Микрополосковая нагрузка

Номер патента: 964798

Автор: Лехциер

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциалистическикРеспублик(51)М. Кл. Н 01 Р 1/26 Ьеуаарсткеиы 1 каинтет СССР ао алаи кзобретеккй н отерыткк(54) МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА 1Изобретение относится к технике сверхвысоких частот. Известна микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микрополосковой ли нии, подключенный к резистивному слою, 5 закороченному металлизированным отверотием, выполненным в диэлектрической под- . ложке на продольной оси отрезка микро- полосковой линии, причем ширина резистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизирова иному отверстию по закону, описывавмому соотношением 2 =В, где 2- волновое сопротив ление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесущего проводника, равную5 ширину реэистивного слоя в сечении 1, В - активное сопротивление реэистивного слоя, размещенного между сечением и металлнэированным отверстием 1 1.Однако в данной микрополосковой нагрузке недостаточно хорошее согласование и сложная конструкция, что .связано с не обходимостью выполнять металлиэнрован 2ное отверстие в виде изогнутой узкойщели,Бель изобретения - улучшение согласовании и упрощение конструкции,.Бель достигается тем, что в микропо-лосковой нагрузке, содержащей отрезокмикрополосковой линии, подключенный креэистивному слою, закороченйому металлизированным отверстием, выполненным вдиэлектрической подложке на продольнойоси отрезка микрополосковой линии, причем ширина реэистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении кметаллиэированному отверстию по .законуописываемому соотношением 1 В,где 2; - волновое сопроттвлейие микрополосковой линий, имеющей ширину токоне-сущего проводника, равную ширине реэистивного слоя в сечении 1, К - активноесопротивление резистивного слов, размещенного между сечением 1 тт металлизированным отверстием, металлиэированноеотверстие выполнено в виде окружности,центр которой. удален от конпа отоезю96498 3микрополосковой линии ца расстояние,равное сумме длины резистивного слоявдоль его продольной оси и радиуса окружности.Иа чертеже показано устройство микро-%полосковой нагрузки.Микрополосковая нагрузка содержитотрезок 1 микрополосковой пинии, подключенный к резистивному слою 2, закороченному круглым металлизированным отверстием 3, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка.микрополосковой линии, причем ширинареэистивного слоя выполнена увеличиваю-,щейся в направлении к металлизированному отверстию по закону Е =Я ., где= 1, 2, 3сечения резистивного слоя,выполненные в виде окружностей, центр,которых совпадает с центром металлизированного отверстия, удаленного от кон.20ца отрезка 1 микрополосковой линии нарасстояние, равное сумме длины резистивного слоя 2 вдоль его продольной оси ирадиуса металлизированного отверстия.Ьикрополосная нагрузка работает 2следующим образом,Сверхвысокочастотная мощность, поступающая по отрезку 1 микрополосковойлинни, рассеивается в резистивном слое2. Согласование обеспечивается выбором зоширины реэистивного слоя в каждом сечении 1, при которой выполняется соотношение 2 =К., где 2 - волновое1сопротивление микрополосковой линии,имеющей ширину токонесущего проводника, равную ширине резистивного слоя, отсчитанную по сечению 1, В -активноесопротивление резистивного слоя размещенного между сечениеми металлизированным отверстием. Микрополоековая нагрузка обеспечивает работу при высоком уровне сверхвысоко, частотной мощности, обеспечивает хорошее согласование, имеет малые габариты и проста в изготовлении. формула изобретения Микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микрополосковой линии, подключенный к резистивному слою, закороченному металлиэированным отверстием, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем ширина резистивного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизированному отверстию по закону, описываемому соотношением Л=В:, где 2 - волновое сопротивление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесущего проводника, равную ширине резистивного слоя в сечении 1, В - активное сопротивление резистивного слоя, размещенного между сечением 1 и металлизированным отверстием, о т л и ч а ю щ а - я с я тем, что, с целью улучшения согласования,и упрощения конструкции, метал- лизированное отверстие выполнено в виде окружности, центр которой удален от конца отрезка микрополосковой линии на расстояние, равное сумме длины резистивного слоя вдоль его продольной оси и радиуса окружности. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент ФРГ, Мо 2260058,кл, Н 01 Р 1 У 26, опублик. 1975 прототип).ВНИИПИ Заказ 7646/37 Тираж 630 Гопписное филиал ППП ",Патент", , Ужгород,ул, 1 ро ктная,

Смотреть

Заявка

2980759, 05.09.1980

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3570

ЛЕХЦИЕР АРКАДИЙ ЯКОВЛЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01P 1/26

Метки: микрополосковая, нагрузка

Опубликовано: 07.10.1982

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-964798-mikropoloskovaya-nagruzka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Микрополосковая нагрузка</a>

Похожие патенты