипольными установками с разносами, Определенкым образом связанными с видимой мощностью пласта.Сушность предлагаемого способа заключается В проведении кругоВых исследований в точках максимальной деформации электрического поля, ВызыВяемых экрянными яВлениями на контактах плястОВ и Выполнением единичных замеров несимметричными трехэлектродными и дипольными установками с расстояниями между,.итаюшими и измерительными электродами, превышающими Видимую мошность пласта. аВисимость получаемых В результате таких исследОВяний диаграмм От элементов залегания пластов изображена на фиг. 1.Полевые исследования предлагаемым способом складываются из следующих пяти этапов; выбора местоположения центра установки, выбора вида установки, установления размеров установки для единичных замеров, подготовки планшета для измерений и производства измере. ний.Центр установки должен располагаться в точке максимальных изменений кажущихся сопротивлений, вызываемых пластом. Местоположение этой точки устанавливается по результатам двустороннего электропрофилирования несимметричной установкой 1 дипольной или трех- электродной) - с учетом минимальных искажений вызываемых неровностями земной поверхности и неоднородностью покровных отложений.Установка для круговых исследований состоит из находящихся в центре измерительных электродов и расположенных по кругу через определенный интервал питающих заземлений. Практически для каждого единичного замера используются одни и те же измерительные электроды и питающие заземления, которые поворачиваются по кругу через заданные интервалы фиг. 2). Питающие электроды могут располагаться в различных комбинациях (фиг. 2 - а, б и в), лишь с сохранением асимметрии электродов относительно центра установки при каждом единичном измерении.При выборе разносов установки, кроме оощих для электроразведки требований, необходимо соблюдение следующих специфически обязательных для рассматриваемого способа требований. Во-первых, расстояние от крайнего измерительного электрода до ближайшего к центру питающего заземления должно превосходить видимую мощность пласта; во-вторых, разносы установок должны подбираться с таким расчетом, чтобы питающие заземления при круговых исследованиях оказывались вне сферы ощутимых воздействий от смежных пластов.Подготовка планшета для измерений заключается в том, что из точки, выбранной в качестве центра для круговых исследований, на местности разбиваются лучевые направления с заданными интервалами азимутов (чаще всего 30) и устанавливается местоположение питаюших заземлений.Измерения, кажущихся сопротивлений производятся теми же приемами, что для любой другой разновидности метода сопротивлений.Предмет изобретенияСпособ электрометрического определения элементов залегания скрытых под наносами пластов, отличающийся тем, что измерения ведутся круговой установкой с центром в точках максимального изменения кажущихся сопротивлений, вызываемого пластом на поверхности земли, а единичные замеры выполняются при несимметричном расположении питающих электродов относительно измерительных и с расстояниями между ними, превышающими видимую мощность пласта.

Смотреть

Заявка

2648, 15.03.1955

Блох И. М

МПК / Метки

МПК: G01V 3/04

Метки: залегания, наносами, пластов, скрытых, электрометрического, элементов

Опубликовано: 01.01.1959

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-121516-sposob-ehlektrometricheskogo-opredeleniya-ehlementov-zaleganiya-skrytykh-pod-nanosami-plastov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электрометрического определения элементов залегания скрытых под наносами пластов</a>

Похожие патенты