Формирователь импульсов

Номер патента: 1081781

Авторы: Романов, Чайкин

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК П 9) Ф) 350 0 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ РЩСВЪГ Рерихи ЮковнеороиЬод(54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВпо авт.св. Р 788361, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него вве" дены дополнительный транзисторр-р-п-типа, конденсатор и резистор,причем коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора включен между эмиттером третьего транзистора и .положительной шиной источника питания, а .база его подключена через форсирующую цепь к второму входу устройства, дополнительныйрезистор включен между базой дополнительного транзистора и общей шиной,дополнительный конденсатор подклю"чен между первым входом устройстваи базой первого транзистора, 1081781Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве формирователя импульсов с крутыми фронтами для пи"тания емкостной нагрузки, в частности для преобразователей уровней импульсных сигналов.По основному авт.св. 9. 7883 б 1известен Формирователь импульсов,содержащий первый транзистор и-р-итипа, эмиттер которого непосредственно, а база через резистор соединены с отрицательным источникомпитания, база первого транзистораи-р-п типа соединена с анодом диода и с коллектором второго транзистора р-п-р-типа, база которогосоединена с общей шиной, а змиттер через форсирующую цепь в видесоединенных паРаллельно резистора иконденсатора - с первым входом устройства, коллектор первого транзистора и-р-и-типа соединен с катодомдиода и с коллектором третьеготранзистора р-п-р-типа, база которого соединена с общей шиной, аэмиттер через форсирующую цепь - свторым входом устройства 1 .Недостатком известного Формирователя импульсов является значительнобольшая по сравнению с переднимдлительность заднего Фронта, чтосужает область его применения.Целью изобретения является повышение быстродействия,Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов введены дополнительный транзистор п-р-п-типа, конденсатор и резистор причем коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора включен между эмиттером третьего транзистора и положительной шиной источника питания, а база его подключена через Форсирующую цепь к второму входу устройства, дополнительный резистор включен между базой дополнительного транзистора и общей шиной, дополнительный конденсатор подключен между первым входом устройства и базой первого транзистора.На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого формиро- . вателя импульсов.Устройство содержит первый транзистор 1 п-р-п-типа, база и коллектор которого соответственно соединены с коллектором второго транзистора 2 р-п-р-типа и с коллектором третьего транзистора 3 р-п-р-типа, дополнительный транзистор 4 и-р-и- типа, эмиттер которого соединен с эмиттером транзистора 3, первый вход 5 устройства, который через введенный конденсатор б и резистор 7510 соединен с транзисторами 1 и 2, втоРой вход 8 устройства, которыЯ черезконденсатор 9 и резистор 10 форси"рующей цепи соединен с транзисторами 3 и 4. База транзистора 4 соединена через введенный резистор 11с общей шиной 12. Позициями 13 и 14обозначены соответственно отрицательная и положительная шинй питания. Транзистор 1 с диодом 15Образуют ключ с нелинейной диодной обратной связью.Устройство работает следующимобразом.Управляющие импульсы положитель ной пОлярности От ТТЛ или КМОП логических элементов подаются на входы 5 и 8 устройства. При подаче навход 5 высокого уровня логической1 вне зависимости от потенциала,установленного на входе 8, на выходе формируется отрицательный фронтнапряжения эа счет открывания ключа на транзисторе 1. ФорсированиеФронта осуществляется конденсаторомб, а поддержание низкого уровня навыходе - за счет тока базы транзистора 1, протекающего через резистор 7 и транзистор 2.При подаче на первый вход низкого уровня логического Оф и пере ключении второго входа из состояниялогического 10 в состояние логической 1.ф на выходе Формируетеяположительный фронт напряжения. Форсирование тока эмиттера транэисто ра 3 осуществляется с помощью цепи наконденсаторе 9, резисторе 11 и транзисторе 4. Поддержание высокого уровня на выходе осуществляется с помощью тока, протекающего через ре зистор 10 и открытый транзистор 3.Формирователь предназначен дляработы на емкостную нагрузку. Статическое потребление устройства может быть сведено к величине, пре небрежимо малой по сравнению с динамическим потреблением, т.е. всяэнергия источников питания будетрасходоваться на перезаряд емкостейнагрузки и собственных емкостейтРанзисторов.Для обеспечения работы на значительную емкостную нагрузку формирователь может быть дополнен выходным пушпульным каскадом, не имеющимстатического потребления.Повышение быстродействия позаднему фронту отрицательного выходного импульса по сравнению спрототипом достигается усилениемфорсирующего тока, протекающего че реэ конденсатор 9, транзистором 4,включенным по схеме с общим коллектором. Этот усиленный ток Форсируюцих емкостей и производит быстрыйпереэаряд емкости нагрузки и собстЗаказ 1564/51 Тираж 862 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 венных емкостей транзисторов. форми- "рователей. В известном формирова-теле этот перезаряд производилсятоком форсирующей цепи, прошедшимчерез каскад с общей базой,который усиления по току не производитТипичное быстродействие данных формирователей, которое может быть получено с применением современных биполярных транзисторов,следующбе длительности фронтов на нагрузке 100 пф при размахе выходного напряжения 15 В составляют менее 15 нс.

Смотреть

Заявка

3307110, 23.06.1981

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ В-8466

ЧАЙКИН АЛЕКСАНДР АНАТОЛЬЕВИЧ, РОМАНОВ СЕРГЕЙ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

Опубликовано: 23.03.1984

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1081781-formirovatel-impulsov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Формирователь импульсов</a>

Похожие патенты