Фототермопластический материал для записи информации

СОЮЗ СОВЕТСКИХдддаддадаРЕСПУБЛИК ЯО С 03 С 5/08 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ двтоснаи сдиддтддьетв(72) А.АдПостников и Д.Г,Табатадзе (71) Всесоюзный государственный орде. на Трудового Красного Знамени научно-исследовательский и проектный институт химико-фотографической промышленности(56) 1. Авторское свидетельство СССР 11 336638, кл, С 03 С 5/08, 1970,2. Недужий С.А. и др, Регистри" рующие среды для изобразительной голографии и киноголографии. Л., "Наука", 1979, с. 149 (прототип ).(54) (57) ФОТОТЕРИОПЯАСТИЧЕСКИИ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАПИСИ ИИФОРИАЦИИ, состоящий иэ полимерной подложки, электропроводящего подслоя, инжекционногослоя из селена с теллуром и Фототермопластического слоя из поли-И-вннилкарбазола и термопластическогосвязующего, о т л и ч а ю щ н й с ятем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности, материал дополнительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03-0,05 мкм, расположенный между инжекционный и фототермопластическим слоями,30 45 Изобретение относится к фототермопластическим материалам и можетбыть использовано для регистрацииинформации как в обычной, так и в голографической форме,5Из вестен фототермопл астическийматериал, содержащий полимерную подложку, электропроводящии слой, инжекционный слой из аморфного селенаи фототермопластический слой 1, ОУказанный фототермопластическийматериал обладает высокой электрофотографической чувствительностью всиней зоне спектра (20 М.-Дж ф)и практически не обладает электрофотографической чувствительностьюв красной зоне спектра (0,01 М. Дж )Наиболее близким к изобретениюявляется Фототермопластический материал, содержащий металлизированнуюникелем полиэтилентерефталатнуюподложку, на которой последовательнорасположены инжекционный слой изаморфного селена с добавками теллура 77, мышьяка 27, сурьмы 17. (общеесодержание добавок 107) и фототермопластический слой, представляющийсобой композицию из поли-И-винилкарбазола и термопластического полимера2 .Известный фототермопластическийматериал обладает высокой электрофотографической чувствительностью какв синей (400 М Дж " ), так и в красной зоне спектра (8 М Дж). Одна 35ко величина дифракционной эффективности записанного изображения наданном материале ниже, чем на другихфототермопластических материалах.Особенно низкое значение дифрак 40ционной эффективности имеет указанный фототермопластический материалпри длине волны 400 нм, именно приэтой длине волны фототермопластичес-.кий материал обладает максимальнойэлектрофотографической чувствительностью, Низкое значение дифрак -ционной эффективности не позволяетреализовать на пракгике высокую электрофотографическую чувствительность50материала,Одним из важнейших параметров,характеризующих качество голографического изображения на фототермопластическом материале, являетсядифракционная эффективность плоской55фазовой голограммы, которая можетиметь максимальное значение, равное33,9 Е. Счедовательно, повышение дифракционной эффективности наряду с повышением электрофотографической чувствительности является важнейшей задачей при широком использовании фототермопластических материалов для различных технических нужд.Цель изобретения - повышение дифракционной эффективности.Цель достигается тем, что фототермопластический материал дополнительно содержит слой аморфного селена толщиной 0,03 - 0,05 мкм, расположенный между инжекционным и фототермолластическим слоями.Полученный материал обладает высокой дифракционной эффективностью при длинах волн лазерного излучения б 33 и 441 нм, а также высокой электрографической чувствительностью.П р и м е р 1. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыляют в вакууме инжекционный слой толщиной О,5 мкм из аморфного селена с добавками,7: теллур 7; мышьяк 2 и сурьма 1. Добавки не превышают 107. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию из поли-М-винилкарбазола и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 1:1. Толщина полимерного покрытия после сушки составляет 2 мкм.Величина дифракционной эффективности при длинах волны 441 и 633 нмдля оптимальной частоты 200 мм приведены в таблице. В таблице приведены также электрофотографическая чувствительность по критерию спада начального потенциала на 0,1.П р и м е р 2. На металлизированную никелем полиэтилентерефталатную основу напыляют в вакууме последовательно инжекционный слой из аморфного селена с добавкой 07. теллура толщиной 0,15 мкм, слой аморфного селена толщиной 0,03 мкм. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию, содержащую поли-г 1-винилкарбазол и сополимер стирола с бутадиеном в соотношении 1:1, толщиной 2 мкм.Сенситометрические характеристики приведены в таблице.П р и м е р 3. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина слоя аморфного селена составляет 0,05 мкм.1108384 Сенситометрические характеристики приведены в таблице,П р и м е р 4. Фототермопластический материал приготавливают аналогично примеру 2, но толщина спояаморфного сеяена составляет 0,02 мкм.Сенситометрические характеристики приведены в таблице.П р и м е р 5. Фототермопластический материал приготавливают ана Ологично примеру 2, но толщина слояаморфного селена составляет 0,10 мкм,Сенситометрические характеристики приведены в таблице.Из приведенных данных следует, 15что предлагаемый фототермопластический материал толщиной слоя аморфногоселена 0,03 - 0,05 мкм ,примеры 2и 3) превосходит по дифракционнойэффективности при длине волны лазерного излучения 633 нм прототип на18 - 227., при длине волны 441 нмболее чем на 2007. При этом электрофотографическая чувствительностьпрактически остается на уровне 25прототипа. Дифр акци они аяэффективность,й Пример,У Электрофотографическая чувствительность,М. Дж Фпри приХ"633 нмЛ=441 н при1=633 нм приЛ=441.нм Известный1 27 1 400 Пред- лагаемый2 410 32 29 420 3 33 30 4 28 18 5 32 20 405 200 Составитель В. БезбородоваТехред М. Тепер . Корректор В.Бутяга Редактор М. Бандура Подписное Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 Заказ 5860/32 Тираж 464 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5