Линия задержки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 902122
Авторы: Гуляев, Зильберман, Игнатьев, Медников
Текст
О П И С А Н И Е щ 9021 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет -Опубликовано 30,01.82. БюллетеньДата опубликования описания 05.02.82) ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ ставлена предлагаемая оперечное сечение (при Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах обработки сверхвысокочастотного сигнала в аналоговой форме.Известна линия задержки, содержащая ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную антенны 111.Однако известная линия задержки характеризуется сравнительно высокими потерями.Цель изобретения - уменьшение потерь сверхвысокочастотного сигнала.Для достижения поставленной цели линии задержки входная и выходная антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.При этом входная и выходная антенны, а также омические контакты расположены на одной поверхности полупроводникового слоя, или входная и выходная антенны и омические контакты расположены на противоположных поверхностях полупроводнико.вого слоя.На фиг. 1 предлиния, общий вид, и 2расположении входной и выходной системы антенны и омических контактов на одной поверхности полупроводникового слоя); на фиг. 2 - то же, при расположении входной и выходной антенны и омических контак тов на противоположных поверхностях полупроводникового слоя,Линия задержки содержит ферритовый 1и полупроводниковый 2 слой, омические контакты 3, входную 4 и выходную 5 антенны. На фиг. 1 и 2 показаны также диэлектрическая подложка 6 и металлическое основание 7.Предлагаемая линия задержки работаетследующим образом.Слоистая структура из ферритового 1 иполупроводникового 2 слоев, у краев которой имеются входная 4 и выходная 5 антенны, намагничивается системой подмагничивания (не показана) в плоскости структуры перпендикулярно направлению распространения волны. На входную антенну 4 подается сверхвысокочастотный (СВЧ) сигнал, который возбуждает в ферритовом слое 1 спиновую волну. Синхронно с СВЧ-сигналом на омические контакты 3 подается импульс тока, который отдает свою энергию спиновой902122 волне при соблюдении взаимодействия электронов полупроводникового слоя 2 с спиновой волной. Потери, претерпеваемые волной при распространении, таким образом, частично компенсируются. В силу меньшей скорости распространения волны в ферритовом слое 1, чем в вакууме, на выходной антенне 5 регистрируется задержанный СВЧ-сигнал с соответствующей амплитудой.Предлагаемая линия задержки позволяет уменьшить потери сигнала и увеличить эффективность работы примерно в 1 О раз.1 О Фориула изобретения Источники информации,1 з принятые во внимание при экспертизе1. Яыйа)соева М., %ей В. - Ргос.о 1 ъйга 11 оп РгоЬегпз 1973 ч. 14,2,р. 155 - 162 (прототип). Составитель Е. Пестрова Редактор Л. Пцелинская Техред А. Бойкас Корректор М. Коста Заказ 12399/64 Тираж 628 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4. Линия задержки, содержащая ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную антенны, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потерь сверхвысокочастотного сигнала, входная и выходная антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.2. Линия по п. 1, отличающаяся тем, что входная и выходная антенны, а также омические контакты расположены на одной по. верхности полупроводникового слоя.3. Линия по п, 1, отличающаяся тем, что входная и выходная антенны и омические контакты расположены на противоположных поверхностях полупроводникового слоя.
СмотретьЗаявка
2795242, 09.07.1979
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1631
МЕДНИКОВ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ, ЗИЛЬБЕРМАН ПЕТР ЕФИМОВИЧ, ИГНАТЬЕВ ИГОРЬ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ГУЛЯЕВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01P 9/00
Опубликовано: 30.01.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-902122-liniya-zaderzhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Линия задержки</a>
Способ соединения пьезопреобразователя со звукопроводом ультразвуковой линии задержки
Номер патента: 185984
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Гуровиц, Хаютин, Шахбаз, Шпичинецки
МПК: H01P 9/00
Метки: задержки, звукопроводом, линии, пьезопреобразователя, соединения, ультразвуковой
...При этомняет все микроверхностях звутеля. Предмет изобретения Авторыизобретения Л. С, Гуровиц, С, Г. Хаю Заявитель Государственный научисплавов и Известны способы соединения пьезопреобразователя со звукопроводом ультразвуковой линии задержки с помощью металлического согласующего слоя.В предложенном способе соединения пьезопреобразователя со звукопроводом ультразвуковой линии задержки в качестве согласуюшего слоя использован сплав индия, содержащий 0,5 - 25% талия. Нагрев соединяемых элементов проводится при 145 в 1 С под давлением 20 - 25 кг/сма в течение 3 - 6 час, Это отличие позволяет увеличить термостабильность и широкополосность линии задержки и обеспечить прочный механический и акустический контакт между...
