Микрополосковая нагрузка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)4 Н 01 Р 1/ ОМИТЕТ СССНИЙ И ОТНРЫТ ГОСУДАРСТВЕНН ПО ДЕЛАМ ИЭО ЫИ Н РБРЕТЕ ИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ г 1ф:-.,.ф:ИБЯЦяця ИРУЗКА кую подложторой нане" ик, а на др ие, при это ку подключе которого со поглотиконца, коэффиц 14, при провод основа роводн Ц(54)(57) МИКРОПсодержащая диэлку, на одной стсен токонесущийгой-заземляющеек токонесущемурезистор, другои единен с заземляющим основанием, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью улучшения согласо 1 анин и увеличения допустимой рабочей мощности, на диэлектрической подложке вдоль токонесущего проводника разме щен объемный поглотитель, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которого описывает- ся выражением; А(х) = 10 И/е ,гдех/к И - ширина токонесущего проводника; А - значение ординаты образующей; х - текущее значение длины объемногтеля, отсчитываемое от его ближайшего к резистору; К - иент, лежащий в пределах 2 этом Амин= Ою 2 Ю.950130 Изобретение относится к технике СВЧ,Известна микрополосковая нагрузка с фиксированной фазой коэффициента отражения, представляющая собой вариант включения или заземления сосредоточенных или распределенных резисторов в микрополосковой линии.Недостатком этой микрополосковой линии является относительно высокое значение КСВН (1,1 - 1,2). Известна также микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой - заземляющее основание,при этом к токонесущему проводнику подключен резистор, другой конец которого соединен с заземляющим основанием,Редактор С.Титова Техред Л.Олейник Корректор И.Ичска Заказ 2 156/2 Тираж 597 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 13035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5,Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Однако эта известная микрополосковая нагрузка не обеспечивает хорошего согласования и высокой допустимой мощности.Цель изобретения - улучшение согласования и увеличение допустимойрабочей мощности,Для этого в известной микрополосковой нагрузке на диэлектрическойподложке вдоль токонесущего проводника размещен объемный поглотитель,имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которогок/кописывается выражением А(х) =1011/егде У в шири токонесущего проводника, А - значение ординаты образующей, х - текущее значение длиныобъемного поглотителя, отсчитываемоеот его конца, ближайшего к резистору,К - коэффициент, лежащий в пределах12-14, при этом А= 0,2 Я 1. 3На чертеже приведена конструкциямикрополосковой линии,Микрополосковая линия содержитдиэлектрическую подложку 1, на однойстороне которой нанесен токонесущийпроводник 2, а на другой сторонезаземляющее основание 3, при этом ктоконесущему проводнику 2 подключенрезистор 4, другой конец которого1 О соединен с заземляющим основанием 3,на диэлектрической подложке 1 вдольтоконесущего проводника 2 размещенобъемный поглотитель 5, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси,образующая которого описывается выражением А(х)=10 И/е, причем К =- 2-14, а А,=. 0,25 Ы,При изготовлении объемного поглотителя 5 из ферроэпоксида К = 12,рр при изготовлении из полижелеза К=14,Микрополосковая нагрузка работаетследующим образом.Объемный поглотитель 5 практически не изменяет собственного КСВН ре 25 гулярной микрополосковой линии иобеспечивает развязку между входоммикрополосковой линии и резистором 4,За счет наличия развязки отражения,вызыгаемые несовершенством резистозо ра 4 и качеством его заземления, навход микрополосковой нагрузки не попадают, а большая часть мощности, поданной на микрополосковую нагрузку,рассеивается в объемном поглотителе,не достигая резистора 4, КСВН такоймикрополосковой нагрузки практическисовпадает с собственным КСВН регулярной микрополосковой линии.Таким образом, введение объемногопоглотителя позволяет уменьшить КСВНмикрополосковой нагрузки, т.е. Улучшить согласование, а также увеличитьдопустимую рабочую мощность.
СмотретьЗаявка
3232025, 05.01.1981
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5594
АНДРЕЕВ Ю. Ф, КУЧЕР И. Д, ШЕФЕР Н. А
МПК / Метки
МПК: H01P 1/26
Метки: микрополосковая, нагрузка
Опубликовано: 23.01.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-950130-mikropoloskovaya-nagruzka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микрополосковая нагрузка</a>
Ный переход на микрополосковую линию
Номер патента: 273308
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H01P 5/08
Метки: линию, микрополосковую, ный, переход
...перехода ня микрополосковую лиц цю.У коаксцальной л 1 ннпп 1 центральный про водник 2 окацчпвается лепестком,у, которьшконтактпрует с цолоскои 4 микрополосковои линии 5 с помощью дпэлсктрического стержня 6.Лепесток переходя имеет увеличенную ши рину по сравценц;о с шириной полоски микрополосковой лцнцп, Такое скячкооорязное Изменение ширины полоски липни представляет собой неодцородносгь в виде последовательной индуктивной реактивности Х, которая вы ражается формулойХ 0 2 О 120, -- волновос сопротцвлецпе полосково линии, шприца полоскп которой рав на шцрцне лепестка перехода;273308 Составитель В. Поветкинактор Т. И. Морозова Текред Т. П, Курилко Кор 1:ектор Л. В, Юшина Заказ 2549/3 Тираж 480 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам...
