Электронно-оптическая система для приемных электроннолучевых трубок

СОЮЗ ОЯЗЕТСЙИХОСЦВЗИШЮЕПЭИРЕОЪБЛИН нияРЕТТВУ эу потинапряельство8 1976роннаяприборы98-199 агма, ряю-. У 4 00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ. КОМИТЕТт делАЫ абдвва Н ШН АНИЕ ИЗ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТ(21) 3384133/18-21.,801035678 А ТРУБОК, содержащая соосио женные катод, модулятор г электрод, анод и Фокусир отличающая ся с целью повьааения разреш собности при увеличении тока пучка и снижении а жения, между ускоряющиманодом последовательно у вырезающая диафрагма и з коррекции, имеющие самос выводы, и дополнительная электрически соединенная мим электродом. ускоряищующую лтем, чающей сплотноснодногоэлектростановллектродтоятелдиаФрИзобретение относится к электронной технике, а именно к конструкциям злектроннооптических систем ,(ЭОС) электроннолучевых трубок (ЭЛТ) работающих при низких напряженИях на аноде.Известна ЭОС, работающая при относительно невысоких ( сб кВ) анодных напряженияхсодержащая катод, модулятор, ускоряющий электрод и выполненные в виде аквадажного покрития Фокусирующий электрод и анод Г 1 3.Недостатком известной ЭОС является невысокая разрешающая способность при больших плОтностях тока.Наиболее близкой к предлагаемойпо технической сущности является ЭОС, содержащая соосно расположенные катод, модулятор, ускоряющий электрод, анод и фокусирующую линзу Г 2)Такие системы хорошо работают При высоких ( 15-25 ИВ) анодных напряжениях, при низких (3-5 кВ) нащвяжениях и больших плотностях тока разрешаюцая способность на экране ЭЛТ невысокая, что обусловлено большой апертурой электронного пучка в области главной фокусирующей . линзы, Из-за аберраций отклонения, вызванных большим углом схождения электронного пучка у экрана ЭЛТ, наблюдается значитеЛьная неравномерность разрешающей способности по экрану ЭЛТ. Аберрацию электронного пучка мэжно уменьшить путем введения в анод в эквипотенциальное пространство высоковольтной вырезаюцей диафрагм, т.е. ограничением апертуры электронного пучка. При этом значительно уменьшается плотность тока из-за уменьшения величины тока луча, так как линейное изменение размеров вырезающей диафрагмы приводит к квадратичному изменению тока луча.Цель изобретения - повышение разрешающей способности при увеличении плотности тока электронного пучка и снижении анодного напряжения.Указанная цель достигается тем, что в ЭОС для приемных ЭЛТ, содержа" щей соосно расположенные катод, модулятор, ускоряющий электрод, анод иФокусирующую линзу, между ускоряющим электродом и анодом последовательно установлены вырезающая диа" Фрагма и электрод коррекции, имеющие ,самостоятельные. выводы и дополйительная диа 4 раЪ ма, электрически соединенная с ускоряющим электродом,На чертеже показана схема ЭОС.Система состоит иэ катода 1,моду" лятора 2 и ускоряющего электрода 3 с отверстиями 4 и 5, низковольтной вырезаюцей диафрагмой б с отверстием 7, имеющей самостоятельный вывод,электрода 8 коррекции апертуры электронного пучка с отверстием 9, дополнительной диафрагмы 10 с отверстием 11, электрически соединеннойс ускоряющим электродом 3, анода 12с отверстием 13 и фокусирующей линза"14. На чертеже обозначены: кроссовер 15, электронный пучок 16, прошедцая часть 17 электронного пучкапосле выреэающей диафрагмы б,элект ронное пятно 18 на экране 19. Вместо магнитной фокусирующей линзы 14может быть использована электроста"тическая Фокусирующая система, например одиночная линза.15 ЭОС работает следующим образом.Йммерсионный объектив, образованный катодом 1, модулятором 2 и электродом 3 Формирует электронный пучок 1, который после образования 20 кроссовера 15 попадает в линзу, образованную ускоряющим электродом 3 сотверстием 5 и вырезающей диафрагмой б с отверстием 7, имеющей самостоятельный вывод. В зависимости,от .25 соотношения диаметров отверстий 5 и 17 изменением потенциала на вырезаю-щей диафрагме 6 устанавливается требуемай ток пучка без изменения потен-циала на модуляторе 2, т,е. путем 30 изменения крутизны модуляционной характеристики за счет увеличения илиуменьшения апертуры электронногопучка "б .перед отверстием 7 вырезающей диафрагмы 6, Кроме того, можнорегулировать ток пучка изменениемнапряжения на модуляторе 2. Послеограничения электронного пучка 16 потоку и апертуре отверстием 7 вырезавшей диафрагмы б прошедшая часть 17электронного пучка попадает в линзы, 40 образованные диафрагмой 6 и электродом 8 с отверстиями 7 и 9 и. электродом 8 и дополнительной диафрагмой10 с отверстиями 9 и 11, Линза, образованная диафрагмой 10 и анодом 12, 45 имеет постоянную оптическую силу,приэтом уменьшить апертуру прошедшейчасти 17 электронного пучка в области главной фокусирующей линзы, образованной Фокусирующей линзой 14, мож но изменением потенциала на электРоде 8, Одновременно при величине потенциала на электроде 8, меньшем величины потенциала вырезающей диафрагж Ь для вторичных электродов, вы,битых с Краев отэерстия 7, соэдаетсвтормозящее поле, т.е. электрод 8дополнительно работает .как антидинатронный и препятствует попаданиювторичных электронов на экран 19.Ког. да потенциал на электроде 8 выше60 или равен потенциалу на вырезаюцейдиафрагме 6, то перехват вторичныхэлектронов осуществляется дополнительной диафрагмой 10, которая одновременноявляется фоновой. Линза 1465 Фокусирует часть 17 электронного пучЗаказ 5844/53 Тираж 703 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д, 4/5а еюеа ею еещвмею филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ка на экран 19 и формирует электронное пятно 18, Изменением потенциала на электроде 8 коррекции достигается уменьшение апертуры прошедшей части 17 электронного пучка и угла схождения у экрана. Малая апертура прошедшей части 17 электронного пучка в области главной фокусирующей линзы позволяет уменьшить аберрации электронного пучка и достигнуть высокого разрешения в центре экрана ЭЛТ. Изменением напряжения на вырезающей ди фрагме б или модуляторе 2 достигается требуемюй ток пучка, т.е. высокая плотность электронного тока. Малый угол схождения электронного пучка у экрана при высокой плотности тока электронного пучка позволяет достичь высокой равномерности по полю экрана.Таким образом, предлагаемая схема ЭОС позволяет достичь высокой разрешающей способности прн большихплотностях тока электронного пучкан низких напряжениях на аноде, Онаможет работать не только прн низких,но и при высоких .( 15 кВ) анодных 5 напряжениях, однако оптимальнымиявляются напряжения анода 2-4 кВ.Конструкция ЭОС с низким напряжениеманода позволяет получить удельнуюразрешающую способность на экране 1 О ЭЛТ (диаметр 13 см, общая длина54 см. магнитная фокусирующая линза)до 20 линий/ммпри контрасте мелких деталей 50."Кроме того, уменьшение напряжения на аноде до ю,3 кЬпозволяет существенно уменьшитьмощность, потребляемую отклоняющейсистемой. ЭОС может быть использована в осциллографических ЭЛТ итрубках с наксплением заря