Входной элемент дискретно-аналоговой линии задержки
Номер патента: 942243
Опубликовано: 07.07.1982
МПК: H03H 7/00
Метки: входной, дискретно-аналоговой, задержки, линии, элемент
...О 5 20 25 30 35 40 ра амплитудного квантоватепя, один аттенюатор присоединен между выходом первого источника управляющих тактовых импупьсов и затворами транзисторов четных каскадов задержки,второй аттенюатормежду вторым источником управпяющихтактовых импупьсов и затворами транзисторов нечетных каскадов задержки,На чертеже представпена функционвпьная эпектрическая схема устройства,Устройство содержит попевой транзистор 1 амплитудного квантоватепя, разделительный конденсатор 2, резистор 3,запоминающий конденсатор 4, полевойтранзистор 5 первого каскада задержки,конденсатор 6, полевой транзистор 7 второго каскада задержки, конденсатор 8,фильтр 9 нижних частот, вентипи 10 и11, аттенюаторы 12 и 13,Устройство работает спедуюшим образом,Режим...
Запоминающее устройство на линиях задержки
Номер патента: 585542
Опубликовано: 25.12.1977
МПК: G11C 11/00, G11C 7/00
Метки: задержки, запоминающее, линиях
...рециркулирует синхронно с работой тактового генератора. Это достигается непрерывной передачей маркерных импульсов с выхода накопителя 1 на вход синхронизации тактового генератора и с)андартными линиями задержки 12, включенными во все накопители, кроме первого.Синхронная работа накопителя . 1 тактового генератора достигнута. благог -я жесткой связи между выходом накопител. 1 и входом синхронизации тактового генер -ора, Синхроннаяаработа всех остальных накопителей (2 и 3) с работой тактового генератора достигаетсй с помощью стандартной линии задержки 12. Так как длина звукопровода любого из накопителей берется такой, что ограничивается только минимальная длина з"-уопровода, то импульсы на выходе накопитв 2 и 3 могут появляться не...
Многоотводная линия задержки
Номер патента: 664279
Опубликовано: 25.05.1979
МПК: H03H 9/30
Метки: задержки, линия, многоотводная
...шаг расположения выходных преобразова664279 Х Составитель В. БанковРедактор А. Морозова Техред Э, Чужик. Корректор Г. Назарова Заказ 3014/52 - Тираж 1059 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 телей в Р раз превышает шаг расположения секций входного преобразователя,На чертеже показана структурная схе ма предлагаемого устройства.Входной преобразователь 1 многоотвоцной линии задержки содержит Р секций. Они расположены в общем акустическом канале с шагом В, соответствующим требуемому дискрету задержки отводов. Выходные преобразователи 2 расположейы с шагом РИВходной электрический сигнал подается на одну из Р...
Многоотводная линия задержки наповерхностных акустических волнах
Номер патента: 849440
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Речицкий
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, многоотводная, наповерхностных
...0 П И С А Н И Е р 1849440ИЗОБРЕТЕН ИЯ38494Поставпеннвя цепь достигается тем,что в многоотвоаной нинин зааержки, содержащей пьезоэлектрический эвукопровоа в форме камертона с плавно закругленным торцом и расположенные на па 5 раллельнык рабочик поверкностяк ветвей звукопровода акустически последовательно входной и выходные преобразователи поверхности акустических воин, входной преобрвзоватепь состоит из двух секций, 10 расположенных на одной из ветвей звукопровоав и сдвинутых друг относительно друга вдоль ее длины и ширины, при этом все выходные преобразоватепи расположены на другой ветви эвукЬпровода. 15На фиг. 1 показана конструкция пред-, лагаемой пинии задержки, на фиг. 2 а, б - рабочие поверхности первой и второй ветвей...
Предыдущий патент: Симметрирующее устройство
Следующий патент: Рамочная активная антенна
Случайный патент: Тележка для волочильного стана