Микрополосковая нагрузка
Номер патента: 964798
Опубликовано: 07.10.1982
Автор: Лехциер
МПК: H01P 1/26
Метки: микрополосковая, нагрузка
...сумме длины резистивного слоявдоль его продольной оси и радиуса окружности.Иа чертеже показано устройство микро-%полосковой нагрузки.Микрополосковая нагрузка содержитотрезок 1 микрополосковой пинии, подключенный к резистивному слою 2, закороченному круглым металлизированным отверстием 3, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка.микрополосковой линии, причем ширинареэистивного слоя выполнена увеличиваю-,щейся в направлении к металлизированному отверстию по закону Е =Я ., где= 1, 2, 3сечения резистивного слоя,выполненные в виде окружностей, центр,которых совпадает с центром металлизированного отверстия, удаленного от кон.20ца отрезка 1 микрополосковой линии нарасстояние, равное сумме длины резистивного слоя 2...
Микрополосковая нагрузка
Номер патента: 1171879
Опубликовано: 07.08.1985
МПК: H01P 1/26
Метки: микрополосковая, нагрузка
...и может быть использовано при испытании и настройке трактов, а также в интегральных элементах аппаратуры.Целью изобретения является увеличение мощности.На чертеже показана конструкция микро- полосковой нагрузки,Микрополосковая нагрузка содержит отрезок 1 микрополосковой линии, подключенный к резистивному слою 2. внутренняя кромка 3 которого закорочена металлизированным отверстием 4, выполненным в диэлектрической подложке 5 на продольной оси 6 отрезка 1 микрополосковой линии, причем резистивныйслой 2 выполнен с шириной, уменьшающейся по мере удаления от отрезка 1 микрополосковой линии Внешняя кромка 7 резистивного слоя 2 закорочена, а между торцом 8 отрезка 1 микрополосковой линии и металлизированным отверстием 4 выполнен зазор 9....
Пересечение микрополосковых линий
Номер патента: 1337940
Опубликовано: 15.09.1987
Автор: Следков
МПК: H01P 1/04
Метки: линий, микрополосковых, пересечение
...Между концами 5 и 6 разрыва первого токонесущего проводника 3 и вторым токонесущим проводником 4 размещены введенные дополнительные отрезки 10 и 11 проводников изолированные от первого 3 и второго 4 токо- несущих проводников и соединенцые с заземляющим основанием 2 проводниками 12, размещенными в отверстиях выполненных в диэлектрической подложке 1.Пересечение микрополосковых линии работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поданный на первый токонесущий проводник 3, проходит по нему через проводники 9 и третий токонесущий проводник 7. Развязка по СВЧ-полю между первым 3 и вторым токонесущими проводниками обеспечивается введением дополнительных отрезков 1 О и 11 проводников, соедц 25 ЗО 35 40 ненных проводниками 12 с заземляющим основанием...
Устройство для измерения распределения импульсного электромагнитного поля в микрополосковой линии
Номер патента: 1374150
Опубликовано: 15.02.1988
Авторы: Бородина, Висюлькин, Зайцев, Калинин, Синицын
МПК: G01R 29/08
Метки: импульсного, линии, микрополосковой, поля, распределения, электромагнитного
...проходящим через аттенюатор и фазовра" щатель. Это изменение пропорциональ" но квадрату напряженности электрического или магнитного поля. При этом в зависимости от длины области взаимодействия (т.е. в зависимости от длины тонкой пленки 2 в направ" лении распространения поверхностной акустической волны) в фазе прошедшего акустического сигнала содержится информация либо о пространственном, либо о временном распределении электромагнитного поля измеряемого импульса. Сигналы с обоих плеч установки, смешиваясь, поступают на.фазовый детектор 8. Таким образом, сигнал на выходе Фазового детектора 8, развернутый во време" ни в соответствующем масштабе (например, с помощью осциллографа), полностью соответствует пространственному или временному...
Предыдущий патент: Способ получения карбоксиметилцеллюлозы
Следующий патент: Статистические сополиэфиры в качестве цветного фоточувствительного слоя
Случайный патент: Конденсатор, в частности для конденсации камфары при ее производстве