Способ получения заданного уровня размагничивания постоянных магнитов

ZIP архив

Текст

Взамен ранее изданного СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИКГООУДАРСТВЕНКЫЙ КПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕЛ:КИ ИТЕТ СССР ОТНРЫтий ОБРЕТЕНИЯ ОПИСАНИЕ АВТОРСКОМУ С(71) Всесоюзный научнб-исследова-воздействуют импульсами магнитноготельский, проектно-конструкторский ,.поля в форме полупериода затухающейи технологический институт релестро-" синусоиды, при этом величину прираще":ния амплитуды размагничивающего им(72) В.В,Васильев, В.А.Нестерии, пульса магнитного поля в каждом слеЕ.Б.Окопник, А.И.Кудрявцев, . .: дующем цикле устанавливают согласноО.ВЛемешко и 1 О.А.Мельников .: .соотйошению ЬН -"Н(В-В ) У(В -В )ет нач(53) 621,318,25(088.8).. ,: При воздействии на магнит первого(56) Ороспект фирмы ЙРЬ 1 аЬвйгхев , " размагничивающего импульса точка, ха 1 пс. 1 пв 1 гишепйа 1 оп Мчхвьоп, : - .рактеризующая первоначальное состояВоопйоп, Меу Юегвеу, БЗА, 07005, ,: ние магнита В будет перемещаться.ч ",:начф Фф .: . . : вниз по участку 1-2:основной .кривой аразмагничивания и.двлее вверх по кри(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАДАННОГО.:;вой:возврата в точку 3, нри этом,инУРОВНЯ РАЗИАГНИЧИВАНИЯ ЯВНЫХ. " "дукция становится равной В,. ЕслиИАГНИТОВ . . .: при этом кривая возврата совпадает с(57) Изобретение относится к .области;, .предельной кривой размагничивания, то Яэлектротехники и может быть:иеполь- . В,=В; Дапее выбирается приращениеэовано в отраслях электротехнической . амплитуд следующего размагничивающе-.и приборостроительной промышленности,: :го имнульеа, и процесс продолжаетсяприменяющих постоянные магнит, Цель .:, до достижения заданного уровня В,изобретения - повьппение быстродей- , :проходя промежуточные стадий В; .ствия и экономия энергии при положе- . .1 з.п, ф-лы, 2 нл,ж ПОСТОИзобретение относится к областиэлектротехники и может быть использовано в отраслях, где применяютсяпостоянные магниты,Цель изобретения - повышение быстродействия и экономия энергии.На фиг, 1 представлен график изменения индукции магнита в контрольной точке в процессе размагничивания 1 Одо заданного уровня, например до Вна фиг. 2 - блок-схема устройства дляосуществления способа.Начальное значение индукции магни-та Ва(, опРеделЯетсЯ пеРесечением 15внешней характеристики магнита ОА скривой размагничивания (точка 1).При воздействии на магнит первогорвзмвгничивающего импульса. в формеполупериода затухающей синусоиды точ Ока, характеризующая: состояние магнита, будет перемещаться вниз по участку 1-2 основной кривой размагничива-,ния и далее вверх по кривой возврата .в точку 3. Индукция магните вконт-, 25рольной точке после воздействия первого раэмагничивающего импульса ста"новится равной В причем, если кривая возврата совпадает с предельнойкривой размагничивания, то В Ва(, 39Далее, выбирается приращение амплитуды следующего размагничиваощего импульса, и процесс продолжается до до-.стижения значения В, магнита.Блок-схема (фиг. 2) содержит зарядное устройство 4, емкостной нако-,35питель 5, соединенный через ключевой .элемент б с индуктором.7.Помещают постоянный магнит в ин"дуктор и с помощью зарядного устрой"ства заряжают емкостной накопитель дозначения,.обеспечивающего амплитудупервого импульса магнитного поля Далее после подачи сигнала разряда наключевой элемент емкостной накопитель разряжается иа индуктор, которыйсоздает импульсные поля в. форме полупериода затухающей синусоиды. Послевоздействия поля на магнит датчикомХолла фиксируется магнитная индукциямагнита в контрольной точке. К магнитуприкладываются импульсы магнитного поля возрастающей амплитуды, причем приращение амплитуды импульса в каждом сле, дующем. цикле определяют пропорционально,разности между измеренным уровнем э 5намагниченности или индукции магнитав контрольной .точке в предыдущем цикле и значением намагниченности, либоиндукции магнита в этой же точке, соответствующей заданному уровню,Величину приращения амплитуды импульса вычисляют по формуле Виач, Вт" величина первого импуль"са магнитного поля; - начальное значение индук . ции магнита в контрольной точке;- заданное значение индук".ции магнита в контрольнойточке;- значение индукции магнитав контрольной точке в предыдущем цикле 1- приращение амплитудыимпульса магнитного поляв следующем цикле. где Н,ач В В.ЬН формула изобретения н,1 в -в,В Втприращение амплитуды раэмвгничивающего импульса магнитного поля;амплитуда. импульса в первом цикле;.требуемое значение намагниченности или индукции постоянного магнита в контрольной точке;начальное значение намагниченности или индукции постоянного магнита в контролькой точке;значение намагниченности или индукции постоянного ЬН; где ЬН,Н,В. т1. Способ получения заданного уровня размагничивания .постоянныхмагнитов, заключающийся в том, что воздействуют на магнит размагничивающими импульсами магнитного поля, измеряют уровень намагниченности в про-. межутках между рвзмагничивающими импульсами и в зависимости от измеренного значения намагниченности регулируют амплитуду размагничивающего импульса, от л и ч в ю щ и й, с я тем, что, с целью повьвения быстродействия,.в нем величину приращения амплитуды размвгничивающего импульса поля в каждом следующем цикле устанавливают согласно соотношению .ираж 746 Государственног ам изобретений ква, Ж-ЗЬ,:РаувПройзводственно-полиграфическое й мйи энергии, на образец воздействуютоднополярным импульсом магнитногополя в форме полупериода затухающейсинусоиды. Подписноекомитета СССР

Смотреть

Заявка

3476332, 30.07.1982

ВСЕСОЮЗНЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ, ПРОЕКТНО-КОНСТРУКТОРСКИЙ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ РЕЛЕСТРОЕНИЯ

ВАСИЛЬЕВ ВАЛЕНТИН ВАСИЛЬЕВИЧ, НЕСТЕРИН ВАЛЕРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ОКОПНИК ЕВГЕНИЙ БОРИСОВИЧ, КУДРЯВЦЕВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, ЛЕМЕШКО ОЛЕГ ВАСИЛЬЕВИЧ, МЕЛЬНИКОВ ЮРИЙ АФАНАСЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01F 13/00

Метки: заданного, магнитов, постоянных, размагничивания, уровня

Опубликовано: 07.02.1984

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1072116-sposob-polucheniya-zadannogo-urovnya-razmagnichivaniya-postoyannykh-magnitov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения заданного уровня размагничивания постоянных магнитов</a>

Похожие патенты