Входной элемент дискретно-аналоговой линии задержки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Сфез СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ и 942243. вв авам вэевретвккв к юткрцтквДата опубликования описания 07.07.821Изобретение относится к импупьсной 1 технике и может испощ зоваться в радиотехнических устройствах, в которых требуется задержка анвпоговых сигнапов, например в устройствах обработки информаМии, фипьтрах, оперативных запоминающих устройствах, в телевидении.Известны дискретно-анапоговые линии задержки аналоговых сигнапов фс, двухфазным питанием на полевых транзисторах, 1 а содержащие И каскадов задержкй, каждый из которых состоит из, транзисзЬра и конденсатора, который вкпючен между стоком и затвором транзистора, на исток которого подается входной сигнап и на з пряжение смешения, а иа затвор - управляющие тактовые импупьсы 1 1. Отмеченные. пинии задержки внвпоговых сигнапов по многим техническим хао рактеристикам значительно превосходят свои акустические и магнитные анапоги, Реапизация указанных пиний задержки возможна на попевых транзисторах различной структуры: с управляющим р - ипереходом, МОП ипи М,ВП транзисторах.Выбор типа транзистора дпя пинии задержки диктуется требованиями к ее пврвметсрам, Линии на попевых транзисторах суправпяюшим - п переходом обпвдаютлучшими частотными характеристиками.Кроме того, эти приборы бопее стабильны, менее подвержены впиянию изменений порогового напряжения и работаютпри значительно меньшей амппитуде тактового питания,Недостатком дискретно-аналоговых пинийзадержки на полевых транзисторах упрввпяюшим -и переходом является критичность их работы к вепичине питающих напряжений, которая звкпючается в том, что даже небольшая нествбипьность напряжения смешения и амппитуды тактовых импупьсов приводит к искаже виям сигнала в пинии, а при нестабильности питающих напряжений порядка 20- 30% пиния еообше перестает функпиони 942243 445 50 55 ровать, что явпяется характерным длявсех дискретно-анапоговых пиний задержки на попевых транзисторах с управпяющим -л переходом.Наибопее бпизким к предпагаемомуявпяется входной элемент дискретно-анапоговой пинии задержки, содержащий амппитудный кмнтоватепь на попевом транзисторе, исток которого через раздепительный конденсатор соединен со входомустройства, а сток соединец с эапоминающим конденсатором поспедомтепьносоединенные каскады задержки, выполненные на попевых транзисторах, причемисток попевого транзистора первого каскада задержки соединен со стоком транзистора амппитудного квантоватепя, затворы транзисторов четных каскадов задержки соединены с затвором транзистора амппитудного квантоватепя, затворытранзисторов нечетных каскадов задержки соединены между собой, два источника управляющих тактовых импульсов,резистор, включенный между истоком полевого транзистора амппитудного квантователя и источником смещения 1 2,Однако небопьшая нестабильность питающих напряжений приводит к значитепьной нестабильности в работе известногоустройства,Цепь изобретения - повышение ста -бипьности за счет обеспечения синфазности изменения напряжения смешения и амппитуды тактовых импупьсов,Поставленная цель достигается темчто во входной эпемент дискретно-анапоговой линии задержки, содержащий амппитудный квантователь на попевом транзисторе, исток которого через разделительный конденсатор соединен с входом устройства, а сток соединен с запоминающим конденсатором, поспедовательно соединенные каскады задержки, выпопненныена полевых транзисторах, причем истокполевого транзистора первого каскада звдержки соединен со стоком транзистораамппитудного кмнтоватепя, затворы транзисторов четных каскадов задержки соединены с затвором транзистора амппитудного квантомтеля, затворы транзисторовнечетных каскадовзадержки соединенымежду собой, дм источника управпяюшихтактовых импупьсов, резистор, введеныдва аттенюатора, дм вентиля и фипьтрнижних частот, причем выходы источников управляющих тактовых импупьсов череэ вентили присоединены к входу фильтра нижних частот, выход которого черезрезистор соединен с истоком трвнэисто 1 О 5 20 25 30 35 40 ра амплитудного квантоватепя, один аттенюатор присоединен между выходом первого источника управляющих тактовых импупьсов и затворами транзисторов четных каскадов задержки,второй аттенюатормежду вторым источником управпяющихтактовых импупьсов и затворами транзисторов нечетных каскадов задержки,На чертеже представпена функционвпьная эпектрическая схема устройства,Устройство содержит попевой транзистор 1 амплитудного квантоватепя, разделительный конденсатор 2, резистор 3,запоминающий конденсатор 4, полевойтранзистор 5 первого каскада задержки,конденсатор 6, полевой транзистор 7 второго каскада задержки, конденсатор 8,фильтр 9 нижних частот, вентипи 10 и11, аттенюаторы 12 и 13,Устройство работает спедуюшим образом,Режим работы пинии задается вепичииой напряжения смещения Ес, котороезаводится на исток транзистора 1 .