Широкодиапазонный генератор

Номер патента: 1157657

Авторы: Псковитинов, Чаморцев

ZIP архив

Текст

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТХРЫТИЙ ПИСАНИЕ ИЗО АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) ШИРОКОДИАПАЗОННЫЙ ГЕНЕРАТОР. содержащий два тиристора, катоды которых соединены с общей шиной источника питания, а аноды соединены с плюсовой шиной источника питания соответственно через первый н второй резисторы, две времяэадающие КС-цепи, подсоединенные резисторами каждая к 1 аноду одного тиристора, резисторыо т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью расширения диапазона частот и длительностей импульсов, в него введены первый и второй однопереходные транзисторы, причем, анод первого тиристора соединен с базой "Два"первого однопереходного транзистораи конденсатором второй времязадающейКС-цепи, точка соединения резистораи конденсатора которой соединена сэмиттером второго однопереходноготранзистора, база "Один" которогосоединена через третий резистор с.катодом и через первый разделительный конденсатор - с управляющимэлектродом второго тиристора, а анодвторого тиристора соединен с базой"Два" второго однопереходного транзистора и конденсатором первой времязадающей КС-цепи, точка соединениярезистора и конденсатора которойсоединена с эмиттером первого однопереходного транзистора, база "Один"которого, соединена через четвертыйрезистор с катодом и через второйразделительный конденсатор-с управляющим электродом первого тиристора,управляющие электроды тиристоровсоединены соответственно через пятыйи шестой резисторы с общей шинойисточника питания,11576 Составитель А. ШироковРедактор А. Сабо Техред Л.Коцюбняк Корректор И, Муска Заказ 3390/53 Тираж 872 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5, Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 9 и 10 через конденсаторы 6 и 8 ирезисторы 4 и 3 соответственноприкладывается напряжение питания иоткрывает их, обеспечивая этим заряд конденсаторов 6 и 8. Цепь заряда конденсатора 6 такова: + 11резистор 4-нижняя обкладка кон=денсатора 6-верхняя обкладка конденсатора 6-переход эмиттер-база"Один" транзистора 9-резистор 13 - 1011 ) Часть тока заряда конденсаП фтора 6 проходит через конденсатор 1:и в свою очередь разветвляется черезрезистор 15 и переход управляющийэлектрод - катод тиристора 1 на - Б,15Аналогичная цепь заряда конденсатора 8.Наиболее чувствительный по токувключения тиристор, например, тиристор 1, включается и подключает кон- Юденсатор 8 к общей шине (- 11), приэтом транзистор 10 закрывается, выключая ток управления тиристора 2. Конденсатор 6 продолжает заряжаться донапряжения, приблизительно равного 25напряжению питания, причем нижняяобкладка имеет положительный потенциал относительно верхней.Таким образом, при включении питания один иэ тиристоров включается, 30другой остается выключенным,После включения тиристора 1 конденсатор 8 заряжается по цепи; + Б и -резистор 4-резистор 7-верхняя обкладка конденсатора 8-нижняя обклад- Зка конденсатора 8-открытый тиристор1 - (- 11 д). При этом верхняя обкладкаконденсатора 8 приобретает положительный потенциал относительно нижней.По достижении напряжения на кон Оденсаторе 8, равного напряжению включения транзистора 10, последний включается, и конденсатор 8 разряжаетсяф 57 4через переход эмиттер - база "Один"транзистора 1 О, при этом часть токаР азряда проходит через переход управляющий электрод - катод тиристора 2и включает его. Кроме того, конденсатор 8 при включении транзитора 1 Ооказывается приложенным отрицательнозаряженной обкладкой к аноду тиристора 1, а положительно заряженнойобкладкой через переход эмиттер - база "Один" транзистора 10 - резистор11 - к катоду. Тиристор 1 выключается. Конденсатор 8 быстро перезаряжается по цепи: + 0 - резистор 3 - нижняя обкладка конденсатора 8 - верхняяобкладка конденсатора 8 - переходэмиттер - база "Один" транзистора 10 резистор 11 - (- 0). При этом частьзарядного тока конденсатора 8 проте-кает через параллельную резистору 11цепь, состоящую иэ конденсатора 12,перехода управляющий электрод - катодтиристора 2 и параллельного переходурезистора 16,Конденсатор б перезаряжается поцепи: + 11 - резистор 3 - резистор5 - верхняя обкладка конденсатора бнижняя обкладка конденсатора 7 - открытый тиристор 2 - (- 0). При этомверхняя обкладка конденсатора приобретает положительный потенциалотносительно нижней,По достижении напряжения на конденсаторе 7, равного напряжениюотпирания транзистора 9, последнийотпирается, конденсатор 7 разряжается, включает тиристори выключает тиристор 2, Далее процессповторяется.Введение однопереходных транзисторов в конечном итоге увеличиваетдлительность генерируемых импульсови расширяет диапазон частот.

Смотреть

Заявка

3566619, 21.03.1983

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1067

ПСКОВИТИНОВ ЕВГЕНИЙ ОЛЕГОВИЧ, ЧАМОРЦЕВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 3/335

Метки: генератор, широкодиапазонный

Опубликовано: 23.05.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1157657-shirokodiapazonnyjj-generator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Широкодиапазонный генератор</a>

Похожие патенты