Пересечение микрополосковых линий
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1337940
Автор: Следков
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 40 Р 1/04 ДЕ Е ИЗОБРЕТЕНИ ПИ К АВТОРСКОМ ДЕТЕЛЬСТВУ 8)В,А, Оптообраэуюсредств1981,исвяке гТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР М ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(56) Егги Б.А., Следковзация структуры диаграммсхемы Батлера. - Техникази. Сер. Общетехническаяс. 50-56.Патент Японии У 57-56241,кл. Н 01 Р /04) 1982,(57) ИзСВЧ и обретение относится к техупрощает конструкцию, СВЧнал, поданный на 1-й токонесущий проводник (ТП) 3, проходит по нему через проводники 9, размещенные в диэлектрич. подложке 1, и 3-й ТП, Развязка по СВЧ-полю между 1-м ТП 3 и2-м ТП 4 обеспечивается введениемдополнительных отрезков 10 и 11 проводников, соединенных проводниками12 с заземляющим основанием. Дляувеличения развязки между ТП 3 и 4возможно выполнение ТП 4 и 3-го ТПс зазорами в месте их скрещивания.Заземляющее основание проходит череззазор 3-го ТП, отрезки О и 11 соединены перемычкой, расположенной взазоре ТП 4, а точки разрывов ТП 4и 3-го ТП соединяются воздушными перемычками. 3 ил,5 10 15 45 Изобребение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано при построении интегральцых схем,Цель изобретения - упрощение конструкции пересечения микрополосковыхлиний,На фиг.1 показано пересечение микрополосковых линий; на фиг,2 - разрез А-А на фиг.1; на фиг3 в .видБ на фиг,2.Пересечение микрополосковых линийсодержит диэлектрическую подложку 1,на одной стороне которой размещенозаземляющее основание 2, а на другойстороне - первый 3 и второй 4 токонесущие проводники, Первый токонесущий проводник 3 имеет разрыв, в котором проходит второй токонесущий проводник 4. Концы 5 и 6 разрыва первого токонесущего проводника 3 соедимены с третьим токонесушим проводником 7, расположенным в окне 8, выполненном в заземляющем основании 2, через проводники 9, размещенные в отверстиях диэлектрической подложки 1. Между концами 5 и 6 разрыва первого токонесущего проводника 3 и вторым токонесущим проводником 4 размещены введенные дополнительные отрезки 10 и 11 проводников изолированные от первого 3 и второго 4 токо- несущих проводников и соединенцые с заземляющим основанием 2 проводниками 12, размещенными в отверстиях выполненных в диэлектрической подложке 1.Пересечение микрополосковых линии работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поданный на первый токонесущий проводник 3, проходит по нему через проводники 9 и третий токонесущий проводник 7. Развязка по СВЧ-полю между первым 3 и вторым токонесущими проводниками обеспечивается введением дополнительных отрезков 1 О и 11 проводников, соедц 25 ЗО 35 40 ненных проводниками 12 с заземляющим основанием 2 и благодаря этому экрацирующих первый 3 и второй 4 токо- несущие проводники,Для увеличения развязки между первым 3 и вторым 4 токонесущими проводниками возможно выполнение второго 4 и третьего 7 токонесущих проводников с зазорами в месте их скрещивания. Заземляющее основание 2 проходит через зазор третьего токонесущего проводника 7, дополнительные отрезки 1 О и 11 проводников соединены перемычкой, расположенной в зазоре второго токонесущего проводника 4, а точки разрывов второго 4 и третьего 7 токонесущих проводников соединяются воздушными перемычками. Формула изобретения Пересечение микрополосковых линий, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне - токонесущие проводники, первый из которых имеет разРыв, в,котором проходит второй токо- несущий проводник, а концы разрыва первого токонесущего проводника соединены с третьим токонесущим проводником через проводники, размещенные в отверстиях в диэлектрической подложке, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения конструкции, третий токоцесущий проводник расположен в окне, выполненном в заземляющем основании, а между вторым токонесущим проводником и концами разрыва первого токонесущего проводника размещены введенные дополнительные отрезки проводников, изолированные от первого и второго токонесущих проводников и соединенные сзаземляющим основанием проводниками,дополнительно введенными и размещенными в отверстиях, которые выполненыв диэлектрической подложке,1337940 Ю73 1 д 4 77Со ст авитель В. Алыбин Редактор А.Огар Техред В.Кадар Корректор А,Тяско Заказ 4136/50 Тираж 625 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
3982767, 02.12.1985
РОСТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М. А. СУСЛОВА
СЛЕДКОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01P 1/04
Метки: линий, микрополосковых, пересечение
Опубликовано: 15.09.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1337940-peresechenie-mikropoloskovykh-linijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пересечение микрополосковых линий</a>
Предыдущий патент: Устройство для соединения волноводных элементов
Следующий патент: Коаксиальный переключатель
Случайный патент: 200393