амппитудного кмнтоватепя, а также амппитудой тактовых импупьсов О.икоторыепоступают на затворы транзисторов 1, 5,7. Напряжение смешения формируется иэнапряжений, поступающих с первого ивторого источников противофаэных тактовых импупьсови Ф.,йля этоготактовые импупьсы с выхода источникови ф 2 через соответствующие вентили 10 и 1 1 поступают на вход фильтра 9нижних частот, . который пропускают насвой выход постоянную составляющуюсуммарного напряжения, Амппитуда тактовых импупьсов допжна быть такой величинычтобы выполнялось усповие (1),т.е.О +ОаэиОУС С СМгде 0 - напряжение отсечки полевогоОТСтранзистора;Ос - амплитуда входного сигнала,На практике достаточно, чтобы амппитуда тактовых импупьсов рввняпась (23) МОИ.Как отмечалось Раньше, дпЯ полУчения максимапьного динамического диапазона линии допжно выпопняться соотношение (4), т.е..Отс Чои сгде Фо - напряжение барьерного потенцивпв Р-И перехода полевоготранзистора,Для выпопнения этого соотношениямежду источниками управпяющих тактовых импупьсов М 1 и Ф и затворами по042243 Заказ 4862/Б59 Подписное Т левых транзисторов включены соответствующие аттенюаторы 12 и 13,В связи с тем, что напряжение смешения формируется из тактовых импульсов, изменение амплитуды тактовых им-пульсов приводит к синфазному изменению напряжения смешения, вследствиечего нестабильность напряжения смешения и амплитуды тактовых импульсовслабо сказывается на стабильности рабо пты пинии.Работа амплитудного квантователя икаскадов задержки в предлагаемом устройстве происхоаит таким же образомкак и в известном. 15В качестве аттенюаторов используютрезистивные делители напряжения, в качестве венти лей-полупроводниковые диоды,а в качестве фильтра нижних частотИС цепочка, 20формирование напряжения смещения изпротивофаэных тактовых импульсов засчет введения двух вентилей и фильтранижнйх частот, а также двух аттенюаторов выгодно отличает преалагаемый входной элемент дискретно-аналоговой пиниизадержки от известного так как в этомслучае за счет синфазного изменения напряжения смешения и амплитуды тактовых импульсов примерно в 5-10 раз 30уменьшается влияние нестабильности питающих напряжений на величину динамического диапазона дискретно-аналоговойлинии задержки.При заданном динамическом диапазо- зне дискретно-аналоговой пинии задержкипредлагаемый входной элемент накладывает в 5-10 раэ менее жесткие требования к стабильности питающих напряженийпо сравнению с известным. Кроме того, 4 ппредлагаемое устройство не зуебует наличия отдельного источника напряжениясмешения. Рормупа изобретен ия Входной элемент дискретно-аналоговой пИнии задержки, содержащий амплитудный квантователь на полевом транэис.торе, исток которого через разделительный конденсатор соединен с входом устройства, а сток соединен с запоминающимконденсатором, последовательно соединенные каскады задержки, выполненные наполевых транзисторах, причем исток полевого транзистора первого каскада задержки соединен со стоком транзистораамплитудного квантователя, затворы траазисторов четных каскадов задержки соединены с затвором транзистора амплитудного квантователя, затворы транзисторовнечетных каскадов задержки соединенымежду собой, два источника управляющихтактовых импульсов, резистор, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности, введены два аттенюатора, два вентиля и фильтр нижнихчастот, причем выходы источников управ"ляющих тактовых импульсов через вентили .присоединены к входу фильтра нижнихчастот, выход. которого через резистор,соединен с истоком транзистора амплитудного кваитователя, один аттенюатор при-.соединен между выходом первого источника управляюпщх тактовых импульсов изатворами транзисторов четных каскадовзадержки, второй аттенюатор - междувторым источником управляющих тактовых импульсов и затворамн транзисторовнечетных каскадов задержки,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. "Зарубежная раайоэлектроника".
СмотретьЗаявка
3006436, 19.11.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6208
ГАРМОНОВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ГРАШИН ВИКТОР ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03H 7/00
Метки: входной, дискретно-аналоговой, задержки, линии, элемент
Опубликовано: 07.07.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-942243-vkhodnojj-ehlement-diskretno-analogovojj-linii-zaderzhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Входной элемент дискретно-аналоговой линии задержки</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления пьезокерамических преобразователей
Следующий патент: Цифровой фильтр сигналов телеинформации
Случайный патент: Переключатель потока