Дифференциальный усилитель

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН ПИСАНИЕ ИЗОБРЕ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Е и ОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Гребен А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем. М.: Связь, 1976, с. 102.Авторское свидетельство СССР У 1117827,кл. Н 03 Г 3/45, 1983. (54)(57) ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий основной дифференциальный каскад, каждое плечо которого выполнено в виде последовательно соединенных относительно источника питания первого транзистора, имеющего п-р-п-структуру, включенного по схеме с общим коллектором, и второго транзистора, имеющего р-п-рструктуру и включенного по схеме с общей базой, при этом коллекторы первых транзисторов объединены, а в общей цепи без вторых транзисторов основного дифференциального каскада включен первый источник тока, базы первых транзисторов основного дифференциального каскада под. ключены к базам первого и второго дополнительных транзисторов, имеющих р-п"р-структуру и включенных по схеме с общим коллектором, в эмиттерных цепях которых включены второй и третий источники ток соответственно, дополнительный дифференциальный каскад, выполненный на транзисторах, имеющих р-и-р-структуру,базы которых подключены к эмиттерам первого и второго дополнительных транзисторов, коллекторы - к коллекторам или эмиттерам вторых,ЯО 120202Ш 4 Н 03 Г 3/45 транзисторов основного дифференциального каскада, а в общей эмиттернои цепи - четвертый источник тока, выполненный на транзисторе, имеющем р-п-р-структуру, элемент компенсации, выполненный на третьем дополнительном транзисторе, имеющем п-р-п-структуру, и четвертом дополнительном транзисторе, имеющем р-и-р-структуру и включенном по схеме с общим коллектором, эмиттер которого подключен к базе транзистора четвертого источника тока, а эмиттер третьего дополнительного транзистора подключен к объединенным коллекторам первых транзисторов основного дифференциальног каскада, о т л и ч а ю щ и й с тем, что, с целью повьппения стабильности токового режима, в него введендвухколлекторный транзистор, имеющий р-п-р-структуру, при этом второй и третий источники тока выполнены на трехколлекторном транзисторе, имеющем р-п-р-структуру, эмиттер которого подключен к шине источника питания, первый коллектор и база объединены и через прямосмещенныйдиод подключены к эмиттеру четвертогодополнительного транзистора, а второй и третий коллекторы являютсявыходами соответственно второго итретьего источников тока, эмиттердвухколлекторного транзистора подключен к шине источника питания,первый коллектор и база объединеныи подключены к коллектору третьегодополнительного транзистора, авторой коллектор - к эмиттеру транз стора четвертого источника тока.12020 1Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано. воперационных усилителях.Цель изобретения - повышение стабильности токового режима. 5На чертеже представлена принципиальная электрическая схема дифференциального усилителя.Дифференциальный усилитель содер"жит основной дифференциальный каскад, выполненный на первых транзисторах 1 и 2, имеющих п-р-и-структуру, и вторых транзисторах 3 и 4,имеющих р-п-р-структуру, первом источнике 5 тока, первый и второй дополнительные транзисторы 6 и 7, имеющие р-п-р-структуру, второй итретий источники тока, выполненныена трехколлекторном транзисторе 8,имеющем р-п-р-структуру,дополнительный дифференциальный каскад, выполненный на транзисторах 9 и 10, имеющих р-п-р-структуру, четвертйй источник тока, выполненный на транзисторе 11, имеющем р-п-р-структуру, элемент компенсации, выполненный натретьем, имеющем п-р-п-структуру,и четвертом, имеющем р-п-р-структуру, дополнительных транзисторах 12,13, прямосмещенный диод 14, двухкол- ЗОлекорный транзистор 15, имеющийр-п-р-структуру,ДифФеренциальный усилитель работает следующим образом.Величина эмиттерного тока четвертого дополнительного транзистора13 определяется суммой базовых токов трехколлекторного транзистора 8и транзистора 11. Выбором величиныкоэффициента усиления по току трехколлекторного транзистора 8, равного 25 20,5, обеспечивается протекание токов через каждый из коллекторов, соединенных с эмиттерами первого и второго дополнительных транзисторов 6 и 7, равных по величине каждый половине базового тока трехколлекторного транзистора 8Величина режимного тока дополнительного дифференциального каскада выбирается, исходя из требуемых значений по коэффициенту усиления, скорости нарастания выходного напряжения дифференциального усилителя.Целесообразно определить режимный ток этого каскада равным по величине режимному току основного дифференциального каскада. Это достигается выбором коэффициента усиления по току двухколлекторного транзистора 15, равным 1, Суммирование базовых токов транзисторов 9, 10 с коллекторными токами трехколлекторного транзистора 8 определяет значения эмиттерных и, соответственно, базовых токов первого и второго дополнительных транзисторов 6 и 7, благодаря чему свойство компенсации входных токов .дифференциального усилителя сохраняется,Стабилизация режимного тока до- полнительного дифференциального каскада определяется взаимосвязью с токовым режимом основного дифференциального каскада, благодаря равенству или пропорциональности между величиной тока в коллекторах транзистора 11 и двухколлекторного транзистора 15 и величиной коллекторного третьего дополнительного транзистора 12,1202025 оставитель И, Водяхиехред О.Неце актор М.Банд Коррект аз 804 Тираж 8 Государственного елам изобретений Москва, Ж, Родписное омитета СССР открытийушская наб., д, 4/ 130 иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4