Способ изготовления полупроводникового преобразователя

(504 С 01 В 7/2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ СВИДЕТЕЛЬСТВ ТО в соо нения ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) Авторское свидетельство СССР В 691682, кл. С 01 В 7/18, 1978.Авторское свидетельство СССР 9 769370, кл. С 01 Е 1/22, 1978. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, заключающийся в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразователя в виде полос с участками для корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тензореэисторов, изменяют конфигурацию участков для корректировки номиналов тенэорезисторов тветствии с величиной откло 8011 374 ультатов измерения сопротивленийоминала и изготавливают преобразователь по измененному фотошаблону, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности за счет снижения разброса сопротивлений тензорезисторов, выполняют участок корректировки номинала каждого тенэореэистора в виде полосы, ширина которой в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тенэореэистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тенэорезистора, а изменение конфигурации участков осуществляют выполнением на этих участках на промежуточном фотошаблоне с учетом его масштаба прорезей, ширина которых превышает двойную ширину бокового легирования при формирова" нии тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивления тензорезисто ра от номинала.Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых тензометрических преобразователей, и может быть использованопри создании тензометрическнх преобразователей повышенной точности,изготавливаемых методами интегральной микроэлектронной технологии.Цель изобретения - повышение точности преобразователя за счет снижения разброса сопротивлений тензореэисторов.На чертеже представлен примерпреобразователя, изготавливаемогопо предлагаемому способу, вид вплане.Способ осуществляют следующимобразом,Изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов 1-4 преобразователя в виде полос, образующих решетку тензорезисторов, с. участками 5-12 для корректировкиноминалов тензорезисторов 1-4, такжевыполненными в виде полос, ширинакоторых в 2-5 раз превышает ширинуполосы самого тензорезистора, а концы соединены с выводным контактоми с одним иэ концов тензорезистора,и выводными контактами 13-17, изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тенэорезисторов 1-4, подключая измеритель сопротивленийпоочередно к выводным контактам13 и 17, 13 и 14, 15 и 1 б, 16 и 17.По этим результатам измерения определяют отклонения сопротивленийтензорезисторов 1-4 от номинала,а также геометрические размеры прорезей, выполняемых на корректировочных участках 5-12 для подгонкиноминала сопротивления каждоготензорезистора 1-4.5 Затем на промежуточном фотошаблоне методами эрроэионной или лазерной обработки тонких пленок накорректировочных участках 5-12выполняют прорези 18-25, ширина 1 О которых превышает (с учетом масштаба фотошаблона) двойную ширинубокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответст вующего сопротивления тенэорезистора от номинала.После описанного изменения конфигурации участков 5-10 корректиров ки номиналов тензорезисторов приступают к изготовлению рабочих фотошаблонов, а по ним - партии полупроводниковых преобразователей. Присоединении тензореэисторов 1-4 в 25 мост разбаланс такого моста будетблизок к нулю, что .обеспечиваетповышение точности измерений засчет снижения погрешностей ухода начального уровня сигнала от моста додестабилизирующих факторов. Приданном способе изготовления преобразователей обеспечивается такжеих вэаимозаменяемость, посколькувсе они имеют одни и те же номиналы и минимальный разбаланс,Точность изготовления тензорезисторов повышается в 3-5 раз, а трудоемкость корректировки фотошаблонов при применении данного способа снижается на 20-303.1198374 7 З Составитель Н. ТимошенкоТехред А.Бабинец Коррек Редакто Л. Пат етр Заказ 7712/41 Тир ВНИИПИ Госу по делам 13035, Москвад.45 иал ППП "Патент", г. Проектная,4 од аж 650 Подписное дарственного комитета СССР изобретений и открытийЖ, Раушская наб., /