Способ записи скрытого изображения на галогеносеребряном фотоносителе

.С.: 42 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТЙРЬГГИЙ БРЕ-(71)Московскйй ордена ТруДового Крастем, что, с целью поного Знамени йнженерно-физический: : . вительности и надежноинститут .:.: " нарастания переднего:(56) 1.,Беляев Г.И.;. Ковтун А.д. .; два раза меньшим времмакаров Ю.И. и др.:фИзмерение свето- . : кой поляризации фотон.чувствительности фотограФических - литудном значении полслоевв электрическом полеф,ИНПфиК, 1972,. 24, В.4, с. 241-245. ОПИСАНИЕ ИЗОн АВтОРсМОмУ свиДетельс 1 И СКРЫТОГООСЕРЕБРЯНОИий его экспо- электричесю ц и й с я ношения чувст-ти записи времяронта импульменее чем вни электричессителя 6 при амп 2;4 10 В/см,Изобретение относится к фотографии и может быть применено для регистрации информации, например для фоторегистрации сигналов быстропро текающих процессов с экранов осциллографов.Известен способ записи скрытого иэображения на галогеносеребряном, фотоносителе, включающий его экспонирование в импульсном электрическом поле,Скрытое изображение Получают на крупнозернистой фотопленке,расположенной.между двумя электродами, один из которых прозрачен. В момент экспонирования импульсным источником света на электроды подают импульс ное напряжение, создающее электрическое ноле между электродами до 6 10 В/см 1 .Недостатками известного способа являются нестабильность эффекта поля,20 что снижает качество фотографического иэображения, и большое амплитудное значение напряженности поля, которое может вызвать электрический проой фотопленки и в результате за светку кадра и выход из строя стеклянного электрода.Цель изобретения - повышение чувствительности и надежности записи при регистрации световых сигналов ма.Лой длительности и яркости.Поставленная цель достигается тем,. что согласно способу записи скрытого изображения, на галогеносеребряном фотоносителе, включающему его экспонирование в импульсном электрическом поле, время нарастания переднего фронта импульсов поля выбирают не менее чем в два раза меньшим времени электрической по ляризации фотоносителя при амплитудном значении поля 2-4106 В/см.Сущность изобретения заключается в .установлении дополнительного опре,деляюцего параметра электрическогс импульса, а именно длительности пе 45 реднего фронта или скорости нарастания напряженности поля.На чертеже изображена зависимость коэффиииента увеличения чувствительности 55 для различных фотома териалов от длительности переднего фронта ср . при фиксированном значении амплитуды импульса.С ростом величины р эффект поля уменьшае=ся и полностью исче зает при200 нс, Получитьс 20 нс затруднительно, так как эта величина близка к теоретическофму пределу для современных генераторов импульсов высокого напряже-, 60ония 1(р л 4 Ыгде С - емкость системы электродовс расположеннсй внутри фотопленкойС "-. 10 пФ,ли нду к ти в ность линии(10 н. 65 Длительность заднего фронта составляет величину порядка 1 мкс.Физическую основу явления, на котором строится предлагаемый способ, составляет лавинное размножение электронов в кристаллах галогенида серебра под действием электрического поля. Развитие электроннойлавины в веществе имеет пороговый характер, Пороговое значение напряженнос-. ти Е может быть определено из соотношенияееВО= где ьО - энергия связи электрона;- длина-свободного пробега .электрона вгалогениде,Е - относительная диэлектрическая проницаемостьгалогенида и желатины8, - заряд электрона.В реальных случаях 6210 см,Ей 4, АО = 1-3 эЕ меньшее значение - энергия связи электрона в серебряном кластере, большее - шириназапрещенной зоны галогенида). Этодает для пороговой напряженности зна-чение Е = 2 - 6 106 В/см.Повышение чувствительности сенсибилизированных эмульсий наблюдаетсяпри напряженности, превышающей2 106 В/см, хотя эта величина зависитот ряда параметров эмульсии, например от размеров микрокристаллов. Однако повышать амплитудное значениеполя вьнае 4 ф 10 В/см нецелесообразно,так как процесс усиления изображенияв этом случае сопровождается резкимростом фотографической вуали, чтоснижает качество изображения. Еслимикрокристалл галогенида серебрапоместить во внешнее электрическоеполе постоянной величины, то внутреннее поле релаксирует до нуля. Этосвязано с движением междуузельныхионов серебра, концентрация которыхдовольно высока. Перемещение ионовприводит к образовании на краяхмикрокристалла поляризационных заря-.дов, полностью компенсирующих вовнутренней области микрокристаллаприложенное внешнее поле.Опережение электрическим импульсом светового на 0,2 мкс полностьюубирает эффект поля, т.е. внутреннее поле релаксирует в течение0,2-0,3 мкс. Одна и та же амплитуда напряженности внутреннего поляможет быть достигнута при различныхамплитудах внешнего поля путем из"менения длительности фронта,Оптимальным представляется использование электрических импульсов с"1064265 Составитель В.АксеновТехредИ.Гергель Корректор О.Билакееввеевввееввеввеевввеввеее е е е е е е юю юаТираж 473 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР: по делам изобретений и открытий113035, Москва й, Раушская наб., д. 4/5ееаюеееееаеееаааюееаевееваееве ввевевеееве ааюаююаеа юююфилиал ППП фПатентф, г, Уагород, ул. Проектная, 4 Редактор А.Огарее в в в а е юю аЭаказ 10529/49 амплитудой напряженности на 30-50 ,ниае.вызывающих прсбой Е,2 е 4 1 УВ/см и передним Фронтома 30 50 нс, достигаеьам современнымн генераторами импульсов высокого напряжения, что примерно в дваетри раза. меньше вре-. мени ионной поляризации кристаллов галогенида серебра..Способ осуществляют следукщим образом.фотопленку помещают между двумя : ф электродами, один из которых прозрачен, экспонируют через прозрачный: электрод и подвергают воздействию электрического импульса указанных.параметров, Точная синхронизациясветовой вспыики и электрическогоимпульса не требуется, фотоматериал упомнит" о воздействии светав течение 10 с, что упрощает работу устройства, реализукюцего способ.Воздействие .электрического голя приводит к повышению плотности почеренения негатива,соответствукщейувеличению ючувствительностн крупно-зернистых сенсибилизированных фотоматериалов в 20 е 30 разг а мелкозеренистых в 5 еб раз.