Датчик температуры

Номер патента: 173455

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Бочков

МПК: G01K 1/14, G01K 7/02

Метки: высокой, датчик, стационарной, температуры

...быть установлен так, что он выдвинут в контролируемую среду или расположен заподлицо со стенкой трубопровода или емкости с контролируемой средой, в соответствии с чем тепловоспринимающая поверхность датчика будет либо его боковой поверх. пастью, либо торцом. Во втором случае чувствительные элементы расположены в пзотер. мических поверхностях датчика,Такое выполнение датчика позволяет получить показания измеряемой температуры в пературы первого и второго чувстви хэлементоз, а й и Н - постоянныециенты, определяемые по показаниям да15 в два момента регулярного теплового ре1 го - 1 пгю уравнению й=и Л=и - 1, гдс г, - температура второго чувстви20 элемента в оба момента времени, а Оразность температур чувствительныхтов в те же моменты...

Номер патента: 571589

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Ахметов, Булатов, Видовский, Дубовик, Перевертов

МПК: E21B 47/06

Метки: датчик, скважине, температуры

...ферритовый сердечник1, выполненный н виде конусаПо наружной поверхности и торцам ферритовогосердечника выполнены продольные пазы,н которые укладываются обмотки 2. Дат"чик снабжен обоймой 3 с коническим отверстием вдоль оси, н котором расположен ферритовый сердечник 1 с обмотками. Сердечник эапрессонывается по конусу н обойму 3 с последующим фиксированием поджимной гайкбй 4 с целью соэ"дания н нем напряженного состояния,которому соответствует определеннаямагнитная проницаемость при заданнойнапряженности магнитного поля, созданного током в обмотке датчика,Изменением усилия посадки ферритово"го сердечника н обойме производится571589 Формула изобретения нй радиу. дечника ее давна по- ного сер де г и г -в РИФв-в ии, принизе;др. Датч1...

Номер патента: 638854

Опубликовано: 25.12.1978

Авторы: Азатьян, Гуссак, Интезарова, Шавард

МПК: G01K 15/00

Метки: градуировки, датчиков, контактных, температуры

...точности измерения температуры среды.Для этого по предлагаемому способу определяют изменение температуры вслед. ствие рекомбинацнониого разогрева датчика н время, в течение которого происходит ее изменение, по измеренным данным находят величину погрешности, обусловленной рекомбинационным разогревом датчика.На чертеже показано устройство для градунровкн контактных датчиков температуры в среде атомов водорода.Атомный водород получают с помогцью высокочастотного разряда в струе смеси молекулярного водорода с гелием в секции 1, Из секциигазовая струя через диафрагму - сопло 2 - поступает в реакционный сосуд 3, нагреваемый электропечью 4, . в центральной части которой помещен рабочий свай 5 исследуемой термопары.В нижней части реакционного...

Номер патента: 922541

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Кузнецов, Сурговито, Трохан, Югов

МПК: G01K 13/02

Метки: датчик, жидкости, потока, пульсаций, температуры

...в виде слоев 4 (например, родневых или медных), образующую термобатарею с внутренними 5 и внешними 6 термоспаями.Внешние спаи термобатареи расположены на клинообразных выступах 7, образованных витками спирали, а внутренние термоспаи находятся в тепловом контакте с оболочкой и кольцеобразным сердечником и предохранены от электрического замыкания изоляци 1 4онным слоем 8. Концы термобатареисоединены с токосъемными проводниками 9 для подключения к измерительному прибору.Дпя улучшения условия обтеканияклинообразным выступам придана криволинейная форма, например параболическая, Основания выступов жестко заделаны в теплоинерционную оболочкудля придания конструкции большейжесткости. С целью устранения влияния проводимости среды на...

Номер патента: 1763960

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Ануфриев, Титов, Ходос

МПК: G01N 27/00

Метки: влажности, датчик, относительной, температуры

...обнаружено, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого решения критериям, предъявляемым к изобретению,На чертеже показано схематическое устройстводатчика ОВ и температуры: влагочувствительный 1 и термочувствительный 2 элементы, полупроводниковая пленка 3, диэлектрическая подложка 4, ВЧ-контуры 5, слой герметизирующего немагнитного диэлектрика 6, непроводящий немагнитный корпус 7.Устройство работает следующим образом.Для проведения измерений датчик помещают в исследуемую атмосферу. Удельное сопротивление р пленок кремния в структуре КНС изменяется: в термочувствительном элементе - под воздействием температуры среды, во влагочувствительном - под воздействием и температуры среды, и влаги, поскольку поверхность пленки не...